CN202949246U - 一种大电流充放电控制电路 - Google Patents

Abstract

一种大电流充放电控制电路，设置有电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电容C4、电容C9、场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3、场效应管Q4、场效应管Q5、场效应管Q6、场效应管Q13、场效应管Q14、三极管Q9、三极管Q10、三极管Q11、三极管Q12、二极管D1、二极管D2、二极管D4、芯片U1、端子J1和端子J5。本实用新型可以实现大电流充放电，最大电流可达500A。

Description

一种大电流充放电控制电路

技术领域

本实用新型涉及电源控制技术领域，特别是涉及一种大电流充放电控制电路。

背景技术

随着能源紧缺、石油涨价、城市环境污染的日益严重，替代石油的新能源的开发利用越来越被各国政府所重视。在新能源体系中，电池系统是其中不可或缺的重要组成部分。近年来，以电池为动力的电动自行车、混合动力汽车、电动汽车、燃料电池汽车等受到了市场越来越多的关注。动力电池在交通领域的应用，对于减少温室气体的排放、降低大气污染以及新能源的应用有着重要的意义。其中锂电池以高能量密度、高重复循环使用次数、重量轻以及绿色环保等优势越来越受到人们的关注，所以在手机、笔记本电脑、电动工具等便携式手持设备中已经得到广泛的应用，并已经开始进入电动车、电动汽车等大功率的应用中，成为全球电动汽车发展的热点。

在汽车启动的时候，瞬间电流很大，一般的电路采用存储器进行存储。由于汽车启动时是大电流，极易出现拉弧，存在安全隐患。因此，提供一种大电流充放电控制电路以符合安全要求甚为必要。

发明内容

本实用新型的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供一种大电流充放电控制电路，该大电流充放电控制电路能够实现大电流进行充放电。

本实用新型的目的通过以下技术措施实现。

一种大电流充放电控制电路，设置有电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电容C4、电容C9、场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3、场效应管Q4、场效应管Q5、场效应管Q6、场效应管Q13、场效应管Q14、三极管Q9、三极管Q10、三极管Q11、三极管Q12、二极管D1、二极管D2、二极管D4、芯片U1、端子J1和端子J5；

所述芯片U1的型号为BQ78PLXXX；

所述二极管D1正极、场效应管Q1源极、电阻R3一端、二极管D2正极、三极管Q9集电极、电阻R4一端、场效应管Q13源极与端子J1连接；

所述二极管D1负极、场效应管Q1栅极与电阻R9一端连接；

所述电阻R9另一端与场效应管Q2漏极连接，场效应管Q2源极、电阻R10一端与芯片U1的引脚2连接；

所述场效应管Q2栅极、电阻R10另一端与芯片U1的引脚8连接；

所述场效应管Q1漏极与电阻R2一端连接，电阻R2另一端、场效应管Q13漏极与场效应管Q14漏极连接；

所述电阻R3另一端、二极管D2负极、三极管Q9发射极、场效应管Q13栅极与三极管Q11集电极连接；

所述三极管Q11发射极、电阻R11一端与电阻R12一端连接；

所述电阻R11另一端、电阻R18一端与接口VIN连接；

所述电阻R12另一端与电阻R13一端连接；

所述电阻R13另一端与场效应管Q3漏极连接；

所述场效应管Q3栅极、电阻R15一端与电容C4一端连接，电容C4另一端、场效应管Q3源极及电阻R16一端接地；

所述电阻R15另一端、电阻R16另一端、电阻R17一端与芯片U1的引脚1连接；

所述电阻R4另一端、三极管Q9基极与电阻R5一端连接，电阻R5另一端与场效应管Q4漏极连接，场效应管Q4栅极与电阻R17另一端连接，场效应管Q4源极接地；

所述场效应管Q14源极、电阻R6一端、二极管D4正极、三极管Q10集电极、电阻R7一端与接头J5连接；

所述场效应管Q14栅极、电阻R6另一端、二极管D4负极、三极管Q10发射极与三极管Q12集电极连接；

所述三极管Q10基极、电阻R7另一端与电阻R8一端连接，电阻R8另一端与场效应管Q6漏极连接，场效应管Q6源极接地，场效应管Q6栅极与电阻R23一端连接，电阻R23另一端、电阻R21一端、电阻R22一端与芯片U1的引脚3连接；

所述三极管Q12基极、电阻R19一端与电阻R20一端连接，三极管Q12发射极、电阻R19另一端与电阻R18另一端连接；

所述电阻R20另一端与场效应管Q5漏极连接，场效应管Q5栅极与电阻R21另一端、电容C9一端连接，电容C9另一端、电阻R22另一端、场效应管Q5的源极均接地。

本实用新型的大电流充放电控制电路，采用双MOS管控制，可以实现大电流充放电，最大电流可达500A。

附图说明

利用附图对本实用新型做进一步说明，但附图中的内容不构成对本实用新型的任何限制。

图1是本实用新型一种大电流充放电控制电路的电路图。

具体实施方式

结合以下实施例对本实用新型作进一步说明。

一种大电流充放电控制电路，如图1所示，设置有电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电容C4、电容C9、场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3、场效应管Q4、场效应管Q5、场效应管Q6、场效应管Q13、场效应管Q14、三极管Q9、三极管Q10、三极管Q11、三极管Q12、二极管D1、二极管D2、二极管D4、芯片U1、端子J1和端子J5。

芯片U1的型号为BQ78PLXXX。

二极管D1正极、场效应管Q1源极、电阻R3一端、二极管D2正极、三极管Q9集电极、电阻R4一端、场效应管Q13源极与端子J1连接。

二极管D1负极、场效应管Q1栅极与电阻R9一端连接。

电阻R9另一端与场效应管Q2漏极连接，场效应管Q2源极、电阻R10一端与芯片U1的引脚2连接。

场效应管Q2栅极、电阻R10另一端与芯片U1的引脚8连接。

场效应管Q1漏极与电阻R2一端连接，电阻R2另一端、场效应管Q13漏极与场效应管Q14漏极连接。

电阻R3另一端、二极管D2负极、三极管Q9发射极、场效应管Q13栅极与三极管Q11集电极连接。

三极管Q11发射极、电阻R11一端与电阻R12一端连接。

电阻R11另一端、电阻R18一端与接口VIN连接。

电阻R12另一端与电阻R13一端连接。

电阻R13另一端与场效应管Q3漏极连接。

场效应管Q3栅极、电阻R15一端与电容C4一端连接，电容C4另一端、场效应管Q3源极及电阻R16一端接地。

电阻R15另一端、电阻R16另一端、电阻R17一端与芯片U1的引脚1连接。

电阻R4另一端、三极管Q9基极与电阻R5一端连接，电阻R5另一端与场效应管Q4漏极连接，场效应管Q4栅极与电阻R17另一端连接，场效应管Q4源极接地。

场效应管Q14源极、电阻R6一端、二极管D4正极、三极管Q10集电极、电阻R7一端与接头J5连接。

场效应管Q14栅极、电阻R6另一端、二极管D4负极、三极管Q10发射极与三极管Q12集电极连接。

三极管Q10基极、电阻R7另一端与电阻R8一端连接，电阻R8另一端与场效应管Q6漏极连接，场效应管Q6源极接地，场效应管Q6栅极与电阻R23一端连接，电阻R23另一端、电阻R21一端、电阻R22一端与芯片U1的引脚3连接。

三极管Q12基极、电阻R19一端与电阻R20一端连接，三极管Q12发射极、电阻R19另一端与电阻R18另一端连接。

电阻R20另一端与场效应管Q5漏极连接，场效应管Q5栅极与电阻R21另一端、电容C9一端连接，电容C9另一端、电阻R22另一端、场效应管Q5的源极均接地。

该大电流充放电控制电路，其工作原理是：

正常充电时，芯片U1的引脚1输出电压为2.5V，场效应管Q3和Q4导通，三极管Q11导通、三极管Q9关闭。VIN输入电压经过电阻R11、三极管Q11、电阻R3进行分压，二极管D2稳压，场效应管Q13导通。这时充电电流由端子J5经过场效应管Q14、Q13到达端子J1。

当芯片U1的引脚1输出电压为0V时，场效应管Q３与Q４关闭，三级管Q11关闭、三极管Q９打开，场效应管Q13关闭无法充电。

正常放电时，芯片U1的引脚3输出电压为２.５Ｖ时，场效应管Q5和Q6导通，三级管Q12导通、三级管Q10关闭。VIN输入电压经过电阻R18、三极管Q12、电阻R6进行分压，二极管D4稳压，场效应管Q14导通。这时放电电流由J1经过Q13、Q14到达端子J5。

芯片U1的引脚3输出电压为0V时，场效应管Q5和Q6关闭，三级管Q12关闭Q10打开，场效应管Q14关闭,无法放电。

芯片U1的引脚2输出电压为0V时，场效应管Q2导通，端子J1经过电阻R9进行分压，二极管D1稳压，场效应管Q1打开，充电电流由端子J5经过Q14、R2、Q1到达端子J1。

芯片U1的引脚2输出电压为2.5V时 ，场效应管Q2关闭，电流无法经过场效应管Q1，无法预充。

综上所述，该大电流充放电控制电路可以实现大电流充放电，最大电流可达500A。

此外，该大电流充放电控制电路结构简单，成本低廉。

需要说明的是，该大电流充放电控制电路的各个元器件的规格参数本领域普通技术人员可根据常规技术进行选择调整，在此不再赘述。

最后应当说明的是，以上实施例仅用于说明本实用新型的技术方案而非对本实用新型保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。

Claims (1)

1.一种大电流充放电控制电路，其特征在于：设置有电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R15、电阻R16、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电容C4、电容C9、场效应管Q1、场效应管Q2、场效应管Q3、场效应管Q4、场效应管Q5、场效应管Q6、场效应管Q13、场效应管Q14、三极管Q9、三极管Q10、三极管Q11、三极管Q12、二极管D1、二极管D2、二极管D4、芯片U1、端子J1和端子J5；

所述芯片U1的型号为BQ78PLXXX；

所述二极管D1正极、场效应管Q1源极、电阻R3一端、二极管D2正极、三极管Q9集电极、电阻R4一端、场效应管Q13源极与端子J1连接；

所述二极管D1负极、场效应管Q1栅极与电阻R9一端连接；

所述电阻R9另一端与场效应管Q2漏极连接，场效应管Q2源极、电阻R10一端与芯片U1的引脚2连接；

所述场效应管Q2栅极、电阻R10另一端与芯片U1的引脚8连接；

所述场效应管Q1漏极与电阻R2一端连接，电阻R2另一端、场效应管Q13漏极与场效应管Q14漏极连接；

所述电阻R3另一端、二极管D2负极、三极管Q9发射极、场效应管Q13栅极与三极管Q11集电极连接；

所述三极管Q11发射极、电阻R11一端与电阻R12一端连接；

所述电阻R11另一端、电阻R18一端与接口VIN连接；

所述电阻R12另一端与电阻R13一端连接；

所述电阻R13另一端与场效应管Q3漏极连接；

所述场效应管Q3栅极、电阻R15一端与电容C4一端连接，电容C4另一端、场效应管Q3源极及电阻R16一端接地；

所述电阻R15另一端、电阻R16另一端、电阻R17一端与芯片U1的引脚1连接；

所述电阻R4另一端、三极管Q9基极与电阻R5一端连接，电阻R5另一端与场效应管Q4漏极连接，场效应管Q4栅极与电阻R17另一端连接，场效应管Q4源极接地；

所述场效应管Q14源极、电阻R6一端、二极管D4正极、三极管Q10集电极、电阻R7一端与接头J5连接；

所述场效应管Q14栅极、电阻R6另一端、二极管D4负极、三极管Q10发射极与三极管Q12集电极连接；

所述三极管Q10基极、电阻R7另一端与电阻R8一端连接，电阻R8另一端与场效应管Q6漏极连接，场效应管Q6源极接地，场效应管Q6栅极与电阻R23一端连接，电阻R23另一端、电阻R21一端、电阻R22一端与芯片U1的引脚3连接；

所述三极管Q12基极、电阻R19一端与电阻R20一端连接，三极管Q12发射极、电阻R19另一端与电阻R18另一端连接；

所述电阻R20另一端与场效应管Q5漏极连接，场效应管Q5栅极与电阻R21另一端、电容C9一端连接，电容C9另一端、电阻R22另一端、场效应管Q5的源极均接地。

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