CN202889681U - 电磁感应加热装置的控制电路 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种电磁感应加热装置的控制电路,该电磁感应加热装置的控制电路包括电磁感应加热模块、驱动模块和IGBT控制模块。所述电磁感应加热模块包括绝缘栅双极型晶体管IGBT;所述IGBT控制模块输出控制信号;所述驱动模块分别与所述电磁感应加热模块和所述IGBT控制模块相连,所述驱动模块和所述IGBT控制模块共用同一电源,所述驱动模块根据所述控制信号输出驱动信号以控制所述IGBT导通和关断。该电磁感应加热装置的控制电路在工作时能够大大提高IGBT驱动的抗干扰能力,并且电路结构简单。

Description

电磁感应加热装置的控制电路
技术领域
本实用新型涉及电磁炉技术领域,特别涉及一种电磁感应加热装置的控制电路。
背景技术
现有电磁感应加热装置通常都用IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)控制电磁感应线圈进行加热工作。而IGBT的驱动电路一般采用电压型驱动电路,并且IGBT驱动模块和IGBT控制模块中控制芯片单元的电源不关联。
现有技术存在的缺点是:(1)采用电压型驱动电路,只要电压达到IGBT的开通电压IGBT就会导通,因此抗干扰能力差,并且不能对IGBT形成有效地保护;(2)IGBT控制模块中控制芯片单元与驱动模块的电源不关联,IGBT会受到控制模块的电压波动影响,IGBT的抗干扰能力进一步收到影响而变差。
实用新型内容
本实用新型的目的旨在至少解决上述的技术问题之一。
为解决上述问题之一,需要提供一种电磁感应加热装置的控制电路,该电磁感应加热装置的控制电路能够大大提高IGBT驱动的抗干扰能力。
为此,本实用新型提出了一种电磁感应加热装置的控制电路,其包括:电磁感应加热模块,所述电磁感应加热模块包括绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT控制模块,所述IGBT控制模块输出控制信号;以及驱动模块,所述驱动模块分别与所述电磁感应加热模块和所述IGBT控制模块相连,所述驱动模块和所述IGBT控制模块共用同一电源,所述驱动模块根据所述控制信号输出驱动信号以控制所述IGBT导通和关断。
根据本实用新型提出的电磁感应加热装置的控制电路,其驱动部分采用电流型驱动电路代替电压型驱动电路,大大提升了IGBT驱动的抗干扰能力,且能有效保护IGBT不受损坏。此外,通过IGBT控制模块和驱动模块共用一个电源,避免了因驱动模块的电压波动而影响IGBT,又进一步提高了IGBT的抗干扰能力。
并且,所述驱动模块进一步包括:共射极驱动放大单元,所述共射极驱动放大单元根据所述控制信号生成电流信号;以及IGBT驱动推挽单元,所述IGBT驱动推挽单元分别与所述共射极驱动放大单元和所述电磁感应加热模块相连,所述IGBT驱动推挽单元根据所述电流信号转换为所述驱动信号。
其中,所述的电磁感应加热装置的控制电路还包括:驱动保护模块,所述驱动保护模块分别与所述驱动模块和所述电磁感应加热模块相连,用于保护所述IGBT正常工作,防止所述IGBT开关速度过快或误导通,有效地保护IGBT不受损坏,延长IGBT的使用寿命。
进一步地,所述驱动保护模块包括:第一缓冲单元,所述第一缓冲单元控制所述IGBT慢开快关。
第一缓冲单元能对IGBT的驱动电压起到缓冲作用,在IGBT关断时使IGBT基极快速放电,从而达到控制IGBT慢开快关的作用。
并且,所述驱动保护模块进一步还可以包括:第二缓冲单元,所述第二缓冲单元防止所述IGBT的驱动电压变化过快,能在高压时有效保护IGBT不受损坏。
具体地,所述共射极驱动放大单元进一步包括:第一电阻,所述第一电阻的一端与所述电源相连;第一NPN三极管,所述第一NPN三极管的基极与所述第一电阻的另一端相连;第二电阻,所述第二电阻的一端与所述第一NPN三极管的集电极相连,所述第二电阻的另一端接第二电源;第三电阻,所述第三电阻的一端与所述第一NPN三极管的发射极相连,所述第三电阻的另一端与所述IGBT控制模块相连;以及第四电阻,所述第四电阻的一端分别与所述IGBT控制模块和所述第三电阻的另一端相连。
一方面,所述IGBT驱动推挽单元进一步包括:第一PNP三极管,所述第一PNP三极管的基极与所述第一NPN三极管的集电极相连,所述第一PNP三极管的发射极接所述第二电源;第五电阻,所述第五电阻的一端与所述第一PNP三极管的集电极相连;第六电阻,所述第六电阻的一端与所述第五电阻的另一端相连;以及第二NPN三极管,所述第二NPN三极管的基极与所述第四电阻的另一端相连,所述第二NPN三极管的集电极与所述第六电阻的另一端相连,所述第二NPN三极管的发射极接地。
另一方面,所述IGBT驱动推挽单元进一步包括:第一PNP三极管,所述第一PNP三极管的基极与所述第一NPN三极管的集电极相连,所述第一PNP三极管的发射极接所述第二电源;第五电阻,所述第五电阻的一端与所述第一PNP三极管的集电极相连;第六电阻,所述第六电阻的一端与所述第五电阻的另一端相连,所述第六电阻的另一端与所述IGBT的门极相连;以及第二NPN三极管,所述第二NPN三极管的基极与所述第四电阻的另一端相连,所述第二NPN三极管的集电极分别与所述第五电阻的另一端和第六电阻的一端相连,所述第二NPN三极管的发射极接地。
并且,所述驱动保护模块进一步包括:并联连接的第二电容、稳压二极管和第七电阻,所述第二电容的一端、所述稳压二极管的正向端和所述第七电阻的一端分别接地,所述第二电容的另一端、所述稳压二极管的负向端和所述第七电阻的另一端分别与所述IGBT的门极相连。
其中,所述第一缓冲单元进一步包括:第一快恢复二极管,所述第一快恢复二极管的正向端分别与所述第六电阻的另一端和所述IGBT的门极相连;第八电阻,所述第八电阻的一端与所述第一快恢复二极管的负向端相连,所述第八电阻的另一端接地;以及第三电容,所述第三电容与所述第八电阻并联连接。
或者,所述第二缓冲单元进一步包括:至少一个第二快恢复二极管,所述至少一个第二快恢复二极管中的一个的负向端与所述IGBT的集电极相连;以及并联连接的第三快恢复二极管、第四电容和第九电阻,所述第三快恢复二极管的正向端、第四电容的一端和第九电阻的一端分别与所述至少一个第二快恢复二极管中的另一个的正向端相连,所述第三快恢复二极管的负向端、第四电容的另一端和第九电阻的另一端分别与所述IGBT的门极相连。
本实用新型附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
本实用新型上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1为根据本实用新型实施例的电磁感应加热装置的控制电路的结构示意图;
图2为根据本实用新型第一实施例的电磁感应加热装置的控制电路的电路原理图;
图3为根据本实用新型第二实施例的电磁感应加热装置的控制电路的电路原理图;
图4为根据本实用新型第三实施例的电磁感应加热装置的控制电路的电路原理图;以及
图5为根据本实用新型第四实施例的电磁感应加热装置的控制电路的电路原理图。
附图标记:
电磁感应加热模块101、驱动模块102和IGBT控制模块103,IGBT(Insulated GateBipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)、IGBT驱动推挽单元104和共射极驱动放大单元105,驱动保护模块106、谐振单元107、第一缓冲单元401和第二缓冲单元501。
第一电阻R10、第一NPN三极管Q10、第二电阻R11、第三电阻R12和第四电阻R13,电源VCC和第二电源VDD(即IGBT的驱动电源),第一PNP三极管Q20、第五电阻R21、第六电阻R20和第二NPN三极管Q21,第一电容C40和电磁感应线圈L40,第二电容C30、稳压二极管DW30和第七电阻R30,第一快恢复二极管D30、第八电阻R31和第三电容C31,第二快恢复二极管D31以及第三快恢复二极管D32、第四电容C32和第九电阻R32。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本实用新型,而不能解释为对本实用新型的限制。
下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本实用新型的不同结构。为了简化本实用新型的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本实用新型。此外,本实用新型可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外,本实用新型提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。另外,以下描述的第一特征在第二特征之“上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例,也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例,这样第一和第二特征可能不是直接接触。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,除非另有规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是机械连接或电连接,也可以是两个元件内部的连通,可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
参照下面的描述和附图,将清楚本实用新型的实施例的这些和其他方面。在这些描述和附图中,具体公开了本实用新型的实施例中的一些特定实施方式,来表示实施本实用新型的实施例的原理的一些方式,但是应当理解,本实用新型的实施例的范围不受此限制。相反,本实用新型的实施例包括落入所附加权利要求书的精神和内涵范围内的所有变化、修改和等同物。
下面参照附图来描述根据本实用新型第一方面的实施例提出的电磁感应加热装置的控制电路。
如图1所示,该电磁感应加热装置的控制电路包括电磁感应加热模块101、驱动模块102和IGBT控制模块103。
其中,电磁感应加热模块101包括绝缘栅双极型晶体管IGBT。IGBT控制模块103输出控制信号。驱动模块102分别与电磁感应加热模块101和IGBT控制模块103相连,并且驱动模块102和IGBT控制模块103共用同一电源VCC,驱动模块102根据IGBT控制模块103输出的控制信号输出驱动信号以控制IGBT导通和关断。
进一步地,在本实施例中,如图1所示,驱动模块102还包括IGBT驱动推挽单元104和共射极驱动放大单元105。其中,共射极驱动放大单元105根据IGBT控制模块103输出的控制信号生成电流信号,并且IGBT驱动推挽单元104分别与共射极驱动放大单元105和电磁感应加热模块101相连,IGBT驱动推挽单元104根据上述电流信号转换为驱动信号,并根据该驱动信号控制IGBT导通和关断。
也就是说,通过驱动模块102和IGBT控制模块103实现了通过控制电流来控制IGBT导通或关断,即通过采用电流型驱动电路替代电压型驱动电路。电流型驱动电路只有电路中持续有足够大的电流时IGBT才会开通,而电压型驱动电路中只要电压达到IGBT的开通电压IGBT就会开通,电压型驱动电路容易使IGBT在电流小的情况下出现误导通,故电流型驱动电路比电压型驱动电路抗干扰能力强,能有效保护IGBT不受损坏。
同时,IGBT控制模块103和共射极驱动放大单元105共用同一电源,即图2中的VCC,该电源VCC为控制芯片单元的电源。IGBT控制模块103和共射极驱动放大单元105共用一个控制单元的电源,能够使IGBT不会受到驱动模块102电压波动的影响,有利于进一步提高IGBT的抗干扰能力。
此外,在本实施例中,如图1所示,上述电磁感应加热装置的控制电路还包括驱动保护模块106,驱动保护模块106分别与驱动模块102和电磁感应加热模块101相连,用于保护IGBT正常工作,防止IGBT开关速度过快或误导通,有效地保护IGBT不受损坏,延长IGBT的使用寿命。。
根据本实用新型提出的电磁感应加热装置的控制电路,采用电流型驱动电路代替电压型驱动电路,大大提升了IGBT驱动的抗干扰能力,且能有效保护IGBT不受损坏。此外,通过IGBT控制模块103和共射极驱动放大单元105共用一个电源,避免了因驱动模块102的电压波动而影响IGBT,又进一步提高了IGBT的抗干扰能力。
进一步地,在本实用新型的第一实施例中,如图2所示,共射极驱动放大单元105包括第一电阻R10、第一NPN三极管Q10、第二电阻R11、第三电阻R12和第四电阻R13。
其中,第一电阻R10的一端与电源VCC相连,电源VCC是共射极驱动放大单元105和IGBT控制模块103的共用电源。第一NPN三极管Q10的基极与第一电阻R10的另一端相连,第二电阻R11的一端分别与第一NPN三极管Q10的集电极和IGBT驱动推挽单元104相连,第二电阻R11的另一端接第二电源VDD(即IGBT的驱动电源)。第三电阻R12的一端与第一NPN三极管Q10的发射极相连,第三电阻R12的另一端与IGBT控制模块103相连,IGBT控制模块103用于输出高低电平的控制信号。第四电阻R13的一端分别与IGBT控制模块103和第三电阻R12的另一端相连。
在本实施例中,如图2所示,IGBT驱动推挽单元104进一步包括第一PNP三极管Q20、第五电阻R21、第六电阻R20和第二NPN三极管Q21。第一PNP三极管Q20、第五电阻R21、第六电阻R20和第二NPN三极管Q21组成驱动推挽电路。
其中,第一PNP三极管Q20的基极与第一NPN三极管Q10的集电极相连,第一PNP三极管Q20的发射极接第二电源VDD,第五电阻R21的一端与第一PNP三极管Q20的集电极相连,第六电阻R20的一端与第五电阻R21的另一端相连。第二NPN三极管Q21的基极与第四电阻R13的另一端相连,第二NPN三极管Q21的集电极与第六电阻R20的另一端相连,第二NPN三极管Q21的发射极接地。
并且,在本实施例中,如图2所示,电磁感应加热模块101除了包括IGBT之外,还包括谐振单元107。而谐振单元107包括并联的第一电容C40和电磁感应线圈L40,电磁感应线圈L40即该电磁感应加热装置中的加热线圈。其中,并联的第一电容C40和电磁感应线圈L40的一端与IGBT的集电极相连,并联的第一电容C40和电磁感应线圈L40的另一端输出直流电压VDC,并且IGBT的发射极接地,IGBT的门极与IGBT驱动推挽单元104中的第五电阻R21和第六电阻R20之间的节点相连。
在本实用新型的第二实施例中,如图3所示,IGBT驱动推挽单元104同样包括第一PNP三极管Q20、第五电阻R21、第六电阻R20和第二NPN三极管Q21。第一PNP三极管Q20、第五电阻R21、第六电阻R20和第二NPN三极管Q21组成驱动推挽电路。其中,第一PNP三极管Q20的基极与第一NPN三极管Q10的集电极相连,第一PNP三极管Q20的发射极接第二电源VDD,第五电阻R21的一端与第一PNP三极管Q20的集电极相连,第六电阻R20的一端与第五电阻R21的另一端相连,第六电阻的另一端与IGBT的门极G相连。第二NPN三极管Q21的基极与第四电阻R13的另一端相连,第二NPN三极管Q21的集电极分别与第五电阻R21的另一端和第六电阻R20的一端相连,第二NPN三极管Q21的发射极接地。
综上所述,本实用新型实施例提出的电磁感应加热装置的控制电路的工作原理是:首先,电源VCC和IGBT控制模块103为同一电源系统,即共射极驱动放大单元105与IGBT控制模块103共用一个控制单元的电源,从而使IGBT不会受到信号控制部分的驱动模块102的电压波动的影响,进一步地提高了IGBT的抗干扰能力。该电磁感应加热装置的控制电路的关键在于IGBT的驱动信号是由电流控制的。即言,当IGBT控制模块103输出为低电平时第二NPN三极管Q21的基极电压被拉低而截止导通,第一NPN三极管Q10由于基极电压为VCC,则第一NPN三极管Q10的发射极电压维持在VCC-0.7V的大小不变,只是电流发生变化。那么,流过第三电阻R12的电流为
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则第一PNP三极管Q20的发射极和基极电压为Vbe=Ice×R11,当电压Vbe大于第一PNP三极管Q20的开通电压时,第二电源VDD通过第一PNP三极管Q20和第五电阻R21(如图2所示)或者通过第一PNP三极管Q20和第五电阻R21、第六电阻R20(如图3所示)给IGBT的门极G供电使IGBT导通。当IGBT控制模块103输出为高电平或者IGBT控制模块103无输出高电平能力为开路状态时,第二NPN三极管Q21的基极电压大于其导通电压,因而第二NPN三极管Q21导通,IGBT的门极G的电压电流流经第六电阻R20,后使得IGBT的电压被第二NPN三极管Q21拉低而导致IGBT关断,而此时第三电阻R12中的电流Ice很小,第一PNP三极管Q20的射极和基极的电压Vbe无法使第一PNP三极管Q20导通。
因此,针对图2和图3,两个实施例的区别在于第六电阻R20的连接方式不同,而在图2所示的第一实施例与图3所示的第二实施例相比,对第六电阻R20的功率要求较低,更便于选择更多适用的电阻,因为在实施例二中,不管在IGBT导通或关断过程中,第六电阻R20均处于工作状态。
此外,如图2和图3所示,本实用新型的电磁感应加热装置的控制电路中的驱动保护模块106进一步包括并联连接的第二电容C30、稳压二极管DW30和第七电阻R30。第二电容C30的一端、稳压二极管DW30的正向端和第七电阻R30的一端分别接地,第二电容C30的另一端、稳压二极管DW30的负向端和第七电阻R30的另一端分别与IGBT的门极G相连。
其中稳压二极管DW30是为了防止IGBT的Vge电压高于IGBT的容限而损坏IGBT,第二电容C30是防止Vge电压突变的一个自举电容,同时在IGBT导通和关断时起缓冲作用以防止IGBT开关速度过快或误导通。第七电阻R30用于调节IGBT关断速度。所以说,驱动保护模块106起到了保护IGBT的作用。
在本实用新型的第三实施例中,如图4所示,驱动保护模块106还进一步包括第一缓冲单元401。具体地,第一缓冲单元401包括第一快恢复二极管D30、第八电阻R31和第三电容C31。
其中,第一快恢复二极管D30的正向端分别与第六电阻R20的另一端和IGBT的门极G相连,第一快恢复二极管D30的负向端与第八电阻R31的一端相连,第八电阻R31的另一端接地,而第三电容C31与第八电阻R31并联连接。
因此,第一缓冲单元401能对IGBT的驱动电压起缓冲作用,在IGBT关断时使IGBT的基极快速放电,达到控制IGBT的慢开快关的作用。
在本实用新型的第四实施例中,如图5所示,驱动保护模块106还可以包括第二缓冲单元501。具体地,第二缓冲单元501包括第二快恢复二极管D31以及并联连接的第三快恢复二极管D32、第四电容C32和第九电阻R32。
其中,第二快恢复二极管D31的负向端与IGBT的集电极C相连,第三快恢复二极管D32的正向端、第四电容C32的一端和第九电阻R32的一端分别与第二快恢复二极管D31的正向端相连,第三快恢复二极管D32的负向端、第四电容C32的另一端和第九电阻R32的另一端分别与IGBT的门极G相连。当然,需要说明的,第二快恢复二极管D31可以用若干只其他快速恢复二极管串联代替,也就是说,在本实施例中,第二快恢复二极管D31可以为多个快恢复二极管,并且多个快恢复二极管串联连接。
因此,第二缓冲单元501在IGBT导通后IGBT的集电极C极的电压低于门极G极的电压时,第二缓冲单元501中的第二快恢复二极管D31起反向截止作用,有效地防止高压把电路损坏,起到隔离作用。第四电容C32起防止IGBT的集电极C极的电压下降过快而把IGBT的门极G极的电压略微拉低,以减速门极G极的电压上升的速度。第九电阻R32和第三快恢复二极管D32把第四电容C32中的电能消耗,防止IGBT的驱动电压即门极G极的电压出现振荡,能在高压时有效保护IGBT不受损坏。
根据本实用新型的电磁感应加热装置的控制电路,其采用电流型驱动电路代替电压型驱动电路,即通过驱动模块102的控制达到了使用电流型驱动电路替代电压型驱动电路的目的,大大提升了IGBT驱动的抗干扰能力。并且,驱动保护模块106能有效保护IGBT不受损坏,以及驱动保护模块106中的缓冲单元起到缓冲作用,有效地控制IGBT的导通和关断。此外,通过IGBT控制模块和共射极驱动放大单元共用一个电源,避免了因信号控制部分的驱动模块的电压波动而影响IGBT,又进一步提高了IGBT的抗干扰能力。最后,该电磁感应加热装置控制电路的电路结构简单,性能稳定可靠,成本低。
本实用新型第二方面的实施例还提出了一种电磁感应加热装置,该电磁炉包括本实用新型第一方面提出的电磁感应加热装置的控制电路。当然,该电磁感应加热装置可以应用在电磁炉、电饭煲等采用电磁加热的厨房电器中,所以说,具有上述控制电路的电磁感应加热装置控制方式简单可靠,性能稳定,实用性强。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同限定。

Claims (11)

1.一种电磁感应加热装置的控制电路,其特征在于,包括:
电磁感应加热模块,所述电磁感应加热模块包括绝缘栅双极型晶体管IGBT;
IGBT控制模块,所述IGBT控制模块输出控制信号;以及
驱动模块,所述驱动模块分别与所述电磁感应加热模块和所述IGBT控制模块相连,所述驱动模块和所述IGBT控制模块共用同一电源,所述驱动模块根据所述控制信号输出驱动信号以控制所述IGBT导通和关断。
2.如权利要求1所述的电磁感应加热装置的控制电路,其特征在于,所述驱动模块进一步包括:
共射极驱动放大单元,所述共射极驱动放大单元和所述IGBT控制模块共用连接电源VCC,所述共射极驱动放大单元根据所述控制信号生成电流信号;以及
IGBT驱动推挽单元,所述IGBT驱动推挽单元分别与所述共射极驱动放大单元和所述电磁感应加热模块相连,所述IGBT驱动推挽单元根据所述电流信号转换为所述驱动信号。
3.如权利要求1所述的电磁感应加热装置的控制电路,其特征在于,还包括:
驱动保护模块,所述驱动保护模块分别与所述驱动模块和所述电磁感应加热模块相连,用于保护所述IGBT正常工作。
4.如权利要求3所述的电磁感应加热装置的控制电路,其特征在于,所述驱动保护模块进一步包括:
第一缓冲单元,所述第一缓冲单元控制所述IGBT慢开快关。
5.如权利要求3所述的电磁感应加热装置的控制电路,其特征在于,所述驱动保护模块进一步包括:
第二缓冲单元,所述第二缓冲单元防止所述IGBT的驱动电压变化过快。
6.如权利要求2所述的电磁感应加热装置的控制电路,其特征在于,所述共射极驱动放大单元进一步包括:
第一电阻,所述第一电阻的一端与所述电源相连;
第一NPN三极管,所述第一NPN三极管的基极与所述第一电阻的另一端相连;
第二电阻,所述第二电阻的一端与所述第一NPN三极管的集电极相连,所述第二电阻的另一端接第二电源;
第三电阻,所述第三电阻的一端与所述第一NPN三极管的发射极相连,所述第三电阻的另一端与所述IGBT控制模块相连;以及
第四电阻,所述第四电阻的一端分别与所述IGBT控制模块和所述第三电阻的另一端相连。
7.如权利要求6所述的电磁感应加热装置的控制电路,其特征在于,所述IGBT驱动推挽单元进一步包括:
第一PNP三极管,所述第一PNP三极管的基极与所述第一NPN三极管的集电极相连,所述第一PNP三极管的发射极接所述第二电源;
第五电阻,所述第五电阻的一端与所述第一PNP三极管的集电极相连;
第六电阻,所述第六电阻的一端与所述第五电阻的另一端相连;以及
第二NPN三极管,所述第二NPN三极管的基极与所述第四电阻的另一端相连,所述第二NPN三极管的集电极与所述第六电阻的另一端相连,所述第二NPN三极管的发射极接地。
8.如权利要求6所述的电磁感应加热装置的控制电路,其特征在于,所述IGBT驱动推挽单元进一步包括:
第一PNP三极管,所述第一PNP三极管的基极与所述第一NPN三极管的集电极相连,所述第一PNP三极管的发射极接所述第二电源;
第五电阻,所述第五电阻的一端与所述第一PNP三极管的集电极相连;
第六电阻,所述第六电阻的一端与所述第五电阻的另一端相连,所述第六电阻的另一端与所述IGBT的门极相连;以及
第二NPN三极管,所述第二NPN三极管的基极与所述第四电阻的另一端相连,所述第二NPN三极管的集电极分别与所述第五电阻的另一端和第六电阻的一端相连,所述第二NPN三极管的发射极接地。
9.如权利要求3所述的电磁感应加热装置的控制电路,其特征在于,所述驱动保护模块进一步包括:
并联连接的第二电容、稳压二极管和第七电阻,所述第二电容的一端、所述稳压二极管的正向端和所述第七电阻的一端分别接地,所述第二电容的另一端、所述稳压二极管的负向端和所述第七电阻的另一端分别与所述IGBT的门极相连。
10.如权利要求4所述的电磁感应加热装置的控制电路,其特征在于,所述第一缓冲单元进一步包括:
第一快恢复二极管,所述第一快恢复二极管的正向端分别与所述第六电阻的另一端和所述IGBT的门极相连;
第八电阻,所述第八电阻的一端与所述第一快恢复二极管的负向端相连,所述第八电阻的另一端接地;以及
第三电容,所述第三电容与所述第八电阻并联连接。
11.如权利要求5所述的电磁感应加热装置的控制电路,其特征在于,所述第二缓冲单元进一步包括:
至少一个第二快恢复二极管,所述至少一个第二快恢复二极管中的一个的负向端与所述IGBT的集电极相连;以及
并联连接的第三快恢复二极管、第四电容和第九电阻,所述第三快恢复二极管的正向端、第四电容的一端和第九电阻的一端分别与所述至少一个第二快恢复二极管中的另一个的正向端相连,所述第三快恢复二极管的负向端、第四电容的另一端和第九电阻的另一端分别与所述IGBT的门极相连。
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