CN202663622U - 一种led驱动芯片中的启动电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型主要公开了一种LED驱动芯片中的启动电路,包括Zener二极管、P型三级管、N型三极管、第一电阻、第二电阻。P型三级管的集电极端通过串接第二电阻接地,其串联点上作为VCC输入端,而P型三级管的发射极作为VCC输出端;P型三级管的发射极端通过第一电阻连接N型三级管的发射极,同时N型三级管的基极连接至VCC输入端,N型三级管的集电极接地;Zener二极管的正极连接在VCC输入端,Zener二极管的负极连接在VCC输出端。本实用新型结构简单,利用Zener二极管作为启动部件,启动稳定,使用效果佳。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED芯片术领域,特别与一种LED驱动芯片中的启动电路有关。
背景技术
LED 照明灯做为新一代的照明产品,自身有非常强的优点:节能、亮度高、高效率、寿命长、环保等,由于 LED 照明等有了这些优点,决定了市场前景的广阔,需求的数量巨大。每一盏 LED 灯必须要配备一个LED驱动电源。其中,对于LED路灯的 LED 驱动电源成本占整个灯具成本的8%—10%;LED民用照明灯的LED驱动电源成本占整个灯具成本的3分之一。
LED驱动芯片的启动电路具有多种多样,现有的启动电路结构复杂,而且启动不稳定。本发明人针对LED驱动做了一番研究,设计出一种LED驱动芯片中的启动电路,本案由此产生。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种LED驱动芯片中的启动电路,结构简单,利用Zener二极管作为启动部件,启动稳定,使用效果佳。
为了达到上述目的,本实用新型通过以下技术方案来实现:
一种LED驱动芯片中的启动电路,包括Zener二极管(齐纳二极管)、P型三级管、N型三极管、第一电阻、第二电阻;P型三级管的集电极端通过串接第二电阻接地,其串联点上作为VCC输入端,而P型三级管的发射极作为VCC输出端;P型三级管的发射极端通过第一电阻连接N型三级管的发射极,同时N型三级管的基极连接至VCC输入端,N型三级管的集电极接地;Zener二极管的正极连接在VCC输入端,Zener二极管的负极连接在VCC输出端。
采用上述技术方案后,本实用新型具有诸多有益效果:
本设计采用Zener二极管作为启动部件,当VCC低于Zener管击穿电压时,无电源供应,此时的电流消耗仅为启动电路部分的漏电流,该漏电流很小,从而实现纳安级启动。只有当VCC电压上升到足以击穿Zener管时,电路才能启动,启动之后该电路会形成一个自偏置的环路,持续给芯片供电。该Zener管的击穿电压就是电路启动电压。本实用新型结构简单,使用稳定,启动效果佳。
附图说明
图1为本实用新型较佳实施例的电路示意图。
具体实施方式
结合附图,对本实用新型较佳实施例做进一步详细说明。
一种LED驱动芯片中的启动电路,包括Zener二极管ZN、P型三级管P0、N型三极管N0、第一电阻R1、第二电阻R2。
P型三级管P0的集电极端通过串接第二电阻R2接地,其串联点上作为VCC输入端VCCin,而P型三级管P0的发射极作为VCC输出端VCC。
P型三级管P0的发射极端通过第一电阻R1连接N型三级管N0的发射极,同时N型三级管N0的基极连接至VCC输入端VCCin,N型三级管N0的集电极接地。Zener二极管ZN的正极连接在VCC输入端VCCin,Zener二极管ZN的负极连接在VCC输出端VCC。
本实用新型工作时,当VCC低于Zener管击穿电压时,无电源供应,此时的电流消耗仅为启动电路部分的漏电流,该漏电流很小,从而实现纳安级启动。只有当VCC电压上升到足以击穿Zener管时,电路才能启动,启动之后该电路会形成一个自偏置的环路,持续给芯片供电。该Zener管的击穿电压就是电路启动电压。
上述实施例仅用于解释说明本实用新型的发明构思,而非对本实用新型权利保护的限定,凡利用此构思对本实用新型进行非实质性的改动,均应落入本实用新型的保护范围。
Claims (1)
1.一种LED驱动芯片中的启动电路,其特征在于:包括Zener二极管、P型三级管、N型三极管、第一电阻、第二电阻;P型三级管的集电极端通过串接第二电阻接地,其串联点上作为VCC输入端,而P型三级管的发射极作为VCC输出端;P型三级管的发射极端通过第一电阻连接N型三级管的发射极,同时N型三级管的基极连接至VCC输入端,N型三级管的集电极接地;Zener二极管的正极连接在VCC输入端,Zener二极管的负极连接在VCC输出端。
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CN102752937A (zh) * | 2012-07-16 | 2012-10-24 | 绍兴文理学院 | 一种led驱动芯片中的启动电路 |
CN107861554A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-03-30 | 西安微电子技术研究所 | 基于抗辐照双极工艺用于宽电源范围的带隙基准启动电路及方法 |
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2012
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CN107861554A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-03-30 | 西安微电子技术研究所 | 基于抗辐照双极工艺用于宽电源范围的带隙基准启动电路及方法 |
CN107861554B (zh) * | 2017-10-26 | 2019-07-12 | 西安微电子技术研究所 | 基于抗辐照双极工艺用于宽电源范围的带隙基准启动电路及方法 |
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GR01 | Patent grant | ||
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Granted publication date: 20130109 Termination date: 20150716 |
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