CN202651325U - X波段薄膜衰减器 - Google Patents

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王艳春
惠鹏飞
尚晓丽
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Abstract

本实用新型公开了一种X波段薄膜衰减器，其由介质基板、薄膜电阻Ra、薄膜电阻Rb、薄膜电阻Rc、金属层、接地孔构成，薄膜电阻Ra、薄膜电阻Rb并排相连，其底部与薄膜电阻Rc相连，三个薄膜电阻连接成T型结构，三个薄膜电阻和介质基板的搭接面构成三个带有金属层，搭接尺寸可调节的微带线宽度跳变区，介质基板背面和接地孔的全部镀有金属层。本实用新型与现有技术相比具有以下优点，这种X波段薄膜衰减器适用的频带宽，在6GHz-18GHz频带范围内衰减平坦度在0.5dB以内，输入、输出端驻波比均小于0.8，匹配良好，结构和制作简单，易于与单片之间进行金丝键合。

Description

X波段薄膜衰减器
技术领域
本实用新型涉及一种X波段薄膜衰减器，该衰减器适用于微波系统中信号传输功率的控制。
背景技术
为了控制信号传输功率的大小，目前微波系统中通常要在系统中接入衰减器，传统的衰减器元件是PIN二极管和GaAs MESFET管，由于这类器件的工作频带较窄而且尺寸较大，使用范围受到限制。为了更好的增加衰减器的频带范围和缩小器件的尺寸，研制新型的薄膜衰减器就显得十分必要。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种X波段薄膜衰减器，该X波段薄膜衰减器具有频带宽、匹配性好、尺寸小的优点。
本实用新型采用以下技术方案：该X波段薄膜衰减器由介质基板、薄膜电阻Ra、薄膜电阻Rb、薄膜电阻Rc、金属层、接地孔构成，薄膜电阻Ra、薄膜电阻Rb并排相连，其底部与薄膜电阻Rc相连，三个薄膜电阻连接成T型结构，三个薄膜电阻和介质基板的搭接面构成三个带有金属层，搭接尺寸可调节的微带线宽度跳变区，介质基板背面和接地孔全部镀有金属层。
三个薄膜电阻的阻值均为50欧姆/方，介质基板可以选用相对介电常数为9.8、厚度为0.6mm的氧化铝。
本实用新型与现有技术相比具有以下优点，这种X波段薄膜衰减器适用的频带宽，在6GHz-18GHz频带范围内衰减平坦度在0.5dB以内，输入、输出端驻波比均小于0.8，匹配良好，结构和制作简单，易于与单片之间进行金丝键合。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步说明。
图1为X波段薄膜衰减器的总体结构图。
图2为X波段薄膜衰减器的等效电路图。
图中标号：
1、介质基板   2、薄膜电阻Ra  3、薄膜电阻Rb  4、薄膜电阻Rc
5、金属层     6、接地孔  7、电抗jXa  8、电抗jXb   9、电抗jXc
10、微带线宽度跳变区    11、输入端口   12、输出端口。
具体实施方式
例1
如图1所示，该X波段薄膜衰减器由介质基板1、薄膜电阻Ra2、薄膜电阻Rb3、薄膜电阻Rc4、金属层5、接地孔6构成，薄膜电阻Ra2、薄膜电阻Rb3并排相连，其底部与薄膜电阻Rc4相连，三个薄膜电阻连接成T型结构，三个薄膜电阻和介质基板1的搭接面构成三个带有金属层5，搭接尺寸可调节的微带线宽度跳变区10，介质基板1背面和接地孔6的全部都镀有金属层5。为了使衰减器工作在6GHz-18GHz的频率范围内，通过调节搭接区微带线的尺寸来实现。
薄膜电阻的阻值均为50欧姆/方，为了满足耐功率要求，介质基板1的材料选用相对介电常数为9.8、厚度为0.6mm的氧化铝。
例2
图2所示的是该X波段薄膜衰减器的等效电路图。其中的薄膜电阻Ra2、薄膜电阻Rb3、薄膜电阻Rc4和其与介质基板1的搭接处产生三个微带线宽度跳变区10，微带线的宽度跳变产生电抗jXa 7、电抗jXb8、电抗jXc9， 三个附加电抗和三个薄膜电阻构成T型电路结构，薄膜电阻Ra2和电抗jXa 7串联，薄膜电阻Rb3和电抗jXb 8串联，薄膜电阻Rc4和电抗jXc 9串联。信号从输入端口11输入，从输出端口12输出，产生一定分贝值的功率衰减，具备宽频带特性。

Claims (3)

1.一种X波段薄膜衰减器，其特征是：该X波段薄膜衰减器由介质基板（1）、薄膜电阻Ra（2）、薄膜电阻Rb（3）、薄膜电阻Rc（4）、金属层（5）、接地孔（6）构成，薄膜电阻Ra（2）、薄膜电阻Rb（3）并排相连，其底部与薄膜电阻Rc（4）相连，三个薄膜电阻连接成T型结构，三个薄膜电阻和介质基板（1）的搭接面构成三个带有金属层（5），搭接尺寸可调节的微带线宽度跳变区（10），介质基板（1）背面和接地孔（6）全部镀有金属层（5）。
2.根据权利要求1所述X波段薄膜衰减器，其特征是：薄膜电阻Ra（2）、薄膜电阻Rb（3）、薄膜电阻Rc（4）阻值均为50欧姆/方。
3.根据权利要求1所述X波段薄膜衰减器，其特征是：介质基板（1）选用相对介电常数为9.8、厚度为0.6mm的氧化铝。
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