CN202585543U

CN202585543U - 电铸掩模板

Info

Publication number: CN202585543U
Application number: CN 201220015888
Authority: CN
Inventors: 魏志凌; 高小平
Original assignee: Kunshan Power Stencil Co Ltd
Current assignee: Kunshan Power Stencil Co Ltd
Priority date: 2012-01-16
Filing date: 2012-01-16
Publication date: 2012-12-05
Anticipated expiration: 2022-01-16

Abstract

本实用新型涉及一种电铸掩模板，主要解决现有OLED制造技术中，蒸镀时有机颗粒由于掩模板开口壁的遮蔽而无法达到基板的技术问题，本实用新型通过采用一种电铸掩模板，形状为四边形金属板，包括与铟锡氧化物（ITO）面接触的铟锡氧化物接触面和蒸镀面两个面，所述掩模板上具有贯通铟锡氧化物接触面和蒸镀面的开口，沿掩模板的厚度方向横向剖面上，开口为等腰梯形，开口在铟锡氧化物接触面上的开口尺寸小于在蒸镀面上的开口尺寸的技术方案，较好地解决了该问题，可用于有机发光二极管的工业生产中。

Description

电铸掩模板

技术领域

本实用新型涉及OLED制造过程中所需的电铸掩模板。

背景技术

一般地，OLED器件为一种发射显示器件，其通过电激发荧光有机化合物发光。依据可以排列为矩阵的N×M像素的驱动方式，OLED器件可以看作无源矩阵OLED（PMOLED）器件或有源矩阵OLED（AMOLED）器件。AMOLED器件与PMOLED器件相比，由于其低功耗和高分辨率，适合于大尺寸显示器。

依据光从有机化合物发出的方向，OLED器件可为顶发射OLED器件、底发射OLED器件或顶和底发射OLED器件。顶发射OLED器件在与设置有像素的衬底的相反方向上发光且与底发射OLED不同，其具有高开口率（Aperture ratio）。

对于既包含用于主要显示窗口的顶发射型又包含用于次要窗口的底发射型OLED器件的需求正在增长，因为此器件可以被小型化且其消耗很少的功率。这样的OLED器件可以主要用于包括外部次要显示窗口和内部主要显示窗口的移动电话。次要显示窗口消耗的功率少于主要显示窗口，且当移动电话处于呼叫等待状态时它可以保持开的状态，从而允许在任何时候观察接收状态、电池余量、时间等。

有机电致发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，OLED）是在一定电场驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到阴极修饰层和空穴注入层，并在发光层中相遇，形成的激子最终导致可见光的发射。对于有机电致发光器件，我们可按发光材料将其分成两种：小分子OLED和高分子OLED。

上述有机电致发光装置包括第一电极、有机发光层及第二电极。制造有机发光装置时，通过光刻法，通过腐蚀剂在ITO上构图。光刻法再用来制备第二电极时，湿气渗入有机发光层和第二电极之间，会显著地缩短有机发光装置的寿命，降低其性能。为了克服以上问题，采用蒸镀工艺将有机发光材料沉积在基板上，形成有机发光层，该方法需配套高精度电铸掩模板（也称为荫罩）。第二电极的制作同发光层的制作方法。

在蒸镀过程中，随着时间的延长，温度也在不断上升，高温可达到60℃，由于荫罩开口尺寸以微米级衡量，并且需要蒸镀到ITO玻璃上的有机材料的厚度很薄，以纳米级单位进行衡量，所以对开口尺寸精度、开口形貌以及板厚需严格要求。由于传统工艺使用的蒸镀用荫罩的开口一般为单层的，荫罩上的开口也无具无锥度，所以会造成有机材料颗粒的遮挡，影响蒸镀层的均匀性，降低蒸镀质量，增加了制造成本。

传统工艺采用单层开口的OLED掩模板，且开口无锥度，有机材料颗粒从各个角度穿过掩模板并贴附于基板上，开口无锥度，当颗粒倾斜射入角度小时，这部分颗粒会碰到开口壁而被遮蔽，无法到达基板。这种现象会产生以下问题：使倾斜射入的颗粒出现部分缺失，致使辉度下降，并且在基板上不能形成希望的厚度和形状。

一般蒸镀用荫罩的厚度在100μm左右，而蒸镀的有机材料膜厚只在100nm左右，荫罩上的开口尺寸最小可以是10μm，所以无锥度开口的侧壁势必会在蒸镀过程中产生遮挡，但另一方面，如果只减薄荫罩的厚度来降低有机材料的遮挡程度，又会影响荫罩的使用寿命，因为荫罩过薄，易变形，影响的荫罩的使用，降低蒸镀质量。

具有由通过附加电压而发光的低分子有机EL材料形成的有机发光层的有机EL显示面板是通过下述方式制造形成的，即，在透明基板上形成透明电极层，在该透明电极层上形成由低分子有机EL材料形成的有机发光层，还在该有机发光层上形成金属电极层。在该有机EL显示面板的制造工序中，在透明电极层上的有机发光层的形成通常是通过采用具有规定图案的多个细微通孔的蒸镀金属掩模，将低分子有机EL材料蒸镀于基板上的方法而进行的。

有机电致发光器件，具有自发光、反应时间快、视角广、成本低、制造工艺简单、分辨率佳及高亮度等多项优点，被认为是下一代的平面显示器新兴应用技术。在OLED技术中，真空蒸镀中的掩模板技术是一项非常重要和关键的技术，该技术的等级直接影响OLED产品的质量和制造成本。

本实用新型提供一种OLED制造过程中所需的电铸掩模板，该种掩模板具有锥度开口设计，即ITO面开口尺寸小于蒸镀面开口尺寸，解决了有机颗粒由于开口壁的遮蔽而无法达到基板的问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是现有OLED制造技术中，蒸镀时有机颗粒由于开口壁的遮蔽而无法达到基板的技术问题，提供一种新的电铸掩模板，使用该掩模板具有有机材料的使用率高、成膜率高、掩模板使用寿命长、节约成本的优点。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案如下：一种电铸掩模板，形状为四边形金属板，包括包括与铟锡氧化物面接触的铟锡氧化物接触面和蒸镀面两个面，所述掩模板上具有贯通铟锡氧化物接触面和蒸镀面的开口，在沿垂直于掩模板表面的横截面上，开口为等腰梯形，开口在铟锡氧化物接触面上的尺寸小于在蒸镀面上的尺寸。

上述技术方案中，优选的技术方案，所述铟锡氧化物接触面和蒸镀面上的开口通过若干个实桥，将开口连接起来，开口在掩模板上呈规则分布，所述规则分布为规则网络状分布；所述掩模板为矩形，厚度为5～200μm。掩模板材料为不锈钢、纯镍、镍钴合金、镍铁合金、因瓦合金中的任意一种金属板。优选的技术方案掩模板厚度为10～100μm；铟锡氧化物接触面和蒸镀面上的开口长尺寸边的方向为纵向，开口小尺寸边的方向为横向，铟锡氧化物接触面开口横向尺寸小于蒸镀面网格开口的横向尺寸。铟锡氧化物接触面开口横向上的尺寸精度在±5μm；蒸镀面大尺寸网格状的所述开口侧壁为光滑锥壁，锥度在1°～50°。铟锡氧化物接触面开口的垂直深度小于等于蒸镀面开口的垂直深度；所述掩模板使用时，铟锡氧化物接触面与ITO玻璃基板紧密贴紧，有机材料通过铟锡氧化物接触面开口蒸镀到ITO玻璃基板上。所述掩模板的均匀性小于5%；采用一级光亮的表面结构。所述开口剖面梯形的腰的锥度为0～10°；铟锡氧化物接触面的开口尺寸小于蒸镀面的开口尺寸；所述开口剖面梯形的腰的锥度为5～20°，铟锡氧化物接触面的开口具有锥角；开口尺寸从蒸镀面往ITO面递减。

本实用新型通过该实用新型的有益效果如下：该种荫罩具有梯形开口设计，即铟锡氧化物接触面开口尺寸小于蒸镀面开口尺寸，解决了有机颗粒由于开口壁的遮蔽而无法达到基板的问题；在保证铟锡氧化物接触面开口位置精度的同时提高了有机材料的成膜率；提高了有机材料的使用率，节约了成本。提高了蒸镀薄膜的均匀度；开口梯形的设计，保证了掩模板与ITO玻璃基板紧贴面（即ITO面）的开口尺寸精度控制在要求范围内；掩模板具有大开口设计的一定厚度的蒸镀面，保证在不影响蒸镀的情况下，对掩模板进行了加厚稳固的作用；扩大了荫罩的厚度范围，避免由于荫罩过薄导致的板面变形，提高了荫罩使用寿命，取得了较好的技术效果。

附图说明

图1为铟锡氧化物接触面开口具有倒锥角的掩模板。

图2为本实用新型实施例1中掩模板结构示意图。

图3为掩模板和ITO玻璃基板配合示意图。

图1中，01为ITO玻璃基板，02为掩模板，03为铟锡氧化物接触面，04为蒸镀面，05为蒸镀源，06为铟锡氧化物接触面开口；07为死角区域。

图2中，11为梯形开口，03为铟锡氧化物接触面，04为蒸镀面。

图3中，01为ITO玻璃基板，02为电铸掩模板，03为铟锡氧化物接触面，04为蒸镀面，05为蒸发源，08为无死角区域。

下面通过实施例对本实用新型作进一步阐述。

具体实施方式

【对比例1】

如图1中所示，传统工艺的蒸镀用掩模板一般采用蚀刻工艺，可以制作出带有一定锥度的开口，但由于侧蚀的原因，使得掩模板贴紧蒸镀ITO玻璃基板的铟锡氧化物接触面03的铟锡氧化物接触面开口06存在倒锥度，该种倒锥角的存在，产生死角区域07，由于该死角区域的存在，无法达到蒸镀厚度要求，导致蒸镀材料的成膜均匀性降低，影响蒸镀质量，延长了蒸镀时间，增加制造成本。开口的倒锥角度越大，蒸镀得到的OLED分辨率越低。所以避免死角，或是减小死角区域，才能有效提高蒸镀质量，制得高分辨率的产品。

【实施例1】

一种电铸掩模板，如图2所示，厚为50μm，形状为四边形不锈钢板，包括铟锡氧化物接触面和蒸镀面，所述掩模板上具有贯通铟锡氧化物接触面和蒸镀面的梯形开口，开口在铟锡氧化物接触面上的开口的尺寸小于在蒸镀面上的开口的尺寸。选取因瓦合金为掩模板材料，采用电铸工艺，图3为掩模板和ITO玻璃基板配合示意图。蒸镀面大尺寸网格状开口侧壁为光滑锥壁，锥度在30°。

【实施例2】

一种电铸掩模板，形状为矩形金属板，包括铟锡氧化物接触面和蒸镀面两个面，所述掩模板上具有贯通铟锡氧化物接触面和蒸镀面的开口，在沿垂直于掩模板表面的横截面上，开口为等腰梯形，开口在铟锡氧化物接触面上的尺寸小于在蒸镀面上的尺寸。

通过电铸工艺制得厚为20μm的蒸镀用掩模板，其上布满开口，电铸材料可以是纯镍、镍铁合金、镍铁钴合金、镍钴合金中的任意一种，掩模板的均匀性小于5%，表面光亮度为一级光亮，开口在铟锡氧化物接触面尺寸为10μm，且尺寸精度在±5μm，但开口尺寸从铟锡氧化物接触面到蒸镀面递增，将开口处沿掩模板厚度方向垂直剖开，得到剖视图，开口为等腰梯形，剖面锥度10°。

该种电铸掩模板的开口形貌，解决了蚀刻工艺开口在蒸镀过程中产生的死角区域，而形成无死角区域，保证了蒸镀质量，使得蒸镀层厚度均匀性高。同时厚度为20μm的掩模板开口在铟锡氧化物接触面的尺寸精度偏差控制在±5μm，提高了蒸镀位置精度。

【实施例3】

一种电铸掩模板，厚为100μm，形状为长方形镍钴合金金属板，包括铟锡氧化物接触面和蒸镀面两个面，所述掩模板上具有贯通铟锡氧化物接触面和蒸镀面的梯形开口，开口在铟锡氧化物接触面上的开口的尺寸小于在蒸镀面上的开口的尺寸。

所述铟锡氧化物接触面和蒸镀面上的开口通过若干个实桥，将开口连接起来，开口在掩模板上呈网络状规则分布；铟锡氧化物接触面和蒸镀面上的开口长尺寸边的方向为纵向，开口小尺寸边的方向为横向，铟锡氧化物接触面开口横向尺寸小于蒸镀面开口的横向尺寸。铟锡氧化物接触面开口横向上的尺寸精度在±5μm；铟锡氧化物接触面开口的垂直深度小于蒸镀面开口的垂直深度。蒸镀面大尺寸网格状开口侧壁为光滑锥壁，锥度在5°。所述掩模板使用时，铟锡氧化物接触面与ITO玻璃基板紧密贴紧，有机材料通过铟锡氧化物接触面开口蒸镀到ITO玻璃基板上。所述掩模板的均匀性小于5%；采用一级光亮的表面结构。所述开口剖面梯形的腰的锥度为5°；铟锡氧化物接触面的开口具有锥角；开口尺寸从蒸镀面往铟锡氧化物接触面递减。

Claims

1.一种电铸掩模板，形状为四边形金属板，包括与铟锡氧化物面接触的铟锡氧化物接触面和蒸镀面两个面，所述掩模板上具有贯通铟锡氧化物接触面和蒸镀面的开口，在沿垂直于掩模板表面的横截面上，所述开口为等腰梯形，开口在铟锡氧化物接触面上的尺寸小于在蒸镀面上的尺寸。

2.根据权利要求1所述的电铸掩模板，其特征在于所述铟锡氧化物接触面和蒸镀面上的开口通过若干个实桥，将开口连接起来，开口在掩模板上呈规则网格状分布；所述掩模板为矩形，厚度为5～200μm。

3.根据权利要求2所述的电铸掩模板，其特征在于掩模板厚度为10～100μm。

4.根据权利要求1所述的电铸掩模板，其特征在于铟锡氧化物接触面和蒸镀面上的开口长尺寸边的方向为纵向，开口小尺寸边的方向为横向，铟锡氧化物接触面开口横向尺寸小于蒸镀面开口的横向尺寸。

5.根据权利要求1所述的电铸掩模板，其特征在于铟锡氧化物接触面开口横向上的尺寸精度在±5μm；铟锡氧化物接触面开口的垂直深度小于等于蒸镀面开口的垂直深度。

6.根据权利要求1所述的电铸掩模板，其特征在于所述开口侧壁为光滑锥壁，锥度在1～50°。

7.根据权利要求1所述的电铸掩模板，其特征在于所述掩模板使用时，铟锡氧化物接触面与ITO玻璃基板紧密贴紧，有机材料通过ITO面开口蒸镀到ITO玻璃基板上。

8.根据权利要求1所述的电铸掩模板，其特征在于所述掩模板的均匀性小于5%；采用一级光亮的表面结构。

9.根据权利要求1所述的电铸掩模板，其特征在于所述开口剖面梯形的腰的锥度为5～20°；铟锡氧化物接触面的开口具有锥角；开口尺寸从蒸镀面往铟锡氧化物接触面递减。