CN202772252U - 一种高互调耦合器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种高互调耦合器,包括腔体及封闭腔体的凸台盖板,在腔体轴线两端分别设有输入端和输出端,在腔体壁面靠近输出端侧设有耦合端,在腔体内部靠近输入端侧设有吸收负载,输入端和输出端之间采用第一导体连接,耦合端和吸收负载之间采用第二导体连接,且第一导体与第二导体之间相互近距耦合,在耦合端、输入端和输出端上分别设有连接器。其利于信号的传送,在和其他器件一起组建网络时产生的干扰较小,同时采用紧密配合的安装方式,减少了信号泄露,提高了三阶互调性能,且结构为密闭内腔防水防潮。
Description
技术领域
本实用新型是属于电子信息和移动通讯技术领域中的网络优化产品,具体是一种高互调耦合器。
背景技术
随着通信技术二十多年来的高速发展,现有的城市的高楼大厦的通信室内分布系统已有多个运营商布线,例如:移动运营商的GSM网络和DCS网络,联通运营商的CDMA网络,电信运营商的PHS网络,还有现在正在建设中的3G网络等;随着信号的载频越来越多,相应的对器件相互之间的低干扰要求越来越高。现有的普通耦合器存在三阶互调低的严重问题。而高互调耦合器被广泛应用在微波射频领域,用于对信号进行优质传送,避免信号泄露,不影响其他组网设备。故此,如果采用经过适应性改进的高互调耦合器可以很好的解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型为了解决现有的普通耦合器对其他网器件存在干扰的问题,提供一种高互调耦合器。
本实用新型所述的一种高互调耦合器,包括腔体及封闭腔体的凸台盖板,在腔体轴线两端分别设有输入端和输出端,在腔体壁面靠近输出端侧设有耦合端,在腔体内部靠近输入端侧设有吸收负载,输入端和输出端之间采用第一导体连接,耦合端和吸收负载之间采用第二导体连接,且第一导体与第二导体之间相互近距耦合,在耦合端、输入端和输出端上分别设有连接器。
作为改进,所述连接器为挤压式连接器。
进一步的,所述的凸台盖板与腔体紧密配合,并用螺钉把凸台盖板固定在腔体上,凸台盖板的凸台位于腔体内部,凸台盖板与腔体形成一密封内腔。
本实用新型的有益效果是:其利于信号的传送,在和其他器件一起组建网络时产生的干扰较小,同时采用紧密配合的安装方式,减少了信号泄露,提高了三阶互调性能,且结构为密闭内腔防水防潮。
附图说明
图1是本实用新型腔体的内部结构示意图,
图2是本实用新型盖板的侧面结构示意图。
具体实施方式
如图1所示,本实用新型的高互调耦合器,包括腔体4及封闭腔体的凸台盖板 8,在腔体4轴线两端分别设有输入端2和输出端3,在腔体4壁面靠近输出端3侧设有耦合端1,在腔体4内部靠近输入端2侧设有吸收负载7,输入端2和输出端3之间采用第一导体5连接,耦合端1和吸收负载7之间采用第二导体6连接,且第一导体5与第二导体6之间相互近距耦合,吸收负载的作用是吸收第二导体隔离端少量的反射能量。在耦合端1、输入端2和输出端3上分别设有挤压式连接器。挤压式连接器与腔体接触性比非挤压式连接器好,从而避免了信号从连接器泄露的情况。
如图2,凸台盖板8中间出台处高度为6mm,四周高度为2mm。凸台盖板8与腔体4紧密配合,并用螺钉固定;凸台盖板8的凸台位于腔体4内部,凸台盖板8与腔体4形成一密封内腔。
本实用新型使用铝材为主体材料,铜及银为辅助材料。在-25℃到65℃的工作环境下可以保证≤-140dBc的高互调。防水等级可以达到IP65等级。工作年限可以达到大于3年,有利于网络优化。
Claims (3)
1.一种高互调耦合器,其特征在于:包括腔体(4)及封闭腔体的凸台盖板 (8),在腔体(4)轴线两端分别设有输入端(2)和输出端(3),在腔体(4)壁面靠近输出端(3)侧设有耦合端(1),在腔体(4)内部靠近输入端(2)侧设有吸收负载(7),输入端(2)和输出端(3)之间采用第一导体(5)连接,耦合端(1)和吸收负载(7)之间采用第二导体(6)连接,且第一导体(5)与第二导体(6)之间相互近距耦合,在耦合端(1)、输入端(2)和输出端(3)上分别设有连接器。
2.根据权利要求1所述的高互调耦合器,其特征在于:所述连接器为挤压式连接器。
3.根据权利要求1或2所述的高互调耦合器,其特征在于:所述的凸台盖板(8)与腔体(4)紧密配合,并用螺钉把凸台盖板(8)固定在腔体(4)上,凸台盖板(8)的凸台位于腔体(4)内部,凸台盖板(8)与腔体(4)形成一密封内腔。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201220474692.XU CN202772252U (zh) | 2012-09-18 | 2012-09-18 | 一种高互调耦合器 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201220474692.XU CN202772252U (zh) | 2012-09-18 | 2012-09-18 | 一种高互调耦合器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN202772252U true CN202772252U (zh) | 2013-03-06 |
Family
ID=47778802
Family Applications (1)
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CN201220474692.XU Expired - Lifetime CN202772252U (zh) | 2012-09-18 | 2012-09-18 | 一种高互调耦合器 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN202772252U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104022323A (zh) * | 2014-05-19 | 2014-09-03 | 镇江市明基电子有限公司 | 一种低互调的耦合器腔体 |
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2012
- 2012-09-18 CN CN201220474692.XU patent/CN202772252U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN104022323A (zh) * | 2014-05-19 | 2014-09-03 | 镇江市明基电子有限公司 | 一种低互调的耦合器腔体 |
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Legal Events
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C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
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Granted publication date: 20130306 |
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CX01 | Expiry of patent term |