CN202643911U - 低碳太阳能单晶硅片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种低碳太阳能单晶硅片。本实用新型硅片本体的四角设为圆弧倒角,硅片本体的最长对角线长度为165mm,圆弧倒角的圆心角为45±10度,圆弧半径为15±0.5mm,硅片本体的边长为125mm±0.5mm,硅片本体的厚度为200μm±20μm,碳含量小于等于4×1016atms/cm3,硅片本体的电阻率范围为1.0-3.0Ω.cm。与现有技术相比,原有单晶硅片的碳含量一般小于等于5×1016atms/cm3,而本实用新型单晶硅片的碳含量小于等于4×1016atms/cm3,由于单晶硅制成的光伏电池的衰减性与单晶硅片的氧碳含量有关,减少硅片的碳含量,对于电池组件的寿命有决定性意义。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种低碳太阳能单晶硅片。
背景技术
随着全世界环境保护意识的高涨,地球升温所造成的自然灾害日益严重,全世界十亿以上住在无电或缺电地区的人口用电量需求日益增长,太阳能电池市场将会继续快速的成长。目前全世界太阳能电池的发电量还不到传统能源发电量的万分之一,其主要是太阳能电池发电的成本是传统能源发电成本的2-3倍。世界光伏组件产量上世纪未10年的平均增长率为20%,从1991年的55瓦增长到2000年的287瓦,而进入2000年以后,全世界光伏组件的年均增长率高达30%以上,2003年全球的产量达到744瓦。光伏产业成为世界上发展最快的新兴行业之一,太阳能电池需球量年均增长率高达30%,可预见其高速增长将持续下去。但现有技术中,高纯度单晶硅片的产品四个圆角磨去,去掉的原料无法回收利用,原料浪费大。
实用新型内容
针对现有技术中存在的问题,本实用新型的目的在于提供一种低碳太阳能单晶硅片的技术方案。
所述的低碳太阳能单晶硅片,包括硅片本体,所述硅片本体的四角设为圆弧倒角。
所述的低碳太阳能单晶硅片,所述圆弧倒角的圆心角为45±10度,圆弧半径为15±0.5mm。
所述的低碳太阳能单晶硅片,所述硅片本体的边长为125mm±0.5mm。
所述的低碳太阳能单晶硅片,所述硅片本体的最长对角线长度为165mm。
所述的低碳太阳能单晶硅片,所述硅片本体的厚度为200μm±20μm。
所述的低碳太阳能单晶硅片,所述硅片本体的氧含量小于等于1×1018atms/cm3,碳含量小于等于4×1016 atms/cm3。
所述的低碳太阳能单晶硅片,所述硅片本体的电阻率范围为1.0-3.0Ω.cm。
与现有技术相比,原有单晶硅片的碳含量一般小于等于5×1016atms/cm3 ,而本实用新型单晶硅片的碳含量小于等于4×1016 atms/cm3,由于单晶硅制成的光伏电池的衰减性与单晶硅片的氧碳含量有关,减少硅片的碳含量,对于电池组件的寿命有决定性意义。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本实用新型做进一步说明:
低碳太阳能单晶硅片,包括硅片本体1,硅片本体1的四角设为圆弧倒角,硅片本体的边长为125mm±0.5mm,硅片本体的厚度为200μm±20μm,硅片本体的最长对角线长度为165mm,最长对角线一定,其圆弧倒角的大小就定下来了,因此圆弧倒角的圆心角为45±10度,圆弧半径为15±0.5mm。硅片本体的氧含量小于等于1×1018atms/cm3,碳含量小于等于4×1016 atms/cm3,硅片本体的电阻率范围为1.0-3.0Ω.cm。
与现有技术相比,原有单晶硅片的碳含量一般小于等于5×1016atms/cm3 ,而本实用新型单晶硅片的碳含量小于等于4×1016 atms/cm3,由于单晶硅制成的光伏电池的衰减性与单晶硅片的氧碳含量有关,减少硅片的碳含量,对于电池组件的寿命有决定性意义。
Claims (7)
1.低碳太阳能单晶硅片,包括硅片本体,其特征在于所述硅片本体的四角设为圆弧倒角。
2.根据权利要求1所述的低碳太阳能单晶硅片,其特征在于所述圆弧倒角的圆心角为45±10度,圆弧半径为15±0.5mm。
3.根据权利要求1所述的低碳太阳能单晶硅片,其特征在于所述硅片本体的边长为125mm±0.5mm。
4.根据权利要求1所述的低碳太阳能单晶硅片,其特征在于所述硅片本体的最长对角线长度为165mm。
5.根据权利要求1所述的低碳太阳能单晶硅片,其特征在于所述硅片本体的厚度为200μm±20μm。
6.根据权利要求1所述的低碳太阳能单晶硅片,其特征在于所述硅片本体的氧含量小于等于1×1018atms/cm3,碳含量小于等于4×1016 atms/cm3。
7.根据权利要求1所述的低碳太阳能单晶硅片,其特征在于所述硅片本体的电阻率范围为1.0-3.0Ω.cm。
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2012
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