CN202513045U - 一种采用纯铜和银化合物的双复合触点 - Google Patents
一种采用纯铜和银化合物的双复合触点 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型及一种采用纯铜和银化合物的双复合触点，一种采用纯铜和银化合物的双复合触点，包括银化合物复合层(1)和纯铜基体(2)，所述的纯铜基体(2)由头部和圆柱状脚部组成，所述的头部的厚度大于圆柱状脚部的厚度，银化合物复合层(1)复合于纯铜基体(2)的头部一端并和头部形成半球形。本实用新型采用了纯铜和银氧化锡氧化铟材料复合成型，氧化物颗粒较细，材料强度、硬度较高，抗材料转移性能良好，比较适合应用在交直流继电器上。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子元器件用触点领域，特别是涉及一种采用纯铜和银化合物的双复合触点。
背景技术
触点是各种电子元器件中常用的元件，它体积虽小，但对其性能的要求很高，复合触点应用范围广泛且常常用到贵金属材料，一般采用手工铆接和自动铆接。目前市场上是用纯银的复合触点，但纯银强度低、硬度低、抗熔焊性及耐电弧烧损性能低，且用量大、价格昂贵，生产成本高，只能应用在无线电、通讯用微型开关及小电流电器等领域。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种采用纯铜和银化合物的双复合触点，采用了纯铜和银氧化锡氧化铟复合成型，材料强度、硬度高，抗材料转移性能良好。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种采用纯铜和银化合物的双复合触点，包括银化合物复合层和纯铜基体，所述的纯铜基体由头部和圆柱状脚部组成，所述的头部的厚度大于圆柱状脚部的厚度，银化合物复合层复合于纯铜基体的头部一端并和头部形成半球形。
所述的银化合物复合层的厚度为0.2mm～0.6mm。
所述的银化合物复合层是由银氧化锡氧化铟（AgSnO2In2O3）组成。
有益效果
本实用新型涉及提供一种采用纯铜和银化合物的双复合触点，采用了纯铜和银氧化锡氧化铟材料复合成型，氧化物颗粒较细，材料强度、硬度较高，抗材料转移性能良好，比较适合应用在交直流继电器上。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐述本实用新型。应理解，这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。此外应理解，在阅读了本实用新型讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本实用新型作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
如图1所示，本实用新型的实施方式涉及一种采用纯铜和银化合物的双复合触点，包括银化合物复合层1和纯铜基体2，所述的纯铜基体2由头部和圆柱状脚部组成，所述的头部的厚度大于圆柱状脚部的厚度，银化合物复合层1复合于纯铜基体2的头部一端并和头部形成半球形，所述的银化合物复合层是由银氧化锡氧化铟（AgSnO2In2O3），所述的银化合物复合层的厚度为0.2mm～0.6mm。
本实用新型主要的加工工艺是复合冷镦，银氧化锡氧化铟（AgSnO2In2O3）和纯铜两种材料的丝材在冷镦机冲击力下，两种金属形成径向塑性变形形成镦形状。
Claims (3)
1.一种采用纯铜和银化合物的双复合触点，包括银化合物复合层（1）和纯铜基体（2），其特征在于：所述的纯铜基体（2）由头部和圆柱状脚部组成，所述的头部的厚度大于圆柱状脚部的厚度，银化合物复合层（1）复合于纯铜基体（2）的头部一端并和头部形成半球形。
2.根据权利要求1所述的一种采用纯铜和银化合物的双复合触点，其特征在于，所述的银化合物复合层（1）的厚度为0.2mm～0.6mm。
3.根据权利要求1所述的一种采用纯铜和银化合物的双复合触点，其特征在于，所述的银化合物复合层（1）是由银氧化锡氧化铟组成。
Priority Applications (1)
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| CN201220054726XU CN202513045U (zh) | 2012-02-20 | 2012-02-20 | 一种采用纯铜和银化合物的双复合触点 |
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2012
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