CN202798740U - Ku-BAND双本振单路输出低噪声降频器 - Google Patents

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CN202798740U CN201220418328.1U CN201220418328U CN202798740U CN 202798740 U CN202798740 U CN 202798740U CN 201220418328 U CN201220418328 U CN 201220418328U CN 202798740 U CN202798740 U CN 202798740U
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宋迪龙
张建霞
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Abstract

本实用新型涉及一种Ku-BAND双本振单路输出低噪声降频器,属于卫星直播信号处理传输装置。本实用新型的水平(H)和垂直(V)极化射频信号通过分别由两个同波长耦合探针耦合至PCB电路中,水平(H)/垂直(V)极化射频信号分别经过一级高放,再合并通过第二级公共高放,后级的混频、本振及中放电路是一片集成芯片3560IC连接成锁相环;集成芯片3560IC连接有27MHz的晶体振荡器。所以本实用新型可以省掉“U”型带通滤波器电路。提高产品相位噪声,同时相应PCB板设计可以减少很大的空间。

Description

Ku-BAND双本振单路输出低噪声降频器
技术领域
本实用新型涉及一种卫星直播信号处理传输装置,具体地说涉及一种Ku-BAND双本振单路输出低噪声降频器。
背景技术
目前国内卫星直播信号,主要为线极化C-BAND信号。但是国外的卫星直播信号主要是线极化Ku-BAND信号,国内已经发射的中9号直播星,是以圆极化Ku-BAND波束发射的。国家现在正在实行卫星电视村村通工程,所以可以肯定的说Ku-BAND降频器未来的发展前景不可限量。
现在市面上常规Ku-BAND降频器产品的信号流程是:水平(H)和垂直(V)极化射频信号通过分别由两个同波长耦合探针耦合至PCB电路中,H/V极化分别经过一级高放,再通过第二级公共高放,经“U”型带通滤波器,双本振混频,低通滤波器,最后采用两级中放。为了给第一级和第二次高放提供偏置电压。该产品当中要增加偏置控制芯片L3211IC还有控制选取LOW/Hi波段工作的功能。这样就增大了PCB的设计空间。为了选取需要的RF信号:10.7-12.75GHz,该产品采用了“U”型带通滤波器滤掉不需要的杂波信号。这样的滤波器要求制板工艺非常高,而且产品一致性不太好。杂波信号也没有办法完全滤掉。同时没有滤掉的杂波信号和需要RF信号混一样与本振混频。及容易生产自激现象。差频信号要通过低通滤波器后才是IF信号:950-2150MHz。采用低通滤波器目的有两个,一是抑制高频通过,二是滤掉多余的杂波信号。最后采用两级中放。主要目的是增强中频信号的增益,最后用F型母接头输出中频信号。这样的方案要求设计从业人员具有多年工作经验,需要设计的相当精细才能产出一款比较好的产品。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是:弥补现有技术的不足,提出一种Ku-BAND双本振单路输出低噪声降频器,采用集成芯片3560IC整合了混频、本振及中放电路。同时集成块里也集成镜相抑制电路。所以可以省掉“U”型带通滤波器电路。提高产品相位噪声,同时相应PCB板设计可以减少很大的空间。
为了解决上述问题,本实用新型的技术方案是:一种Ku-BAND双本振单路输出低噪声降频器,水平和垂直极化射频信号通过分别由两个同波长耦合探针耦合至PCB电路中,水平/垂直极化射频信号分别经过一级高放,再合并通过第二级公共高放,其特征在于:后级的混频、本振及中放电路是一片集成芯片3560IC连接成锁相环;集成芯片3560IC连接有27MHz的晶体振荡器。
与现有技术比较:本实用新型采用集成芯片3560IC锁相环电路加27MHZ倍频技术,节省了射频偏置电压及0/22K脉冲信号控制切换L3211IC,整合了混频、本振和中频电路,同时也集成了镜相抑制电路。所以节省了“U”型带通滤波器电路,芯片还具有抑制杂波信号功能。由IF PUTOUT端口输出的就是IF信号:950-2150MHz。最后用F型母接头输出中频信号。通过以上方案设计降低了卫星接收的成本,惠及普通老百姓,在一定程度上推动了卫星直播电视事业产业化发展。此方案设计最主要的特点还有:
(1)提高了产品相位噪声:-70dBc/1KHz、-90dBc/10KHz、-105dBc/100KHz。常规产品的相位噪声是:-50dBc/1KHz、-70dBc/10KHz、-90dBc/100KHz。
(2)提高LO频率稳定度:±300KHz  25oC(室温)±500KHz  -40oC~ +60OC。常规产品的LO频率稳定度:±1MHz  25oC(室温)±3MHz  -40oC~ +60OC。
(3)降低了产品的噪声系数:0.5dB(Typ),1.0dB(max),常规产品的噪声系数:0.7dB(Typ),1.5dB(max)。
(4)提高产品的增益:60dB(TYP) 25OC 55dB(min),常规产品的增益:55dB(TYP) 25OC 50dB(min)。
(5)提高产品的设计成功率及宿短了开发周期,同时也提高产品技术指标和稳定度。
(6)PCB板设计可以减少很大的空间。金属机壳结构件也得到最大空间的改小,体积小,于同类产品相比可节省1/3的尺寸,减轻了机壳的重量。提升了产品结构。大大降低了降频器的整套成本。
附图说明
图1为本实用新型的结构图。
具体实施方式
以下结合附图1,用具体的实施方式将对本实用新型做详细描述:
一种Ku-BAND双本振单路输出低噪声降频器,水平(H)和垂直(V)极化射频信号通过分别由两个同波长耦合探针耦合至PCB电路中,水平(H)和垂直(V)极化射频信号分别经过一级高放,再通过第二级公共高放,后级的混频、本振及中放电路是采用27MHz倍频加集成芯片3560IC锁相环技术产生;本地振荡频率是9.75GHz/10.6GHz,用“0/22K”脉冲信号识别和控制本振电路工作;同时集成芯片里也集成镜相抑制电路;上述一级高放中的水平极化(H)和垂直极化(V)单独高放不同时工作,是通过输入偏置工作电压13V/18V控制切换;即输入偏置工作电压18V,则水平极化(H) 工作,输入偏置工作电压13V,垂直极化(V) 工作。
本实用新型的产品的信号流程是:水平(H)和垂直(V)极化射频信号通过分别由两个同波长耦合探针耦合至PCB电路中,H/V极化分别经过第一级高放,再通过第二级公共高放。所有RF信号都进行了两级低噪声放大处理,直接输入集成芯片3560IC锁相环电路。芯片加27MHz晶振倍频电路自动产生本地振荡频率:9.75GHz和10.6GHz. 由于芯片不同时提供了第一级水平极化高放管(H)和垂直极化高放管(V)的偏置工作电压,从而控制了水平(H)和垂直(V)极化射频信号切换。另外由于芯片里自带有镱相抑制电路.自动选取我们需要的RF信号:10.7-12.75GHz。所以在射频电路节省带通滤波器设计。杂波信号得到有效的抑制掉了。本芯片还有识别和控制“0/22K”脉冲信号功能用于控制选取LOW/Hi波段工作状况,当有“0”脉冲信号时,是9.75GHZ本振电路工作,当有“22K”脉冲信号时,是10.6GHz本振电路工作,这样就防止了差频干扰现象。

Claims (1)

1.一种Ku-BAND双本振单路输出低噪声降频器,水平和垂直极化射频信号通过分别由两个同波长耦合探针耦合至PCB电路中,水平/垂直极化射频信号分别经过一级高放,再合并通过第二级公共高放,其特征在于:后级的混频、本振及中放电路是一片集成芯片3560IC连接成锁相环;集成芯片3560IC连接有27MHz的晶体振荡器。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3163776A1 (en) 2015-11-02 2017-05-03 Unitron NV A low noise block downconverter circuit

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