CN203133896U - 一体式超高频rfid读写器 - Google Patents

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蒋洪雷
黄毅然
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SHENZHEN SANRAY TECHNOLOGY Co Ltd
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Abstract

本实用新型公开了一种一体式超高频RFID读写器,其包括有一读写器主机及一天线,所述读写器主机内设有一数据处理模块U1、一发射模块U2、一接收模块U3、一定向耦合模块U4、一载波抑制模块U5、一通讯接口U6及一天线端口J1,所述数据处理模块U1、发射模块U2、接收模块U3、定向耦合模块U4、载波抑制模块U5及通讯接口U6均设置于天线内。本实用新型相比现有的采用分立电子元件的RFID读写器而言,具有较好的简洁性且便于施工,同时还避免了信号的衰减,提高了数据的传输速率。

Description

一体式超高频RFID读写器
技术领域
本实用新型涉及一种读卡装置,尤其涉及一种一体式超高频RFID读写器。
背景技术
射频识别(Radio Frequency Identification,RFID)技术是一种非接触式自动识别技术,其通过射频信号来识别目标对象并获取相关数据,可识别高速运动物体并能同时识别多个电子标签,操作快捷、方便。RFID读写系统由一个读写器和多个电子标签构成,可用于控制、检测和跟踪物体。目前,很多领域都将RFID读写技术应用于身份识别设备中,例如,通过电子标签与RFID读写器之间的交互通讯而实现身份识别。如图2所示,现有的RFID读写器中,读写器主机1连接于天线2与服务器3之间,当RFID读写器发送数据时,读写器主机1的待发送数据通过天线2发送出去,当RFID读写器接收数据时,天线2所获取的数据传送至读写器主机1,读写器主机1还与服务器3之间交互通讯。该RFID读写器中,由于天线2先连接至读写器主机1,读写器主机1再连接至服务器3,所以其连接关系不够简洁,且施工过程较为麻烦。同时,由于读写器主机1与天线2之间通过较长的线缆连接,所以容易造成信号衰减,导致数据的传输速率降低。因此,现有的RFID读写器存在简洁性差、数据传输速率低的缺陷。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在在于,提供一种一体式超高频RFID读写器,该RFID读写器具有较好的简洁性且便于施工,同时还避免了信号的衰减,提高了数据的传输速率。
为解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案。
一体式超高频RFID读写器,其包括有一读写器主机及一天线,所述读写器主机包括有一数据处理模块U1、一发射模块U2、一接收模块U3、一定向耦合模块U4、一载波抑制模块U5、一通讯接口U6及一天线端口J1,其中:所述天线连接于天线端口J1,所述发射模块U2、载波抑制模块U5和天线端口J1分别连接于定向耦合模块U4,所述载波抑制模块U5连接于接收模块U3,所述发射模块U2和接收模块U3分别连接于数据处理模块U1,所述通讯接口U6连接于数据处理模块U1与服务器之间;所述RFID读写器发送数据时,数据处理模块U1将该数据依次通过发射模块U2、定向耦合模块U4、天线端口J1及天线发送出去;所述RFID读写器接收数据时,天线所获得的数据依次通过天线端口J1、定向耦合模块U4、载波抑制模块U5及接收模块U3而传送至数据处理模块U1;所述数据处理模块U1、发射模块U2、接收模块U3、定向耦合模块U4、载波抑制模块U5及通讯接口U6均设置于天线内。
优选地,所述RFID读写器的外壳上设有一防水接头,所述通讯接口U6与服务器之间通过该防水接头连接。
优选地,所述RFID读写器还包括有一电源管理模块,所述电源管理模块设置于天线之内且其分别对数据处理模块U1、发射模块U2、接收模块U3、定向耦合模块U4、载波抑制模块U5及通讯接口U6隔离供电。
优选地,所述发射模块U2和接收模块U3的工作频段均为860MHZ~960MHZ。
优选地,所述发射模块U2、接收模块U3及载波抑制模块U5集成于一个射频芯片内,所述射频芯片是IMPINJ R2000、IMPINJ R500和IMPINJ R1000中的任意一个。
优选地,所述数据处理模块U1与射频芯片均设置于RFID读写器电路板的单面。
优选地,所述数据处理模块U1是基于ARM架构的处理器。
优选地,所述天线端口J1与定向耦合模块U4之间连接有一电容C1,该天线端口J1的输出端还通过一电容C2接地,所述定向耦合模块U3与载波抑制模块U5之间连接有一电容C3,所述定向耦合模块U3与发射模块U2之间连接有一电容C4,所述电容C1、电容C3及电容C4均为耦合电容,所述电容C2为滤波电容。
本实用新型公开的一体式超高频RFID读写器中,当RFID读写器发送数据时,数据处理模块U1将该数据依次通过发射模块U2、定向耦合模块U4、天线端口J1及天线发送出去。当RFID读写器接收数据时,天线所获得的数据依次通过天线端口J1、定向耦合模块U4、载波抑制模块U5及接收模块U3而传送至数据处理模块U1。其中,数据处理模块U1、发射模块U2、接收模块U3、定向耦合模块U4、载波抑制模块U5及通讯接口U6均设置于天线内,使得RFID读写器在整体上更加简洁,同时只需将RFID读写器的通讯接口U6连接至服务器即能完成安装,所以更加便于施工。另外,还缩短了读写器主机与天线之间的线缆的长度,从而避免了信号的衰减,提高了数据的传输速率。
附图说明
图1为本实用新型提出的一体式超高频RFID读写器的电路框图。
图2为现有的RFID读写器与服务器的连接关系图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作更加详细的描述。
本实用新型公开一种一体式超高频RFID读写器,如图1所示,其包括有一读写器主机1及一天线2,所述读写器主机1包括有一数据处理模块U1、一发射模块U2、一接收模块U3、一定向耦合模块U4、一载波抑制模块U5、一通讯接口U6及一天线端口J1,其中:所述天线2连接于天线端口J1,所述发射模块U2、载波抑制模块U5和天线端口J1分别连接于定向耦合模块U4,所述载波抑制模块U5连接于接收模块U3,所述发射模块U2和接收模块U3分别连接于数据处理模块U1,所述通讯接口U6连接于数据处理模块U1与服务器3之间;所述RFID读写器发送数据时,数据处理模块U1将该数据依次通过发射模块U2、定向耦合模块U4、天线端口J1及天线2发送出去;所述RFID读写器接收数据时,天线2所获得的数据依次通过天线端口J1、定向耦合模块U4、载波抑制模块U5及接收模块U3而传送至数据处理模块U1;所述数据处理模块U1、发射模块U2、接收模块U3、定向耦合模块U4、载波抑制模块U5及通讯接口U6均设置于天线2内。
该RFID读写器中,数据处理模块U1用于对所接收到的数据进行处理或者向发射模块U2发送数据;发射模块U2用于将数据处理模块U1传来的数据发送至定向耦合模块U4;定向耦合模块U4作为数据定向处理的转接站,其用于将发射模块U2传送来的数据经由天线2发送出去,类似地,天线2所接收到的数据经由该定向耦合模块U4而传送至载波抑制模块U5;载波抑制模块U5采用反相抵消的方式抑制数据中的无效载波,从而得到有效数据;接收模块U3用于将载波抑制模块U5传送来的信号进行模数转换,之后再传送至数据处理模块U1;通讯接口U6用于令数据处理模块U1与服务器3之间进行半双工或者全双工通讯。本实用新型中,由于数据处理模块U1、发射模块U2、接收模块U3、定向耦合模块U4、载波抑制模块U5及通讯接口U6均设置于天线2内,使得RFID读写器在整体上更加简洁,同时只需将RFID读写器的通讯接口U6连接至服务器3即能完成安装,所以更加便于施工。另外,还缩短了读写器主机1与天线2之间的线缆的长度,从而避免了信号的衰减,提高了数据的传输速率。
本实施例中,所述RFID读写器的外壳上设有一防水接头,所述通讯接口U6与服务器3之间通过该防水接头连接,从而避免了通讯接口U6与服务器3的连接处出现漏水的情况。
本实施例中,所述RFID读写器还包括有一电源管理模块10,所述电源管理模块10设置于天线2之内且其分别对数据处理模块U1、发射模块U2、接收模块U3、定向耦合模块U4及载波抑制模块U5隔离供电,从而避免各模块之间的相互串扰,该电源管理模块10的输入电压为3.7V至5V。
本实施例中,所述发射模块U2和接收模块U3的工作频段均为860MHZ~960MHZ,但是在本实用新型的其他实施例中,所述发射模块U2和接收模块U3还可以工作在其他频段。
本实施例中,所述发射模块U2、接收模块U3及载波抑制模块U5集成于一个射频芯片内,所述射频芯片是美国IMPINJ公司的IMPINJ R2000、IMPINJ R500和IMPINJ R1000中的任意一个。所述数据处理模块U1与射频芯片均设置于RFID读写器电路板的单面。该RFID读写器相比现有的采用分立电子元件的读写器而言,具有较高的灵敏度,从而提高了RFID读写器的读写距离。
本实施例中,所述数据处理模块U1是基于ARM架构的高速处理器,并实现了更高效的抗冲突算法,使得该RFID读写器在读写标签时具有较强的抗冲突能力,能够实现每秒300~400个电子标签的读取速率。
本实施例中,所述天线端口J1与定向耦合模块U4之间连接有一电容C1,该天线端口J1的输出端还通过一电容C2接地,所述定向耦合模块U3与载波抑制模块U5之间连接有一电容C3,所述定向耦合模块U3与发射模块U2之间连接有一电容C4,所述电容C1、电容C3及电容C4均为耦合电容,所述电容C2为滤波电容。
本实用新型公开的一体式超高频RFID读写器中,当RFID读写器发送数据时,数据处理模块U1将该数据依次通过发射模块U2、定向耦合模块U4、天线端口J1及天线2发送出去。当RFID读写器接收数据时,天线2所获得的数据依次通过天线端口J1、定向耦合模块U4、载波抑制模块U5及接收模块U3而传送至数据处理模块U1。其中,数据处理模块U1、发射模块U2、接收模块U3、定向耦合模块U4、载波抑制模块U5及通讯接口U6均设置于天线2内,使得RFID读写器在整体上更加简洁,同时只需将RFID读写器的通讯接口U6连接至服务器即能完成安装,所以更加便于施工。另外,还缩短了读写器主机1与天线2之间的线缆的长度,从而避免了信号的衰减,提高了数据的传输速率。
以上所述只是本实用新型较佳的实施例,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的技术范围内所做的修改、等同替换或者改进等,均应包含在本实用新型所保护的范围内。

Claims (8)

1.一体式超高频RFID读写器,其特征在于,所述RFID读写器包括有一读写器主机(1)及一天线(2),所述读写器主机(1)包括有一数据处理模块U1、一发射模块U2、一接收模块U3、一定向耦合模块U4、一载波抑制模块U5、一通讯接口U6及一天线端口J1,其中:
所述天线(2)连接于天线端口J1,所述发射模块U2、载波抑制模块U5和天线端口J1分别连接于定向耦合模块U4,所述载波抑制模块U5连接于接收模块U3,所述发射模块U2和接收模块U3分别连接于数据处理模块U1,所述通讯接口U6连接于数据处理模块U1与服务器(3)之间;
所述RFID读写器发送数据时,数据处理模块U1将该数据依次通过发射模块U2、定向耦合模块U4、天线端口J1及天线(2)发送出去;
所述RFID读写器接收数据时,天线(2)所获得的数据依次通过天线端口J1、定向耦合模块U4、载波抑制模块U5及接收模块U3而传送至数据处理模块U1;
所述数据处理模块U1、发射模块U2、接收模块U3、定向耦合模块U4、载波抑制模块U5及通讯接口U6均设置于天线(2)内。
2.如权利要求1所述的RFID读写器,其特征在于,所述RFID读写器的外壳上设有一防水接头,所述通讯接口U6与服务器(3)之间通过该防水接头连接。
3.如权利要求1所述的RFID读写器,其特征在于,所述RFID读写器还包括有一电源管理模块(10),所述电源管理模块(10)设置于天线(2)之内且其分别对数据处理模块U1、发射模块U2、接收模块U3、定向耦合模块U4、载波抑制模块U5及通讯接口U6隔离供电。
4.如权利要求1所述的RFID读写器,其特征在于,所述发射模块U2和接收模块U3的工作频段均为860MHZ~960MHZ。
5.如权利要求1所述的RFID读写器,其特征在于,所述发射模块U2、接收模块U3及载波抑制模块U5集成于一个射频芯片内,所述射频芯片是IMPINJR2000、IMPINJ R500和IMPINJ R1000中的任意一个。
6.如权利要求5所述的RFID读写器,其特征在于,所述数据处理模块U1与射频芯片均设置于RFID读写器电路板的单面。
7.如权利要求1所述的RFID读写器,其特征在于,所述数据处理模块U1是基于ARM架构的处理器。
8.如权利要求1所述的RFID读写器,其特征在于,所述天线端口J1与定向耦合模块U4之间连接有一电容C1,该天线端口J1的输出端还通过一电容C2接地,所述定向耦合模块U3与载波抑制模块U5之间连接有一电容C3,所述定向耦合模块U3与发射模块U2之间连接有一电容C4,所述电容C1、电容C3及电容C4均为耦合电容,所述电容C2为滤波电容。
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