CN202905716U - 一种amoled像素电容 - Google Patents

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金正学
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Abstract

本实用新型的为了解决现有AMOLED像素结构中使用数据金属排线和栅极金属排线构成电容会占用较大的面板空间使制造的AMOLED面板的开口率受到限制的问题，提出了一种AMOLED像素电容，包括第一电极板和第二电极板，其特征在于，所述第一电极板为阴极金属层，第二电极板为ITO电极层。本实用新型的有益效果：本实用新型通过使用阴极金属层和ITO电极层作为存储电容的两电极，使构的像素结构的开口率得到改善，同时也改善了显示装置的寿命，还能提高面板的色彩的纯度。

Description

一种AMOLED像素电容
技术领域
本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种AMOLED像素电容结构。
背景技术
在平板显示技术中，有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）显示器以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点而被业界公认为是继液晶显示器（LCD）之后的第三代显示技术。主动式OLED（ActiveMatrix OLED，AMOLED）也称为有源矩阵OLED，AMOLED因通过在每个像素中集成薄膜晶体管（TFT）和电容器并由电容器维持电压的方法进行驱动，因而可以实现大尺寸、高分辨率面板，是当前研究的重点及未来显示技术的发展方向。
AMOLED根据发光的方式可分为背面发光方式和全面发光方式两种。全面发光方式对开口率没有限制，因此不会出现开口率的问题，但是其制作单价很高。因此，很多公司为了解决制作单价的问题，正在开发背面发光式的AMOLED显示装置。背面发光虽然有开发单价低的优点，但是开口率低，面板的品质不好。因此，开发者为了提高开口率，尽了很多努力。
AMOLED的基本像素电路结构是利用图1所示的2TFT1CAP结构，构成面板，基本像素电路具体由2个晶体管和由1个电容C1组成，所述的两个晶体管一个是驱动晶体管，用于根据数据信号的驱动有机发光原件D1发光，另一个是开关晶体管，用于打开和关闭数据信号写入存储电容的通路。在有机发光元件D1上连接驱动用薄膜晶体管，提供发光的电流；另外，驱动用薄膜晶体管的电流量由通过开关薄膜晶体管输入的DATA电压来控制，此时电容C1连接在驱动薄膜晶体管的源极和栅极之间用于在预定时间内维持所施加电压，开关薄膜晶体管的栅极和源极分别和扫描线和数据线连接。细看图1的动作，会发现开关薄膜晶体管根据开关薄膜晶体管的栅极上输入的信号而动作的话，数据电压信号通过数据线输入在驱动用薄膜晶体管的栅极上。输入在栅极的数据电压通过驱动用薄膜晶体管，有机发光元件上有电流流动，使其发光，有机发光元件根据注入的电流的大小，散发光。
在现有的技术中，设计AMOLED的像素电路时使用数据金属排线DATA和栅极金属排线构成电容，所述现有技术形成的存储电容将会占用较大的面板面积，使面板的开口率受到限制。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有AMOLED像素结构中使用数据金属排线和栅极金属排线构成电容会占用较大的面板空间使制造的AMOLED面板的开口率受到限制的问题，提出了一种AMOLED像素结构。
本实用新型的技术方案是：一种AMOLED像素电容，包括第一电极板和第二电极板，其特征在于，所述第一电极板为阴极金属层，第二电极板为ITO电极层。
所述ITO电极层通过导通孔（VIA hole）与一金属层（Metal）连接。
所述ITO电极层上依次覆盖有保护层（bank）、有机材料层（OLED）和阴极金属层（Metalcathode），所述阴极金属层作为所述AMOLED像素电容的第一电极板。
本实用新型的有益效果：本实用新型通过使用阴极金属层和ITO电极层作为存储电容的两电极，使构的像素结构的开口率得到改善，同时也改善了显示装置的寿命，还能提高面板的色彩的纯度。
附图说明
图1为现有的AMOLED的2T1C像素电路的原理图。
图2为本实用新型的AMOLED的像素结构图。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例对本实用新型作进一步的阐述。
本实用新型的目的是提供一种开口率更高的AMOLED像素结构。
如图2所示为本实施例的一种AMOLED像素电容，包括第一电极板和第二电极板，其特征在于，所述第一电极板为阴极金属层，第二电极板为ITO电极层。
所述ITO电极层通过导通孔VIA hole与一金属层Metal连接。
所述ITO电极层上依次覆盖有保护层bank、有机材料层OLED和阴极金属层Metal cathode，所述阴极金属层作为所述AMOLED像素电容的第一电极板。
本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本实用新型的原理，应被理解为本实用新型的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本实用新型公开的这些技术启示做出各种不脱离本实用新型实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本实用新型的保护范围内。

Claims (3)

1.一种AMOLED像素电容，包括第一电极板和第二电极板，其特征在于，所述第一电极板为阴极金属层，第二电极板为ITO电极层。
2.根据权利要求1所述的一种AMOLED像素电容，所述ITO电极层通过导通孔与一金属层连接。
3.根据权利要求1所述的一种AMOLED像素电容，所述ITO电极层上依次覆盖有保护层、有机材料层和阴极金属层，所述阴极金属层作为所述AMOLED像素电容的第一电极板。
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