CN202977488U - 一种光利用度高的太阳能多晶电池片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种光利用度高的太阳能多晶电池片,旨在提供一种有效提高太阳的吸收量和电池片光利用度的太阳能多晶电池片;其技术要点是:该光利用度高的太阳能多晶电池片,包括硅片基体,所述的硅片基体有多条锯齿状反射线,锯齿状反射线的上面设有栅线和细栅线,栅线和细栅线相互垂直;属于太阳能电池技术领域。
Description
技术领域
本实用新型公开一种太阳能多晶电池片,具体地说,是一种光利用度高的太阳能多晶电池片,属于太阳能电池技术领域。
背景技术
太阳能发电由于其绿色环保以及可再生的性能,越来越受到人们的亲睐。太阳能电池发电的原理是基于半导体的光生伏特效应,将太阳能辐射直接转化为电能。目前市场上的光利用度高的太阳能多晶电池片,包括硅片以及蚀刻在硅片上的主栅线、支栅线,其主栅线、支栅线为相交的直线,主栅线更粗。太阳辐射照射在硅片上所产生的电荷被金属的支栅线富集,然后传输到主栅线上,产生电流,进行发电。但是,目前市场上的光利用度高的太阳能多晶电池片由于硅片反光强度较大,导致大部分太阳光被反射掉,所以目前市场上的光利用度高的太阳能多晶电池片发电效率低。使之提高发电效率,正是实用新型人要解决的问题。
实用新型内容
针对上述问题,本实用新型公开一种有效提高太阳的吸收量和电池片光利用度的太阳能多晶电池片。
本实用新型的技术方案是这样的:一种光利用度高的太阳能多晶电池片,包括硅片基体,所述的硅片基体设有多条锯齿状反射线,锯齿状反射线的上面设有栅线和细栅线,栅线和细栅线相互垂直。
上述的光利用度高的太阳能多晶电池片,所述的锯齿状反射线的延伸方向与栅线的延伸方向一致;所述的多条锯齿状反射线相互平行排列。
进一步的,上述的光利用度高的太阳能多晶电池片,所述的锯齿状反射线的高为0. 1-0.3mm,所述的锯齿状反射线条中锯齿的夹角为30°-60°。
与现有技术相比,本实用新型提供的光利用度高的太阳能多晶电池片有效提高太阳的吸收量和电池片光利用度,减少光浪费,使太阳能多晶电池片的效率提高了2%以上,并且性能稳定。
附图说明
图1是本实用新型结构示意图;
图2是本实用新型原理示意图;
其中:硅片基体1,反射线2,栅线3,细栅线4。
具体实施方式
下面结合具体实施方式和附图说明,对本实用新型的技术方案作进一步的详细说明,但不构成对本发明的任何限制。
参阅图1,本实用新型的一种光利用度高的太阳能多晶电池片,包括硅片基体1,所述的硅片基体设有多条锯齿状反射线2,锯齿状反射线2的上面设有栅线3和细栅线4,栅线3和细栅线4相互垂直。锯齿状反射线3的高为0. 1-0.3mm,最佳高为0.2mm,锯齿状反射线条中锯齿的夹角为30°-60°,最佳夹角为45°,该角度有利于光的反射至另一个锯齿面,使光直接反射至空气中的最小。所述的多条锯齿状反射线3相互平行排列,有利于太阳光的吸收。反射膜2设有收集电流的栅线3和细栅线4,栅线3和细栅线4相互垂直,所述的锯齿状反射线3的延伸方向与栅线3的延伸方向一致。光照时,参阅图2,由于本实用的新型增加了反射线2,使得太阳光照射时受到波面反射后,折射在相邻的反射线侧面而被吸收,增加了光的利用度,尤其是在阳光不充足的时候,其效率明显提高。制造时栅线3与细栅线4按常规的电池板制作方法,经过丝网印刷、烘干、结烧在电池片主体1上,在700℃烧结而成。
Claims (5)
1.一种光利用度高的太阳能多晶电池片,包括硅片基体(1),其特征在于,所述的硅片基体设有多条锯齿状反射线(2),锯齿状反射线(2)的上面设有栅线(3)和细栅线(4),栅线(3)和细栅线(4)相互垂直。
2.根据权利要求1所述的光利用度高的太阳能多晶电池片,其特性在于,所述的多条锯齿状反射线(2)相互平行排列。
3.根据权利要求1所述的光利用度高的太阳能多晶电池片,其特性在于,所述的锯齿状反射线(2)的延伸方向与栅线(3)的延伸方向一致。
4.根据权利要求1所述的光利用度高的太阳能多晶电池片,其特性在于,所述的锯齿状反射线(2)的高为0. 1-0.3mm。
5.根据权利要求1所述的光利用度高的太阳能多晶电池片,其特性在于,所述的锯齿状反射线条(3)中锯齿的夹角为30°-60°。
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CN2012206588530U CN202977488U (zh) | 2012-12-04 | 2012-12-04 | 一种光利用度高的太阳能多晶电池片 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN103943708A (zh) * | 2014-04-24 | 2014-07-23 | 英利能源(中国)有限公司 | 光反射膜及光伏组件 |
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GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
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