CN202940564U - 三相漏电断路器 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种漏电保护器。本实用新型的一种三相漏电断路器，包括电子组件，所述电子组件包括三相整流电路、模拟漏电测试电路、漏电检测/判断/设定电路和可控硅耐压电路，所述三相整流电路分别与模拟漏电测试电路和漏电检测/判断/设定电路连接，所述漏电检测/判断/设定电路与可控硅耐压电路连接。本实用新型的三相漏电断路器当三相电网中任意一相电断电的情况下，都能保证漏电断路器的正常工作，从而起到了剩余电流或人身触电保护作用，避免或减少经济损失。

Description

三相漏电断路器

技术领域

本实用新型涉及一种漏电保护器，特别是涉及一种三相漏电断路器。 

背景技术

国内外多年的运行经验表明，推广使用漏电保护器，对防止触电伤亡事故，避免因漏电而引起的火灾事故, 具有明显的效果。 

漏电保护器即漏电断路器主要包括检测元件(零序电流互感器)、中间环节(包括放大器、比较器、脱扣器等)、执行元件(主开关) 以及试验元件等几个部分。在被保护电路工作正常, 没有发生漏电或触电的情况下, 由克希荷夫定律可知, 通过零序电流互感器一次侧的电流相量和等于零，这样零序电流互感器的二次侧不产生感应电动势, 漏电保护器不动作, 系统保持正常供电。当被保护电路发生漏电或有人触电时, 由于漏电电流的存在, 通过零序电流互感器一次侧各相电流的相量和不再等于零,产生了漏电电流，在零序电流互感器铁心中出现了交变磁通。在交变磁通作用下, TL二次侧线圈就有感应电动势产生, 此漏电信号经中间环节进行处理和比较, 当达到预定值时, 使主开关分励脱扣器线圈TL 通电, 驱动主开关自动跳闸, 切断故障电路,从而实现保护。 

现有的三相漏电断路器是按照设定的要求，经过一定的延时时间断开故障电路，往往当电网中任一相电断电时，三相漏电断路器就会直接跳闸，从而失去漏电保护功能，无法正常工作，更起不到漏电保护效果，甚至给用户带来了巨大的经济损失。 

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是当电网中任意一相电断电的情况下，三相漏电断路器也能可靠工作。 

解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是，三相漏电断路器，包括电子组件，所述电子组件包括三相整流电路、模拟漏电测试电路、漏电检测/判断/设定电路和可控硅耐压电路，所述三相整流电路分别与模拟漏电测试电路和漏电检测/判断/设定电路连接，所述漏电检测/判断/设定电路与可控硅耐压电路连接。 

进一步的，所述三相整流电路包括稳流二极管D1、稳流二极管D2、稳流二极管D3、稳流二极管D4、稳流二极管D5、稳流二极管D6、高能压敏电阻RV1、高能压敏电阻RV2、高能压敏电阻RV3、脱扣线圈和压敏电阻RV4，所述高能压敏电阻RV1一端接三相电源A相线，高能压敏电阻RV1另一端接三相电源B相线，该端同时接高能压敏电阻RV2一端，高能压敏电阻RV2另一端接三相电源C相线，高能压敏电阻RV3一端与三相电源A相线连接，高能压敏电阻RV3另一端与三相电源C相线连接，稳流二极管D1的阴极、稳流二极管D2的阴极和稳流二极管D3的阴极均连接，稳流二极管D1的阳极与稳流二极管D4的阴极连接后与三相电源A相线连接，稳流二极管D2的阳极与稳流二极管D5的阴极连接后与三相电源B相线连接，稳流二极管D3的阳极与稳流二极管D6的阴极连接后与三相电源C相线连接，稳流二极管D4的阳极、稳流二极管D5的阳极和稳流二极管D6的阳极均连接后接地，所述脱扣线圈的一端与稳流二极管D3的阴极连接，所述脱扣线圈的另一端与压敏电阻RV4的一端连接，所述压敏电阻RV4的另一端接地； 

整流二极管D1、整流二极管D2、整流二极管D3、整流二极管D4、整流二极管D5、整流二极管D6组成三相整流电路，当A、B、C相都有电时，组成三相整流电路，当A、B、C相任意一相断线时，另外两相依然可以组成两相整流电路，为后级电路提供足够的电压，实现了任意断一相电也能可靠工作的功能。高能压敏电阻RV1、高能压敏电阻RV2、高能压敏电阻RV3组成三相电路抗浪涌电压保护电路，压敏电阻RV4组成后级保护电路，前后两级保护电路，保证了后级其它电路工作的可靠性。

所述可控硅耐压电路包括电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电容C9、电容C10、可控硅Q1和可控硅Q2，电阻R13一端与电阻R14的一端连接，电阻R13的另一端接地，电阻R14的另一端与电阻R5和压敏电阻RV4共同连接端连接，电阻R15一端与电阻R13和电阻R14的共同连接端连接，另一端与可控硅Q1的控制极连接，可控硅Q1的阳极与电阻R5和压敏电阻RV4共同连接端连接，可控硅Q1的阴极与电阻R16的一端连接，电阻R16的另一端与可控硅Q1的控制极连接，电容C10与电阻R16并联，可控硅Q2的阳极与可控硅Q1的阴极连接，可控硅Q2的阴极接地，可控硅Q2的控制极与IC芯片U1的SCRT引脚连接，该端同时与电容C9的一端连接，电容C9的另一端接地， 

可控硅Q1、可控硅Q2组成串联电路，由于每个可控硅的耐压是600V，所以串联后将达到1200V，为了保证可控硅Q1、可控硅Q2各承受的电压相等，在可控硅Q1、可控硅Q2可控硅间分别并联阻值相等的电阻R14和电阻R13。

所述模拟漏电测试电路包括零序电流互感器S1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和测试键S3，电阻R4一端接三相电源A相线，电阻R4另一端接电阻R3一端，电阻R3另一端接零序电流互感器S1的端口1，零序电流互感器S1的端口2与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与测试键S3的一端连接，测试键S3的另一端接三相电源C相线； 

零序电流互感器S1的测试回路绕组、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻S3组成模拟漏电测试回路，当测试键S3按下时，零序电流互感器S1检测到漏电流，通过IC芯片U1检测、放大、输出，驱动脱扣线圈，引起脱扣，此功能可以用于检测漏电保护器是否失效。

所述漏电检测/判断/设定电路包括型号为M54134的IC芯片U1、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电阻R24、电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R30、二极管D7、二极管D8、二极管D9、有极性电解电容C1、电容C2、电容C3、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C11、电容C12、电容C13、电容C14、电容C15、电容C16、电容C17、电容C18、有极性电解电容C19、有极性电解电容C20、有极性电解电容C21、电容C22，调整钮K1、调整钮K2、开关三极管Q3、接插件CON2，所述电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10和电阻R11依次串联，电阻R5另一端与脱扣线圈和压敏电阻RV4的共同连接端连接，电阻R11另一端与IC芯片U1的Vs引脚连接，IC芯片U1的GND引脚接地，IC芯片U1的IREF引脚串接电阻R12后接地，IC芯片U1的VCC引脚串接电容C3后接地，IC芯片U1的OFFC引脚串接电容C4后接地，IC芯片U1的TRC1引脚串接电容C5后接地，IC芯片U1的TRC2引脚串接电容C6后接地，IC芯片U1的DLYC引脚串接电容C7后接地， IC芯片U1的SCRT引脚串接电容C8后与电阻R23的一端连接，该端同时与开关三极管Q3的漏极连接，电阻R23的另一端与电阻R22的一端连接，该端同时与开关三极管Q3的栅极连接，电阻R22的另一端与IC芯片U1的SCRT引脚连接，开关三极管Q3的源极与接插件CON2的端口2连接，接插件CON2的端口1接电源VCC，IC芯片U1的VREF引脚和ILKI引脚之间串接电容C12，IC芯片U1的ILKI引脚和OPI-引脚之间串接电阻R17和电容C14，IC芯片U1的OPAO引脚和C2引脚之间串接电容C13，IC芯片U1的OPI-引脚和C1引脚之间串接电容C15，IC芯片U1的CI引脚和OPI+引脚之间串接电容C16，IC芯片U1的Vs引脚接电源VCC，二极管D7的阴极接电源VCC，二极管D7的阳极接地，有极性电解电容C1的正极接电源VCC，有极性电解电容C1负极接地，电容C2的一端接电源VCC，电容C2的另一端接地，零序电流互感器S2的端口1串接电阻R19和电阻R30后与IC芯片U1的OPAO引脚连接，零序电流互感器S2的端口2与IC芯片U1的VREF引脚连接，电阻R21串接在零序电流互感器S2的端口1和端口2之间，二极管D9的阳极接零序电流互感器S2的端口2，二极管D9的阴极接零序电流互感器S2的端口1，二极管D8的阴极接零序电流互感器S2的端口2，二极管D8的阳极接零序电流互感器S2的端口1，电容C18串接在零序电流互感器S2的端口1和端口2之间，电容C17一端接零序电流互感器S2的端口2，电容C17另一端接电阻R19和电阻R30的共同连接端，该端同时接电阻R18的一端，电阻R18的另一端接IC芯片U1的OPI-引脚，电阻R20一端接零序电流互感器S2的端口2，电阻R20的另一端接IC芯片U1的OPI+引脚，零序电流互感器S2的端口2还与调整钮K2的端口C连接，调整钮K2的端口0、端口1、端口2和端口3分别与电阻R24、电阻R25、电阻R26和电阻R27的一端连接，电阻R24、电阻R25、电阻R26和电阻R27的另一端均连接后再与零序电流互感器S2的端口1连接，调整钮K1的端口C与IC芯片U1的DLYC引脚连接，调整钮K1的端口0与有极性电解电容C19的正极连接，有极性电解电容C19的负极接地，调整钮K1的端口1与有极性电解电容C20的正极连接，有极性电解电容C20的负极接地，调整钮K1的端口2与有极性电解电容C21的正极连接，有极性电解电容C21的负极接地，调整钮K1的端口3与电容C22的一端连接，电容C22的另一端接地；所述电容C11的一端与IC芯片U1的VREF引脚连接，所述电容C11的另一端接地； 

零序电流互感器S2的输出信号经过IC芯片U1（M541234）内部的运算放大器放大、比较等电路，可以判断出是否有漏电信号，如果漏电流大于设定值时，IC芯片U1驱动可控硅Q2，引起断路器跳脱。通过调整钮K2可设定电阻R24、电阻R25、电阻R26、电阻R27中的一个电阻成为取样电阻，通过改变取样电阻来调整额定剩余电流。通过调整钮K1可设定电容C19、电容C20、电容C21、电容C22中的一个电容成为充电电容，通过改变充电电容来调整极限不驱动时间，使漏电断路器具有选择性功能。电阻R22、电阻R23、三极管Q3组成报警输出电路，当电路发生漏电故障时，接插件CON2有输出信号，用于指示电路发生漏电故障。

进一步的，所述高能压敏电阻RV1、高能压敏电阻RV2、高能压敏电阻RV3型号均为10V821。 

进一步的，所述压敏电阻RV4的型号为7D821。 

进一步的，所述可控硅Q1和可控硅Q2的型号均为MCR100-8。 

进一步的，所述开关三极管Q3的型号为MOSFET N。 

本实用新型通过采用上述技术方案，与现有技术相比，具有如下优点： 

本实用新型的三相漏电断路器，当被保护电路发生有剩余电流或人身触电时，只要剩余电流或触电电流Iδn达到剩余电流动作值，零序电流互感器的二次绕组就会输出一个电压信号，经过IC电路检测、放大、输出、使剩余电流脱扣器动作，将故障电路迅速断开，从而起到了剩余电流或人身触电保护作用。

当三相电网中任意一相电断电的情况下，本实用新型的都能保证漏电断路器的正常工作，从而起到了剩余电流或人身触电保护作用，同时保障电机的可靠运行，避免或减少经济损失。 

附图说明

图1是本实用新型的实施例的电路原理图。 

具体实施方式

现结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。 

作为一个具体的实施例，如图1所示，本实用新型的一种三相漏电断路器，包括电子组件，所述电子组件包括三相整流电路、模拟漏电测试电路、漏电检测/判断/设定电路和可控硅耐压电路，所述三相整流电路分别与模拟漏电测试电路和漏电检测/判断/设定电路连接，所述漏电检测/判断/设定电路与可控硅耐压电路连接。 

进一步的，所述三相整流电路包括稳流二极管D1、稳流二极管D2、稳流二极管D3、稳流二极管D4、稳流二极管D5、稳流二极管D6、型号为10V821高能压敏电阻RV1、型号为10V821高能压敏电阻RV2、型号为10V821高能压敏电阻RV3、脱扣线圈和型号为7D821压敏电阻RV4，所述高能压敏电阻RV1一端接三相电源A相线，高能压敏电阻RV1另一端接三相电源B相线，该端同时接高能压敏电阻RV2一端，高能压敏电阻RV2另一端接三相电源C相线，高能压敏电阻RV3一端与三相电源A相线连接，高能压敏电阻RV3另一端与三相电源C相线连接，稳流二极管D1的阴极、稳流二极管D2的阴极和稳流二极管D3的阴极均连接，稳流二极管D1的阳极与稳流二极管D4的阴极连接后与三相电源A相线连接，稳流二极管D2的阳极与稳流二极管D5的阴极连接后与三相电源B相线连接，稳流二极管D3的阳极与稳流二极管D6的阴极连接后与三相电源C相线连接，稳流二极管D4的阳极、稳流二极管D5的阳极和稳流二极管D6的阳极均连接后接地，所述脱扣线圈的一端与稳流二极管D3的阴极连接，所述脱扣线圈的另一端与压敏电阻RV4的一端连接，所述压敏电阻RV4的另一端接地； 

整流二极管D1、整流二极管D2、整流二极管D3、整流二极管D4、整流二极管D5、整流二极管D6组成三相整流电路，当A、B、C相都有电时，组成三相整流电路，当A、B、C相任意一相断线时，另外两相依然可以组成两相整流电路，为后级电路提供足够的电压，实现了任意断一相电也能可靠工作的功能。高能压敏电阻RV1、高能压敏电阻RV2、高能压敏电阻RV3组成三相电路抗浪涌电压保护电路，压敏电阻RV4组成后级保护电路，前后两级保护电路，保证了后级其它电路工作的可靠性。

所述可控硅耐压电路包括电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电容C9、电容C10、型号均为MCR100-8的可控硅Q1和可控硅Q2，电阻R13一端与电阻R14的一端连接，电阻R13的另一端接地，电阻R14的另一端与电阻R5和压敏电阻RV4共同连接端连接，电阻R15一端与电阻R13和电阻R14的共同连接端连接，另一端与可控硅Q1的控制极连接，可控硅Q1的阳极与电阻R5和压敏电阻RV4共同连接端连接，可控硅Q1的阴极与电阻R16的一端连接，电阻R16的另一端与可控硅Q1的控制极连接，电容C10与电阻R16并联，可控硅Q2的阳极与可控硅Q1的阴极连接，可控硅Q2的阴极接地，可控硅Q2的控制极与IC芯片U1的SCRT引脚连接，该端同时与电容C9的一端连接，电容C9的另一端接地， 

可控硅Q1、可控硅Q2组成串联电路，由于每个可控硅的耐压是600V，所以串联后将达到1200V，为了保证可控硅Q1、可控硅Q2各承受的电压相等，在可控硅Q1、可控硅Q2可控硅间分别并联阻值相等的电阻R14和电阻R13。

所述模拟漏电测试电路包括零序电流互感器S1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和测试键S3，电阻R4一端接三相电源A相线，电阻R4另一端接电阻R3一端，电阻R3另一端接零序电流互感器S1的端口1，零序电流互感器S1的端口2与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与测试键S3的一端连接，测试键S3的另一端接三相电源C相线； 

零序电流互感器S1的测试回路绕组、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻S3组成模拟漏电测试回路，当测试键S3按下时，零序电流互感器S1检测到漏电流，通过IC芯片U1检测、放大、输出，驱动脱扣线圈，引起脱扣，此功能可以用于检测漏电保护器是否失效。

所述漏电检测/判断/设定电路包括型号为M54134的IC芯片U1、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电阻R24、电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R30、二极管D7、二极管D8、二极管D9、有极性电解电容C1、电容C2、电容C3、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C11、电容C12、电容C13、电容C14、电容C15、电容C16、电容C17、电容C18、有极性电解电容C19、有极性电解电容C20、有极性电解电容C21、电容C22，调整钮K1、调整钮K2、型号为MOSFET N开关三极管Q3、接插件CON2，所述电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10和电阻R11依次串联，电阻R5另一端与脱扣线圈和压敏电阻RV4的共同连接端连接，电阻R11另一端与IC芯片U1的Vs引脚连接，IC芯片U1的GND引脚接地，IC芯片U1的IREF引脚串接电阻R12后接地，IC芯片U1的VCC引脚串接电容C3后接地，IC芯片U1的OFFC引脚串接电容C4后接地，IC芯片U1的TRC1引脚串接电容C5后接地，IC芯片U1的TRC2引脚串接电容C6后接地，IC芯片U1的DLYC引脚串接电容C7后接地， IC芯片U1的SCRT引脚串接电容C8后与电阻R23的一端连接，该端同时与开关三极管Q3的漏极连接，电阻R23的另一端与电阻R22的一端连接，该端同时与开关三极管Q3的栅极连接，电阻R22的另一端与IC芯片U1的SCRT引脚连接，开关三极管Q3的源极与接插件CON2的端口2连接，接插件CON2的端口1接电源VCC，IC芯片U1的VREF引脚和ILKI引脚之间串接电容C12，IC芯片U1的ILKI引脚和OPI-引脚之间串接电阻R17和电容C14，IC芯片U1的OPAO引脚和C2引脚之间串接电容C13，IC芯片U1的OPI-引脚和C1引脚之间串接电容C15，IC芯片U1的CI引脚和OPI+引脚之间串接电容C16，IC芯片U1的Vs引脚接电源VCC，二极管D7的阴极接电源VCC，二极管D7的阳极接地，有极性电解电容C1的正极接电源VCC，有极性电解电容C1负极接地，电容C2的一端接电源VCC，电容C2的另一端接地，零序电流互感器S2的端口1串接电阻R19和电阻R30后与IC芯片U1的OPAO引脚连接，零序电流互感器S2的端口2与IC芯片U1的VREF引脚连接，电阻R21串接在零序电流互感器S2的端口1和端口2之间，二极管D9的阳极接零序电流互感器S2的端口2，二极管D9的阴极接零序电流互感器S2的端口1，二极管D8的阴极接零序电流互感器S2的端口2，二极管D8的阳极接零序电流互感器S2的端口1，电容C18串接在零序电流互感器S2的端口1和端口2之间，电容C17一端接零序电流互感器S2的端口2，电容C17另一端接电阻R19和电阻R30的共同连接端，该端同时接电阻R18的一端，电阻R18的另一端接IC芯片U1的OPI-引脚，电阻R20一端接零序电流互感器S2的端口2，电阻R20的另一端接IC芯片U1的OPI+引脚，零序电流互感器S2的端口2还与调整钮K2的端口C连接，调整钮K2的端口0、端口1、端口2和端口3分别与电阻R24、电阻R25、电阻R26和电阻R27的一端连接，电阻R24、电阻R25、电阻R26和电阻R27的另一端均连接后再与零序电流互感器S2的端口1连接，调整钮K1的端口C与IC芯片U1的DLYC引脚连接，调整钮K1的端口0与有极性电解电容C19的正极连接，有极性电解电容C19的负极接地，调整钮K1的端口1与有极性电解电容C20的正极连接，有极性电解电容C20的负极接地，调整钮K1的端口2与有极性电解电容C21的正极连接，有极性电解电容C21的负极接地，调整钮K1的端口3与电容C22的一端连接，电容C22的另一端接地；所述电容C11的一端与IC芯片U1的VREF引脚连接，所述电容C11的另一端接地； 

零序电流互感器S2的输出信号经过IC芯片U1（M541234）内部的运算放大器放大、比较等电路，可以判断出是否有漏电信号，如果漏电流大于设定值时，IC芯片U1驱动可控硅Q2，引起断路器跳脱。通过调整钮K2可设定电阻R24、电阻R25、电阻R26、电阻R27中的一个电阻成为取样电阻，通过改变取样电阻来调整额定剩余电流。通过调整钮K1可设定电容C19、电容C20、电容C21、电容C22中的一个电容成为充电电容，通过改变充电电容来调整极限不驱动时间，使漏电断路器具有选择性功能。电阻R22、电阻R23、三极管Q3组成报警输出电路，当电路发生漏电故障时，接插件CON2有输出信号，用于指示电路发生漏电故障。

本实用新型的三相漏电断路器，当被保护电路发生有剩余电流或人身触电时，只要剩余电流或触电电流Iδn达到剩余电流动作值，零序电流互感器的二次绕组就会输出一个电压信号，经过IC电路检测、放大、输出、使剩余电流脱扣器动作，将故障电路迅速断开（延时型剩余电流断路器是按照设定的要求，经过一定的延时时间断开故障电路），从而起到了剩余电流或人身触电保护作用。即使是三相电源任一一相电断电时，本实用新型的三相漏电断路器也能正常工作。 

尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化，均为本实用新型的保护范围。   

Claims (6)

1.三相漏电断路器，其特征在于：包括电子组件，所述电子组件包括三相整流电路、模拟漏电测试电路、漏电检测/判断/设定电路和可控硅耐压电路，所述三相整流电路分别与模拟漏电测试电路和漏电检测/判断/设定电路连接，所述漏电检测/判断/设定电路与可控硅耐压电路连接。

2.根据权利要求1所述的三相漏电断路器，其特征在于：

所述三相整流电路包括稳流二极管D1、稳流二极管D2、稳流二极管D3、稳流二极管D4、稳流二极管D5、稳流二极管D6、高能压敏电阻RV1、高能压敏电阻RV2、高能压敏电阻RV3、脱扣线圈和压敏电阻RV4，所述高能压敏电阻RV1一端接三相电源A相线，高能压敏电阻RV1另一端接三相电源B相线，该端同时接高能压敏电阻RV2一端，高能压敏电阻RV2另一端接三相电源C相线，高能压敏电阻RV3一端与三相电源A相线连接，高能压敏电阻RV3另一端与三相电源C相线连接，稳流二极管D1的阴极、稳流二极管D2的阴极和稳流二极管D3的阴极均连接，稳流二极管D1的阳极与稳流二极管D4的阴极连接后与三相电源A相线连接，稳流二极管D2的阳极与稳流二极管D5的阴极连接后与三相电源B相线连接，稳流二极管D3的阳极与稳流二极管D6的阴极连接后与三相电源C相线连接，稳流二极管D4的阳极、稳流二极管D5的阳极和稳流二极管D6的阳极均连接后接地，所述脱扣线圈的一端与稳流二极管D3的阴极连接，所述脱扣线圈的另一端与压敏电阻RV4的一端连接，所述压敏电阻RV4的另一端接地；

所述模拟漏电测试电路包括零序电流互感器S1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和测试键S3，电阻R4一端接三相电源A相线，电阻R4另一端接电阻R3一端，电阻R3另一端接零序电流互感器S1的端口1，零序电流互感器S1的端口2与电阻R2的一端连接，电阻R2的另一端与电阻R1的一端连接，电阻R1的另一端与测试键S3的一端连接，测试键S3的另一端接三相电源C相线；

所述漏电检测/判断/设定电路包括型号为M54134的IC芯片U1、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23、电阻R24、电阻R25、电阻R26、电阻R27、电阻R30、二极管D7、二极管D8、二极管D9、有极性电解电容C1、电容C2、电容C3、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C11、电容C12、电容C13、电容C14、电容C15、电容C16、电容C17、电容C18、有极性电解电容C19、有极性电解电容C20、有极性电解电容C21、电容C22，调整钮K1、调整钮K2、开关三极管Q3、接插件CON2，所述电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10和电阻R11依次串联，电阻R5另一端与脱扣线圈和压敏电阻RV4的共同连接端连接，电阻R11另一端与IC芯片U1的Vs引脚连接，IC芯片U1的GND引脚接地，IC芯片U1的IREF引脚串接电阻R12后接地，IC芯片U1的VCC引脚串接电容C3后接地，IC芯片U1的OFFC引脚串接电容C4后接地，IC芯片U1的TRC1引脚串接电容C5后接地，IC芯片U1的TRC2引脚串接电容C6后接地，IC芯片U1的DLYC引脚串接电容C7后接地， IC芯片U1的SCRT引脚串接电容C8后与电阻R23的一端连接，该端同时与开关三极管Q3的漏极连接，电阻R23的另一端与电阻R22的一端连接，该端同时与开关三极管Q3的栅极连接，电阻R22的另一端与IC芯片U1的SCRT引脚连接，开关三极管Q3的源极与接插件CON2的端口2连接，接插件CON2的端口1接电源VCC，IC芯片U1的VREF引脚和ILKI引脚之间串接电容C12，IC芯片U1的ILKI引脚和OPI-引脚之间串接电阻R17和电容C14，IC芯片U1的OPAO引脚和C2引脚之间串接电容C13，IC芯片U1的OPI-引脚和C1引脚之间串接电容C15，IC芯片U1的CI引脚和OPI+引脚之间串接电容C16，IC芯片U1的Vs引脚接电源VCC，二极管D7的阴极接电源VCC，二极管D7的阳极接地，有极性电解电容C1的正极接电源VCC，有极性电解电容C1负极接地，电容C2的一端接电源VCC，电容C2的另一端接地，零序电流互感器S2的端口1串接电阻R19和电阻R30后与IC芯片U1的OPAO引脚连接，零序电流互感器S2的端口2与IC芯片U1的VREF引脚连接，电阻R21串接在零序电流互感器S2的端口1和端口2之间，二极管D9的阳极接零序电流互感器S2的端口2，二极管D9的阴极接零序电流互感器S2的端口1，二极管D8的阴极接零序电流互感器S2的端口2，二极管D8的阳极接零序电流互感器S2的端口1，电容C18串接在零序电流互感器S2的端口1和端口2之间，电容C17一端接零序电流互感器S2的端口2，电容C17另一端接电阻R19和电阻R30的共同连接端，该端同时接电阻R18的一端，电阻R18的另一端接IC芯片U1的OPI-引脚，电阻R20一端接零序电流互感器S2的端口2，电阻R20的另一端接IC芯片U1的OPI+引脚，零序电流互感器S2的端口2还与调整钮K2的端口C连接，调整钮K2的端口0、端口1、端口2和端口3分别与电阻R24、电阻R25、电阻R26和电阻R27的一端连接，电阻R24、电阻R25、电阻R26和电阻R27的另一端均连接后再与零序电流互感器S2的端口1连接，调整钮K1的端口C与IC芯片U1的DLYC引脚连接，调整钮K1的端口0与有极性电解电容C19的正极连接，有极性电解电容C19的负极接地，调整钮K1的端口1与有极性电解电容C20的正极连接，有极性电解电容C20的负极接地，调整钮K1的端口2与有极性电解电容C21的正极连接，有极性电解电容C21的负极接地，调整钮K1的端口3与电容C22的一端连接，电容C22的另一端接地；所述电容C11的一端与IC芯片U1的VREF引脚连接，所述电容C11的另一端接地;

所述可控硅耐压电路包括电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16、电容C9、电容C10、可控硅Q1和可控硅Q2，电阻R13一端与电阻R14的一端连接，电阻R13的另一端接地，电阻R14的另一端与电阻R5和压敏电阻RV4共同连接端连接，电阻R15一端与电阻R13和电阻R14的共同连接端连接，另一端与可控硅Q1的控制极连接，可控硅Q1的阳极与电阻R5和压敏电阻RV4共同连接端连接，可控硅Q1的阴极与电阻R16的一端连接，电阻R16的另一端与可控硅Q1的控制极连接，电容C10与电阻R16并联，可控硅Q2的阳极与可控硅Q1的阴极连接，可控硅Q2的阴极接地，可控硅Q2的控制极与IC芯片U1的SCRT引脚连接，该端同时与电容C9的一端连接，电容C9的另一端接地。

3.根据权利要求2所述的三相漏电断路器，其特征在于：所述高能压敏电阻RV1、高能压敏电阻RV2、高能压敏电阻RV3型号均为10V821。

4.根据权利要求2所述的三相漏电断路器，其特征在于：所述压敏电阻RV4的型号为7D821。

5.根据权利要求2所述的三相漏电断路器，其特征在于：所述可控硅Q1和可控硅Q2的型号均为MCR100-8。

6.根据权利要求2所述的三相漏电断路器，其特征在于：所述开关三极管Q3的型号为MOSFET N。

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