CN202523849U - 圆极化微带阵列天线 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及电子通讯领域，特别是一种圆极化微带阵列天线，其能够满足高辐射效率/增益应用的要求，包括：基板，包括：相反的顶面和底面，和天线端口；由第一和第二辐射单元构成的第一辐射结构，其设置在顶面上且每个辐射单元包括四个子辐射单元，至少一个子辐射单元在中心包括贯穿顶面和底面的直流接地孔；其中，天线端口利用微带线并通过主路等幅同相功分结构分别连接到第一和第二辐射单元；主路等幅同相功分结构的每个输出端利用微带线并通过支路等幅同相功分结构分别连接到同一辐射单元的子辐射单元中的两个主子辐射单元；每个主子辐射单元通过带有180°移相器的等幅异相功分结构连接到同一辐射单元的子辐射单元中的一个副子辐射单元。

Description

圆极化微带阵列天线

技术领域

本实用新型涉及电子通讯领域，特别是一种圆极化微带阵列天线。

背景技术

微带天线是通过在有金属导体接地板的介质基板上附加导体薄片而形成的天线，可以在导体薄片与接地板之间产生射频电磁场，并使射频电磁场通过导体薄片四周与接地板之间的缝隙向外发散。

然而，微带天线存在一些缺点，例如，频带窄，会因介质损耗而降低辐射效率，应用功率小，等等，特别是在需要高辐射效率/增益的应用中其使用效果不佳，例如，在典型使用频率为2.4GHz的有源射频识别应用中，需要高增益，而现有的微带天线无法满足这种要求。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种圆极化微带阵列天线，能够满足高辐射效率/增益应用的要求。

根据本实用新型的一个方面，提供一种圆极化微带阵列天线，包括：

基板，包括：相反的顶面和底面，和天线端口；

由第一和第二辐射单元构成的第一辐射结构，其设置在所述顶面上且每个辐射单元包括四个子辐射单元，至少一个所述子辐射单元在中心包括贯穿所述顶面和底面的直流接地孔；

其中，所述天线端口利用微带线并通过主路等幅同相功分结构分别连接到所述第一和第二辐射单元；所述主路等幅同相功分结构的每个输出端利用微带线并通过支路等幅同相功分结构分别连接到同一辐射单元的子辐射单元中的两个主子辐射单元；每个主子辐射单元通过带有180°移相器的等幅异相功分结构连接到所述同一辐射单元的子辐射单元中的一个副子辐射单元。

较佳地，在本实用新型的各实施例中，

所述天线端口位于所述基板的中心；

所述圆极化微带阵列天线进一步包括：由第三和第四辐射单元构成的第二辐射结构，其设置在所述顶面上且所述第三和第四辐射单元中的每个包括四个子辐射单元；所述第一辐射结构与所述第二辐射结构处于所述天线端口的相反侧并相对于所述天线端口对称布置；且所述天线端口利用微带线并通过在所述第二辐射结构中的一主路等幅同相功分结构分别连接到所述第三和第四辐射单元；

在所述第二辐射结构中，所述主路等幅同相功分结构的每个输出端利用微带线并通过一支路等幅同相功分结构分别连接到同一辐射单元的子辐射单元中的两个主子辐射单元，每个主子辐射单元通过带有180°移相器的等幅异相功分结构连接到所述同一辐射单元的子辐射单元中的一个副子辐射单元。

较佳地，在本实用新型的各实施例中，所述基板包括：上、下安装孔和左、右安装孔，所述上、下安装孔相对于所述天线端口对称布置，所述左、右安装孔相对于所述天线端口对称布置。

较佳地，在本实用新型的各实施例中，所述基板的顶面和/或底面上具有金属镀膜。

较佳地，在本实用新型的各实施例中，所述等幅异相功分结构包括：连接在所述主子辐射单元与对应的副子辐射单元之间的折线型微带线。

较佳地，在本实用新型的各实施例中，各个所述子辐射单元具有相同的微扰切角形状，且所述子辐射单元的形状是具有微扰切角的长方或正方形状。

较佳地，在本实用新型的各实施例中，

与所述主路等幅同相功分结构相连的微带线包括：线宽为2.2-2.7mm或2.7-3.2mm的50Ω微带线；

和/或

与所述支路等幅同相功分结构相连的微带线包括：线宽为2.2-2.7mm或2.7-3.2mm的50Ω微带线；

和/或

所述主路等幅同相功分结构包括：线宽为0.9-1.4mm或1.4-1.9mm的70.7Ω微带线；

和/或

所述支路等幅同相功分结构包括：线宽为0.9-1.4mm或1.4-1.9mm的70.7Ω微带线；

和/或

所述等幅异相功分结构包括：线宽为0.3-0.5mm或0.5-0.8mm的100Ω微带线。

较佳地，在本实用新型的各实施例中，

每个子辐射单元的外接方形的长度L和宽度W和所述基板的厚度h满足以下关系：

$W=\frac{c}{{2f}_r}{\left(\frac{{\mathrm{\ϵ}}_r+1}{2}\right)}^{-\frac{1}{2}},$

$L=\frac{c}{{2f}_r\sqrt{{\mathrm{\ϵ}}_e}}-2\mathrm{\ΔL},$

${\mathrm{\ϵ}}_e=\frac{{\mathrm{\ϵ}}_r+1}{2}+\frac{{\mathrm{\ϵ}}_r-1}{2}{(1+\frac{12h}{w})}^{-\frac{1}{2}},$

$\mathrm{\ΔL}=0.412h\frac{({\mathrm{\ϵ}}_e+0.3)(\frac{w}{h}+0.264)}{({\mathrm{\ϵ}}_e-0.258)(\frac{w}{h}+0.8)},$

其中，c是光速，f_r是所述圆极化微带阵列天线的预定中心频率，ε_r是所述基板的相对介电常数，ε_e是所述基板的等效介电常数，ΔL是延伸量。

较佳地，在本实用新型的各实施例中，

每个子辐射单元的外接方形是正方形；

所述正方形的L和W相等且为27.8-28.8mm或28.8-29.8mm；

所述基板的厚度h为1.0-1.6mm或1.6-2.2mm；

相邻子辐射单元的同侧边之间的距离为0.5λ～λ，其中λ是电磁波在所述基板的介质中的波长且为47-51mm或51-55mm。

通过本实用新型的各实施例提供的圆极化微带阵列天线，能够满足高辐射效率/增益应用的要求。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，以下将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图进行论述，显然，在结合附图进行描述的技术方案仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图所示实施例得到其它的实施例及其附图。

图1是根据本实用新型的实施例的圆极化微带阵列天线的结构示意图。

图2是根据本实用新型的实施例的圆极化微带阵列天线的电路示意图。

具体实施方式

以下将结合附图对本实用新型的各实施例的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中所述的实施例，本领域普通技术人员在不需要创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施例，都在本实用新型所保护的范围内。

根据本实用新型的一个方面，提供一种圆极化微带阵列天线，包括：

基板，包括：相反的顶面和底面，和天线端口；

由第一和第二辐射单元构成的第一辐射结构，其设置在所述顶面上且每个辐射单元包括四个子辐射单元，至少一个所述子辐射单元在中心包括贯穿所述顶面和底面的直流接地孔；

其中，所述天线端口利用微带线并通过主路等幅同相功分结构分别连接到所述第一和第二辐射单元；所述主路等幅同相功分结构的每个输出端利用微带线并通过支路等幅同相功分结构分别连接到同一辐射单元的子辐射单元中的两个主子辐射单元；每个主子辐射单元通过带有180°移相器的等幅异相功分结构连接到所述同一辐射单元的子辐射单元中的一个副子辐射单元。

较佳地，在本实用新型的各实施例中，

所述天线端口位于所述基板的中心；

所述圆极化微带阵列天线进一步包括：由第三和第四辐射单元构成的第二辐射结构，其设置在所述顶面上且所述第三和第四辐射单元中的每个包括四个子辐射单元；所述第一辐射结构与所述第二辐射结构处于所述天线端口的相反侧并相对于所述天线端口对称布置；且所述天线端口利用微带线并通过在所述第二辐射结构中的一主路等幅同相功分结构分别连接到所述第三和第四辐射单元；

在所述第二辐射结构中，所述主路等幅同相功分结构的每个输出端利用微带线并通过一支路等幅同相功分结构分别连接到同一辐射单元的子辐射单元中的两个主子辐射单元，每个主子辐射单元通过带有180°移相器的等幅异相功分结构连接到所述同一辐射单元的子辐射单元中的一个副子辐射单元。

较佳地，在本实用新型的各实施例中，所述基板包括：上、下安装孔和左、右安装孔，所述上、下安装孔相对于所述天线端口对称布置，所述左、右安装孔相对于所述天线端口对称布置。

较佳地，在本实用新型的各实施例中，所述基板的顶面和/或底面上具有金属镀膜。优选地，所述金属镀膜可为0.1mm的覆铜层，更优选地可用沉金工艺对天线覆铜做处理以提高天线的性能参数。

较佳地，在本实用新型的各实施例中，所述等幅异相功分结构包括：连接在所述主子辐射单元与对应的副子辐射单元之间的折线型微带线。

较佳地，在本实用新型的各实施例中，各个所述子辐射单元具有相同的微扰切角形状，且所述子辐射单元的形状是具有微扰切角的长方或正方形状。

较佳地，在本实用新型的各实施例中，

与所述主路等幅同相功分结构相连的微带线包括：线宽为2.2-2.7mm或2.7-3.2mm的50Ω微带线；

和/或

与所述支路等幅同相功分结构相连的微带线包括：线宽为2.2-2.7mm或2.7-3.2mm的50Ω微带线；

和/或

所述主路等幅同相功分结构包括：线宽为0.9-1.4mm或1.4-1.9mm的70.7Ω微带线；

和/或

所述支路等幅同相功分结构包括：线宽为0.9-1.4mm或1.4-1.9mm的70.7Ω微带线；

和/或

所述等幅异相功分结构包括：线宽为0.3-0.5mm或0.5-0.8mm的100Ω微带线。

较佳地，在本实用新型的各实施例中，

每个子辐射单元的外接方形的长度L和宽度W和所述基板的厚度h满足以下关系：

$W=\frac{c}{{2f}_r}{\left(\frac{{\mathrm{\ϵ}}_r+1}{2}\right)}^{-\frac{1}{2}},---\left(1\right)$

$L=\frac{c}{{2f}_r\sqrt{{\mathrm{\ϵ}}_e}}-2\mathrm{\ΔL},---\left(2\right)$

${\mathrm{\ϵ}}_e=\frac{{\mathrm{\ϵ}}_r+1}{2}+\frac{{\mathrm{\ϵ}}_r-1}{2}{(1+\frac{12h}{w})}^{-\frac{1}{2}},---\left(3\right)$

$\mathrm{\ΔL}=0.412h\frac{({\mathrm{\ϵ}}_e+0.3)(\frac{w}{h}+0.264)}{({\mathrm{\ϵ}}_e-0.258)(\frac{w}{h}+0.8)},---\left(4\right)$

其中，c是光速，f_r是所述圆极化微带阵列天线的预定中心频率，ε_r是所述基板的相对介电常数，ε_e是所述基板的等效介电常数，ΔL是延伸量。

较佳地，在本实用新型的各实施例中，

每个子辐射单元的外接方形是正方形；

所述正方形的L和W相等且为27.8-28.8mm或28.8-29.8mm；

所述基板的厚度h为1.0-1.6mm或1.6-2.2mm；

相邻子辐射单元的同侧边之间的距离为0.5λ～λ，其中λ是电磁波在所述基板的介质中的波长且为47-51mm或51-55mm。

本实用新型的各实施例提供一种圆极化微带阵列天线(例如其辐射频率为2.4-2.5GHz，优选地为2.4GHz)，具有定向性好、剖面低、体积小、增益高、阻抗匹配良好等优点，其中采用面阵形式，多个子辐射单元以阵列方式布置，将各子辐射单元与利用微带线和等幅功分结构构成的天线阵馈电网络一体化，采用成熟的印刷电路板制作工艺，使得批量化生产天线的一致性很好，最大程度的保证天线性能最优化。该天线可加外壳包装后单独成产品，也可方便集成在其他无线设备中。

本实用新型针对目前射频识别领域中的应用需求，提供了一种圆极化微带阵列天线，可支持2.4GHz有源射频识别(RFID)。所述天线的设计基于微带天线应用设计理论、天线阵设计理论和时域有限元法仿真优化方法。所述天线端口处的天线输入阻抗优选地为通用标准的50Ω；所述子辐射单元处的设计输入阻抗优选地为100Ω。在一个实施例中，选取FR4环氧布基板材形成基板，利用切角微扰法实现天线的圆极化，采取等幅异相馈电技术设计4×4微带天线面阵，其中所述直流接地孔具有直流接地防雷功能。

在一个实施例中，采用环氧布的基板，其相对介电常数ε_r＝4.6，厚度h＝1.6mm，天线中心频率为2.45GHz。通过上述公式(1)-(4)以及已知参数计算得到子辐射单元的长度L和宽度W，其中，所述天线工作中心频率主要由长度L决定，宽度W对天线的效率和增益会有影响。

根据传输线阻抗变换理论公式

$Z_{\mathrm{in}}=Z_0^2/Z_L---\left(5\right)$

计算微带线的特征阻抗，完成天线馈电网络的阻抗匹配工作。考虑到馈电网络走线的可行性。在一个实施例中，所述馈电网络包括带有180°移相的等幅功分器(等幅异相功分结构)，而且天线的子辐射单元同时进行180°的旋转，以保证以4×4阵列布置的16个子辐射单元的馈电相位相同。

在一个实施例中，所述基板是厚度为1.6mm±0.6mm(即，1.0-2.2mm)的环氧布基板。天线顶层包含所述馈电网络和以4×4阵列布置的16个子辐射单元，每个子辐射单元可为正方形(长度和宽度相等)，其尺寸为L＝W＝28.8mm±1mm(即，27.8-29.8mm)，相邻子辐射单元的间距(即，对应边长之间的距离，例如相邻子辐射单元的左边长之间的距离)可在0.5λ～λ的范围内，此时的波长λ是指电磁波在基板介质中的波长，进过仿真优化后，可取λ＝51mm±4mm(即，47-56mm)。在一个实施例中，所述天线馈电网络主要由等幅同相功分结构(器)、等幅异相功分结构(器)、50Ω微带线组成，完成一个匹配良好的馈电网络。

应理解，所述圆极化微带阵列天线的直流接地孔位于至少一个子辐射单元的中心处，使得设置在基板顶层的子辐射单元与基板的底层通过采用金属过孔形式的所述直流接地孔进行连接。

在采用4×4阵列布置的圆极化微带阵列天线中，直流接地孔可以设置在16个子辐射单元中的任何一个上。

图1是根据本实用新型的实施例的圆极化微带阵列天线的结构示意图。在图1所示的实施例中，圆极化微带阵列天线包括：

基板，包括：相反的顶面1和底面，和天线端口6；

由第一和第二辐射单元构成的第一辐射结构，其设置在所述顶面上且每个辐射单元包括四个子辐射单元4，至少一个所述子辐射单元4在中心包括贯穿所述顶面和底面的直流接地孔8；

其中，所述天线端口6利用微带线并通过主路等幅同相功分结构10a分别连接到所述第一辐射单元(在图1中例如由右上方四个子辐射单元4构成)和第二辐射单元(在图1中例如由右下方四个子辐射单元4构成)；所述主路等幅同相功分结构10a的每个输出端利用微带线并通过支路等幅同相功分结构10b分别连接到同一辐射单元(在图1中例如为由右上方四个子辐射单元4构成的辐射单元)的子辐射单元中的两个主子辐射单元(在图1中例如为由右上方四个子辐射单元4构成的辐射单元中的上方两个子辐射单元)；每个主子辐射单元通过带有180°移相器的等幅异相功分结构9连接到所述同一辐射单元的子辐射单元中的一个副子辐射单元(在图1中例如为由右上方四个子辐射单元4构成的辐射单元中的下方两个子辐射单元之一)。

在图1所示的实施例中可见，在中心天线端口6右侧(右上方和右下方)的两个辐射单元，即，第一辐射单元和第二辐射单元，每个辐射单元均由四个子辐射单元4构成。在每个辐射单元的四个子辐射单元4中，可包括处于上方的两个主子辐射单元和处于下方的两个副子辐射单元，每个主子辐射单元通过相应的等幅异相功分结构9连接到处于其下方的一个副子辐射单元。

在图1所示的实施例中还包括在中心天线端口6右侧(右上方和右下方)的两个辐射单元，即，第三辐射单元和第四辐射单元，每个辐射单元均由四个子辐射单元4构成。在每个辐射单元的四个子辐射单元4中，可包括处于上方的两个主子辐射单元和处于下方的两个副子辐射单元，每个主子辐射单元通过相应的等幅异相功分结构9连接到处于其下方的一个副子辐射单元。优选地，第三辐射单元和第四辐射单元在结构上可以与第一辐射单元和第二辐射单元相同(或相似)，并可相对于中心天线端口6而对称分布。

由此，在图1所示的实施例中，可包括第一、第二、第三、第四辐射单元，共四个辐射单元，其中各辐射单元均由四个子辐射单元4构成并具有相同/相似的结构，且可相对于中心的天线端口6而对称分布。

在图1所示的实施例中显示：所述基板包括四个安装孔，即：上、下安装孔和左、右安装孔，所述上、下安装孔相对于所述天线端口6对称布置，所述左、右安装孔相对于所述天线端口6对称布置。

图2是根据本实用新型的实施例的圆极化微带阵列天线的电路示意图，其与图1所示的根据本实用新型的实施例的圆极化微带阵列天线的结构示意图可对应。

在图2所示的实施例中，显示出所述圆极化微带阵列天线中各段微带线的尺寸可以根据需要设置为不同的：

与所述主路等幅同相功分结构(例如在图1中所示主路等幅同相功分结构10a)相连的微带线可包括：线宽为2.2-2.7mm或2.7-3.2mm的50Ω微带线(例如在图1中所示微带线11)；

与所述支路等幅同相功分结构(例如在图1中所示主路等幅同相功分结构10b)相连的微带线可包括：线宽为2.2-2.7mm或2.7-3.2mm的50Ω微带线；

所述主路等幅同相功分结构(例如在图1中所示主路等幅同相功分结构10a)可包括：线宽为0.9-1.4mm或1.4-1.9mm的70.7Ω微带线(例如在图1中所示的连接在天线接口6与主路等幅同相功分结构10a之间的微带线12)；

所述支路等幅同相功分结构(例如在图1中所示主路等幅同相功分结构10b)可包括：线宽为0.9-1.4mm或1.4-1.9mm的70.7Ω微带线；

所述等幅异相功分结构(例如在图1中所示主路等幅同相功分结构9)可包括：线宽为0.3-0.5mm或0.5-0.8mm的100Ω微带线。

从图2中可见，不同规格的微带线具有不同的端口电阻(单位为Ω)以及不同的尺度(例如线宽，特别是平均线宽)。

通过本实用新型的各实施例提供的圆极化微带阵列天线，能够满足高辐射效率/增益应用的要求。

本实用新型的各实施例提供的圆极化微带阵列天线可用于各种具有较高辐射效率/增益要求的应用中，例如用于无线通信中，蓝牙、WIFI等都是在2.4GHz的高频率使用环境中具有高增益要求；再如可用于物联网领域的射频识别方面，特别是有源射频识别应用(例如在2.4GHz典型有源射频识别频率下的使用环境中)。

在实际应用中，本实用新型的各实施例提供的圆极化微带阵列天线可用于2.4-2.5GHz的频段范围内，其中心频率例如可为2.4GHz、或2.45GHz。

此外，由于微带天线介质基板的厚度远小于对应的谐振频率的波长，因此可以大大降低无线通讯装置的体积，而且剖面低、体积小、成本低、加工工艺简单，同时具有可形变、易附于印刷电路和电源电路形成单一元件、产生均匀或多波束的辐射场型等特点，这些都是采用微带线的本实用新型的圆极化微带阵列天线的优点。

本实用新型的各实施例提供的圆极化微带阵列天线的结构设计紧凑巧妙、加工工艺简单，生产成本低廉，生产组装适合生产线流水作业，天线产品性能参数稳定，可内置于设备中使用，具有较高的产业应用价值。

本实用新型提供的各种实施例可根据需要以任意方式相互组合，通过这种组合得到的技术方案，也在本实用新型的范围内。

显然，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，本领域技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型。这样，如果对本实用新型的这些改的和变型属于本实用新型权利要求及其等同方案的范围之内，则本实用新型也将包含这些改动和变型。

Claims (9)

1.一种圆极化微带阵列天线，其特征在于，包括：

基板，包括：相反的顶面和底面，和天线端口；

由第一和第二辐射单元构成的第一辐射结构，其设置在所述顶面上且每个辐射单元包括四个子辐射单元，至少一个所述子辐射单元在中心包括贯穿所述顶面和底面的直流接地孔；

其中，所述天线端口利用微带线并通过主路等幅同相功分结构分别连接到所述第一和第二辐射单元；所述主路等幅同相功分结构的每个输出端利用微带线并通过支路等幅同相功分结构分别连接到同一辐射单元的子辐射单元中的两个主子辐射单元；每个主子辐射单元通过带有180°移相器的等幅异相功分结构连接到所述同一辐射单元的子辐射单元中的一个副子辐射单元。

2.如权利要求1所述的圆极化微带阵列天线，其特征在于，

所述天线端口位于所述基板的中心；

所述圆极化微带阵列天线进一步包括：由第三和第四辐射单元构成的第二辐射结构，其设置在所述顶面上且所述第三和第四辐射单元中的每个包括四个子辐射单元；所述第一辐射结构与所述第二辐射结构处于所述天线端口的相反侧并相对于所述天线端口对称布置；且所述天线端口利用微带线并通过在所述第二辐射结构中的一主路等幅同相功分结构分别连接到所述第三和第四辐射单元；

在所述第二辐射结构中，所述主路等幅同相功分结构的每个输出端利用微带线并通过一支路等幅同相功分结构分别连接到同一辐射单元的子辐射单元中的两个主子辐射单元，每个主子辐射单元通过带有180°移相器的等幅异相功分结构连接到所述同一辐射单元的子辐射单元中的一个副子辐射单元。

3.如权利要求2所述的圆极化微带阵列天线，其特征在于，

所述基板包括：上、下安装孔和左、右安装孔，所述上、下安装孔相对于所述天线端口对称布置，所述左、右安装孔相对于所述天线端口对称布置。

4.如权利要求1所述的圆极化微带阵列天线，其特征在于，

所述基板的顶面和/或底面上具有金属镀膜。

5.如权利要求1所述的圆极化微带阵列天线，其特征在于，

所述等幅异相功分结构包括：连接在所述主子辐射单元与对应的副子辐射单元之间的折线型微带线。

6.如权利要求1所述的圆极化微带阵列天线，其特征在于，

各个所述子辐射单元具有相同的微扰切角形状，且所述子辐射单元的形状是具有微扰切角的长方或正方形状。

7.如权利要求1至6中任一项所述的圆极化微带阵列天线，其特征在于，

与所述主路等幅同相功分结构相连的微带线包括：线宽为2.2-2.7mm或2.7-3.2mm的50Ω微带线；

和/或

与所述支路等幅同相功分结构相连的微带线包括：线宽为2.2-2.7mm或2.7-3.2mm的50Ω微带线；

和/或

所述主路等幅同相功分结构包括：线宽为0.9-1.4mm或1.4-1.9mm的70.7Ω微带线；

和/或

所述支路等幅同相功分结构包括：线宽为0.9-1.4mm或1.4-1.9mm的70.7Ω微带线；

和/或

所述等幅异相功分结构包括：线宽为0.3-0.5mm或0.5-0.8mm的100Ω微带线。

8.如权利要求6所述的圆极化微带阵列天线，其特征在于，

每个子辐射单元的外接方形的长度L和宽度W和所述基板的厚度h满足以下关系：

$W=\frac{c}{{2f}_r}{\left(\frac{{\mathrm{\ϵ}}_r+1}{2}\right)}^{-\frac{1}{2}},$

$L=\frac{c}{{2f}_r\sqrt{{\mathrm{\ϵ}}_e}}-2\mathrm{\ΔL},$

${\mathrm{\ϵ}}_e=\frac{{\mathrm{\ϵ}}_r+1}{2}+\frac{{\mathrm{\ϵ}}_r-1}{2}{(1+\frac{12h}{w})}^{-\frac{1}{2}},$

$\mathrm{\ΔL}=0.412h\frac{({\mathrm{\ϵ}}_e+0.3)(\frac{w}{h}+0.264)}{({\mathrm{\ϵ}}_e-0.258)(\frac{w}{h}+0.8)},$

其中，c是光速，f_r是所述圆极化微带阵列天线的预定中心频率，ε_r是所述基板的相对介电常数，ε_e是所述基板的等效介电常数，ΔL是延伸量。

9.如权利要求8所述的圆极化微带阵列天线，其特征在于，

每个子辐射单元的外接方形是正方形；

所述正方形的L和W相等且为27.8-28.8mm或28.8-29.8mm；

所述基板的厚度h为1.0-1.6mm或1.6-2.2mm；

相邻子辐射单元的同侧边之间的距离为0.5λ～λ，其中λ是电磁波在所述基板的介质中的波长且为47-51mm或51-55mm。

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