CN202495757U - 一种冲击电流限制电路及其相应的斩波调光系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种冲击电流限制电路及其相应的斩波调光系统，开关器件非控制端与阻抗器件并联形成并联支路，且并联支路串联电流检测电路；检测所在支路电流的电流检测电路，其低电位端为参考电位端，并在其高位端产生一电流检测信号；接收所述电流检测信号，且当所述电流检测电路检测到的所述电流大于一预设值时输出一控制信号以控制所述开关器件关断，经过一延迟设定时间后，再输出一控制信号以控制所述开关器件导通的驱动及延迟导通控制电路，其输出端连接所述开关器件的控制端。本实用新型可限制流入电源负载的冲击电流并使该冲击电流限制电路持续工作一定时间，以提高工作效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种冲击电流限制电路，尤其涉及一种斩波调光系统中的冲击电流限制电路，该电路用于在需要限制冲击电流的线路中时，限制流入电源负载装置的冲击电流。
背景技术
一个多世纪以来，照明行业一直倚赖白炽灯。白炽灯使用简单而且非常适合进行调光。目前低成本的前沿可控硅调光器虽然可以很容易地实现调光，但是，正是白炽灯的低效率和随之产生的高输入电流，才是可控硅调光器工作良好的主要因素。如今，LED照明已成为一项主流技术。随着新一代绿色环保固体照明光源LED发光强度的不断提高，应用领域的不断扩大，正逐步进入照明领域，如LED手电筒、交通信号灯和车灯比比皆是，各个国家正在推动用LED灯替换住宅、商业和工业应用中的白炽灯和荧光灯，换用高能效LED照明后，实现的能源节省量将会非常惊人。
因为适合白炽灯的可控硅调光器随处可见，LED灯要想真正获得成功并大量将白炽灯进行替换，必须能够使用现有的调光器和线路来实现调光。
如图1所示为现有技术中一种较为常用的可控硅调光器的电路实现结构，该可控硅调光器T1包括双向可控硅及其触发电路；双向可控硅为双向晶匝管Q1，触发电路由可调电阻R1，电容C1，双向触发二极管DB3组成；该可控硅调光器T1的输入端为电网电压、其输出端为斩波形式的输出电压V1至LED驱动器。如图1所示，通过可调电阻R1的调节改变其阻值，而改变电容C1的充电时间，从而改变双向可控硅导通角，进而控制双向可控硅的导通时间，经过双向可控硅后的斩波电压V1为LED驱动器的输入电压，LED驱动器根据斩波电压V1的斩波角的变化控制输出电流的大小，从而达到调光的目的。所述通过改变可调电阻R1阻值的变化引起电容C1的充电时间的变化，进而该充电时间的变化引起双向晶匝管Q1导通角的变化，体现在可控硅调节器T1的输出电压V1上的斩波电压的变化，如图2所示，通过斩波电压V1的斩波角的变化控制LED驱动器的输出电流信号I的大小。
当LED驱动器采用可控硅调光器T1进行调光的时候，必须要解决一个非常棘手的问题，就是对冲击电流的限制。由图2中斩波电压V1的波形可以看到，在可控硅调光器T1切相的时候，斩波电压V1上升速率很快，如此大的dv/dt将在母线上造成非常大的冲击电流。该冲击电流如果过大，将导致可控硅调光器T1工作不正常，从而影响LED驱动器的调光性能。因此，在尝试对LED灯进行调光的过程中遇到的大量问题，都跟可控硅调光器T1工作状态不稳定有关。
实用新型内容
为克服上述现有技术存在的种种缺点，本实用新型的主要目的在于提供一种冲击电流限制电路及其相应的斩波调光系统，所述冲击电流限制电路串联在需要限制冲击电流的线路中时，通过调节该冲击电流限制电路的参数，限制流入电源负载装置的冲击电流并使该冲击电流限制电路持续工作一定时间，以提高工作效率。
为达到上述及其它目的，本实用新型提供一种冲击电流限制电路，所述冲击电流限制电路至少包括：开关器件和阻抗器件，所述开关器件非控制端并联在所述阻抗器件低电位端和高电位端形成并联支路，且所述并联支路与电流检测电路串联，检测所在支路电流的电流检测电路，其低电位端为参考电位端，并在其高位端产生一电流检测信号；接收所述电流检测信号，且当所述电流检测电路检测到的所述电流大于一预设值时输出一控制信号以控制所述开关器件关断，经过一延迟设定时间后，再输出一控制信号以控制所述开关器件导通的驱动及延迟导通控制电路，其输出端连接所述开关器件控制端。
进一步地，所述开关器件为N型MOS管时，其漏极和源极为非控制端，其漏极连接所述阻抗器件高电位端，其源极连接所述阻抗器件低电位端，其栅极接收所述控制信号；所述开关器件为NPN三极管时，其集电极和发射极为非控制端，其集电极连接所述阻抗器件高电位端，其发射极连接所述阻抗器件低电位端，其基极接收所述控制信号。
进一步地，所述阻抗器件为第一电阻，所述第一电阻通过其高电位端和其低电位端与所述开关器件非控制端并联形成并联支路，所述并联支路与电流检测电路串联。
进一步地，所述电流检测电路为第二电阻，所述第二电阻低电位端为参考电位端，并在其高位端产生一电流检测信号。
进一步地，所述驱动及延迟导通控制电路包括第三电阻、电容和稳压管，所述第三电阻一端连接一辅助电源正端或连接一整流桥正输出端，其另一端与所述电容一端和所述稳压管阴极相连且连接所述开关器件控制端；所述电容另一端连接所述电流检测电路高电位端，所述稳压管阳极连接所述电流检测电路低电位端。
基于本实用新型提供的一种冲击电流限制电路，本实用新型还提供一种斩波调光系统，应用于一斩波调光系统中，包括交流电源、斩波调光器和LED驱动器以及冲击电流限制电路，所述LED驱动器包括正输入端、负输入端、正输出端、负输出端，所述交流电源通过所述斩波调光器连接整流桥输入端，所述整流桥正输出端连接至所述LED驱动器正输入端，所述LED驱动器负输入端通过所述冲击电流限制电路连接至所述整流桥负输出端，所述LED驱动器正输出端、负输出端用于连接并驱动一LED负载，其中，所述冲击电流限制电路至少包括：开关器件和阻抗器件，所述开关器件非控制端并联在所述阻抗器件低电位端和高电位端形成并联支路，且所述并联支路与电流检测电路串联，检测所在支路电流的电流检测电路，其低电位端为参考电位端，并在其高位端产生一电流检测信号；接收所述电流检测信号，且当所述电流检测电路检测到的所述电流大于一预设值时输出一控制信号以控制所述开关器件关断，经过一延迟设定时间后，再输出一控制信号以控制所述开关器件导通的驱动及延迟导通控制电路，其输出端连接所述开关器件控制端。
进一步地，所述开关器件为N型MOS管时，其漏极和源极为非控制端，其漏极连接所述阻抗器件高电位端，其源极连接所述阻抗器件低电位端，其栅极接收所述控制信号；所述开关器件为NPN三极管时，其集电极和发射极为非控制端，其集电极连接所述阻抗器件高电位端，其发射极连接所述阻抗器件低电位端，其基极接收所述控制信号。
进一步地，所述阻抗器件为第一电阻，通过其高电位端和其低电位端与所述开关器件非控制端并联形成并联支路，所述并联支路与电流检测电路串联，所述第一电阻高电位端还连接所述LED驱动器负输入端。
进一步地，所述电流检测电路为第二电阻，所述第二电阻低电位端连接所述整流桥负输出端为参考电位端，并在其高位端产生一电流检测信号。
进一步地，所述驱动及延迟导通控制电路包括第三电阻、电容和稳压管，所述第三电阻一端连接一辅助电源或者连接所述整流桥正输出端，其另一端与所述电容一端和所述稳压管阴极相连且连接所述开关器件控制端；所述电容另一端连接所述电流检测电路高电位端，所述稳压管阳极连接所述电流检测电路低电位端。
与现有技术相比，本实用新型的一种冲击电流限制电路及其相应的斩波调光系统，由于在线路中设置了所述冲击电流限制电路，因此，若在线路中的电流值瞬时较大时，即线路中流过冲击电流大于所述预设值时，控制所述开关器件关断，使所述阻抗器件连接在线路中，增大了回路的阻抗，使冲击电流不大于所述预设值，有效的限制了冲击电流的大小；同时，在所述开关器件关断之后延迟所述的延迟设定时间，使所述开关器件导通，即在电路处于稳定工作状态时导通所述的开关器件，使回路的阻抗回到原有的水平，以降低稳定工作状态时的回路阻抗和损耗。由于在所述开关器件关断之后延迟了一定时间(即所述延迟设定时间)才导通该开关器件，而在该延迟时间内，线路中的阻抗较大，从而有效防止了线路中的震荡，消除了由震荡引起的调光器非正常工作的问题。
附图说明
图1为现有技术中一种可控硅调光器的电路结构；
图2为图1之输出的斩波电压时序图；
图3为本实用新型一种冲击电流限制电路的电路结构示意图；
图4为图3之冲击电流限制电路的一实施例电路图；
图5为本实用新型一种将冲击电流限制电路运用于斩波调光系统的电路结构示意图；
图6为图5之冲击电流限制电路的一实施例电路图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例并结合附图说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本实用新型的其它优点与功效。本实用新型亦可通过其它不同的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不背离本实用新型的精神下进行各种修饰与变更。
结合附图3，对本实用新型提供的一种冲击电流限制电路电路结构进行详细描述。
本实用新型提供一种的冲击电流限制电路中，至少包括：开关器件、阻抗器件、电流检测电路和驱动及延迟导通控制电路。所述开关器件非控制端并联在所述阻抗器件低电位端和高电位端形成并联支路，且所述并联支路与电流检测电路串联，所述并联支路中一电流I流入的一端为其高位端，所述电流I流出的一端为其低电位端；所述电流检测电路中，所述电流I流入的一端为所述电流检测电路高电位端，而所述电流I流出的一端为所述电流检测电路低电位端，且所述电流检测电路低电位端为参考电位端，此时，所述电流检测电路用于检测所在支路的所述电流I，并在所述电流检测电路高电位端产生一电流检测信号；所述驱动及延迟导通控制电路用于接收所述电流检测信号并相应地的输出一控制信号，所述开关器件通过一控制端接收所述控制信号，并且，所述冲击电流限制电路中预设一预设值和一延迟设定时间。
所述电流I流入所述电流检测电路，所述电流检测电路输出电流检测信号给所述驱动及延迟导通控制电路，此时，所述驱动及延迟导通控制电路输入端接收所述电流检测信号，并以预先设定的预设值为参考值，若在线路中的所述电流I值瞬时较大时，即线路中流过的冲击电流大于所述预设值时，所述驱动及延迟导通控制电路输出端输出控制信号，所述开关器件通过其控制端接收所述控制信号，从而控制所述开关器件关断，在所述开关器件关断期间，会使所述阻抗器件连接在线路中，增大了回路的阻抗，使所述冲击电流不大于所述预设值，有效的限制了线路中冲击电流的大小，并且在所述开关器件关断的期间，所述电流I通过所述阻抗器件流入所述电流检测电路。
当所述开关器件关断之后，需要经过所述的延迟设定时间后，才使所述开关器件重新导通，即在串联了所述冲击电流限制电路的电流回路中的线路处于稳定工作状态时导通所述开关器件，此时，所述阻抗器件被旁路，使线路中的阻抗低于开关器件关断期间的阻抗，以降低稳定工作状态时的回路阻抗和损耗。
相应地，结合图4，本实用新型还提出了冲击电流限制电路的另一实施例，具体结构如下：
冲击电流限制电路至少包括开关器件、阻抗器件、电流检测电路和驱动及延迟导通控制电路。所述开关器件可以为N型MOS管Q或NPN三极管，所述阻抗器件可以为第一电阻R1，所述电流检测电路为第二电阻R2，所述驱动及延迟导通控制电路包括第三电阻R3、电容C和稳压管Zener。
当开关器件为N型MOS管Q时，所述N型MOS管Q通过漏极D，源极S并联在所述第一电阻R1高电位端和低电位端并形成并联支路，所述并联支路中一电流I流入的一端为其高电位端，所述电流I流出的一端为其低电位端，然后，所述并联支路再串联所述第二电阻R2，这里所述N型MOS管Q的漏极D、源极S为非控制端；所述第二电阻R2中电流I流入的一端为其高电位端，所述电流I流出的一端为其低电位端，所述第二电阻用于检测所在支路的所述电流I，在所述第二电阻R2高电位端产生一电流检测信号；所述第三电阻R3一端连接至连接一辅助电源+Vcc，其另一端与所述电容C一端和稳压管Zener阴极相连且连接至所述N型MOS管Q栅极G，且所述N型MOS管Q通过栅极G为N型MOS管Q控制端，且所述电容C另一端连接至所述第二电阻R2高电位端，所述稳压管Zener阳极连接至所述第二电阻R2低电位端。
由于第二电阻R2两端电压和电容C两端电压之和被稳压管Zener箝位在设定值，该设定值为稳压管的稳压值，当所述冲击电流限制电路中流过所述第二电阻R2的电流I达到所述驱动及延迟导通控制电路中预设值后，即所述电容C上的电压低于N型MOS管Q的导通阈值时，通过所述N型MOS管Q栅极G，控制所述N型MOS管Q关断，之后线路中的所述电流I流经所述第一电阻R1和所述第二电阻R2。当所述N型MOS管Q关断之后，所述辅助电源+Vcc通过所述第三电阻R3对所述电容C充电，该电容C的充电时间即为所述延迟设定时间，当所述电容C上的电压达到所述N型MOS管Q的导通阀值之后，所述电容C一端通过所述N型MOS管Q栅极G，控制所述N型MOS管Q导通，并将所述第一电阻R1旁路，此后稳定工作状态时线路中的电流I流经所述N型MOS管Q和所述第二电阻R2。
其中，所述预设值，由所述第二电阻R2的阻值和所述N型MOS管Q的门极导通阈值共同决定；所述延迟设定时间，由所述第三电阻R3的阻值和所述电容C的容值共同决定。
而且，所述驱动及延迟导通控制电路中所述的第三电阻R3连接至辅助电源+Vcc的一端可以替换为，连接至一整流桥正输出端。
当然，本领域技术人员应当知晓如何通过NPN三极管替换N型MOS管，且NPN三极管在所述冲击电流限制电路中的具体连接可以参见所述开关器件为N型MOS管Q的连接，在此不再一一赘述。
基于本实用新型提供的一种冲击电流限制电路，结合图5，本实用新型还提供一种将冲击电流限制电路运用于一种斩波调光系统中的电路结构。
在所述斩波调光系统中，至少包括交流电源Vin、斩波调光器和LED驱动器以及冲击电流限制电路，所述LED驱动器包括正输入端、负输入端、正输出端、负输出端，所述交流电源通过所述斩波调光器连接整流桥输入端，所述整流桥正输出端连接至所述LED驱动器正输入端，所述LED驱动器负输入端通过所述冲击电流限制电路连接至所述整流桥负输出端，所述LED驱动器正输出端、负输出端用于连接并驱动一LED电源负载，其中，所述冲击电流限制电路至少包括：
开关器件、阻抗器件、电流检测电路和驱动及延迟导通控制电路。所述开关器件非控制端并联在所述阻抗器件低电位端和高电位端形成并联支路，且所述并联支路与电流检测电路串联，所述并联支路中一电流I流入的一端为其高位端，所述电流I流出的一端为其低电位端，且所述并联支路高电位端连接至所述LED驱动器负输入端、并可用于接收所述LED驱动器的输入电流I；所述电流检测电路中所述电流I流入的一端为所述电流检测电路高电位端，所述电流I流出的一端为所述电流检测电路低电位端，且所述电流检测电路低电位端连接至所述整流桥负输出端并为参考电位端，通过所述电流检测电路检测所在支路的所述电流I，在所述电流检测电路高电位端产生一电流检测信号；所述驱动及延迟导通控制电路用于接收所述电流检测信号并相应的输出一控制信号，通过开关器件控制端接收所述控制信号，并且，所述冲击电流限制电路中预设一预设值和一延迟设定时间。
所述电流I流入所述电流检测电路，所述电流检测电路输出电流检测信号给所述驱动及延迟导通控制电路，此时，所述驱动及延迟导通控制电路输入端接收所述电流检测信号，并以预先设定的预设值为参考值，若在线路中的所述电流I值瞬时较大时，即线路中流过的冲击电流大于所述预设值时，所述驱动及延迟导通控制电路输出端输出控制信号，所述开关器件通过其控制端接收所述控制信号，从而控制所述开关器件关断，在所述开关器件关断期间，会使所述阻抗器件连接在线路中，增大了回路的阻抗，使所述冲击电流不大于所述预设值，有效的限制了线路中冲击电流的大小，并且在所述开关器件关断的期间，所述电流I通过所述阻抗器件流入所述电流检测电路。
当所述开关器件关断之后，需要经过所述的延迟设定时间后，才使所述开关器件重新导通，即在所述斩波调光器与所述LED驱动电路的电流回路中的线路处于稳定工作状态时导通所述开关器件，此时，所述阻抗器件被旁路，使线路中的阻抗低于开关器件关断期间的阻抗，以降低稳定工作状态时的回路阻抗和损耗。
相应地，结合图6，本实用新型还提出了一种将冲击电流限制电路运用于一种斩波调光系统中的另一实施例，具体结构如下：
冲击电流限制电路至少包括开关器件、阻抗器件、电流检测电路和驱动及延迟导通控制电路和。所述开关器件可以为N型MOS管Q或NPN三极管，所述阻抗器件可以为第一电阻R1，所述电流检测电路为第二电阻R2，所述驱动及延迟导通控制电路包括第三电阻R3、电容C和稳压管Zener。
当开关器件为N型MOS管Q时，所述N型MOS管Q通过漏极D，源极S并联在所述第一电阻R1高电位端和低电位端并形成并联支路，所述并联支路中一电流I的一端为其高电位端，所述电流I流出的一端为其低电位端，然后，所述并联支路再串联所述第一电阻R1，接着所述并联支路高电位端连接至所述LED驱动器负输入端、并可用于接收所述LED驱动器的输入电流I，这里所述N型MOS管Q的漏极D，源极S为非控制端；所述第二电阻R2中所述电流I流入的一端为其高电位端，所述电流I流出的一端为其低电位端，所述第二电阻低电位端连接至所述整流桥负输出端并为参考电位端，所述电流检测电路用于检测所在支路的所述电流I，并在所述第二电阻R2高电位端产生一电流检测信号；所述第三电阻R3一端连接至连接一辅助电源+Vcc，其另一端与所述电容一端和稳压管阴极相连且连接至所述N型MOS管Q栅极G，且所述N型MOS管Q通过栅极G为N型MOS管Q控制端，且所述电容另一端连接至所述第二电阻R2高电位端，所述稳压管Zener阳极连接至所述第二电阻R2低电位端。
由于第二电阻R2两端电压和电容C两端电压之和被稳压管Zener箝位在设定值，该设定值为稳压管的稳压值，当所述冲击电流限制电路中流过所述第二电阻R2的电流I达到所述驱动及延迟导通控制电路中预设值后，即所述电容C上的电压低于N型MOS管Q的导通阈值时，通过所述N型MOS管Q栅极G控制所述MOSFET管Q关断，之后线路中的所述电流I流经所述第一电阻R1和所述第二电阻R2。当所述N型MOS管Q关断之后，所述辅助电源+Vcc通过所述第三电阻R3对所述电容C充电，该电容C的充电时间即为所述延迟设定时间，当所述电容C上的电压达到所述N型MOS管Q的导通阀值之后，所述电容C一端通过所述N型MOS管Q栅极G，控制所述N型MOS管Q导通，并将所述第一电阻R1旁路，此后稳定工作状态时线路中的电流I流经所述N型MOS管Q和所述第二电阻R2。
其中，所述预设值，由所述第二电阻R2的阻值和所述N型MOS管Q的门极导通阈值共同决定；所述延迟设定时间，由所述第三电阻R3的阻值和所述电容C的容值共同决定。
而且，所述驱动及延迟导通控制电路中所述的第三电阻R3连接至辅助电源+Vcc的一端可以替换为，连接至所述整流桥正输出端。
当然，本领域技术人员应当知晓如何通过NPN三极管替换MOS管，且NPN三极管在所述冲击电流限制电路中的具体连接可以参见所述开关器件为MOS管Q的连接，在此不再一一赘述。
与现有技术相比，本实用新型的一种冲击电流限制电路及其相应的斩波调光系统，由于在线路中设置了所述冲击电流限制电路，因此，若在线路中的电流值瞬时较大时，即线路中流过冲击电流大于所述预设值时，控制所述开关器件关断，使所述阻抗器件连接在线路中，增大了回路的阻抗，使冲击电流不大于所述预设值，有效的限制了冲击电流的大小；同时，在所述开关器件关断之后延迟所述的延迟设定时间，使所述开关器件导通，即在电路处于稳定工作状态时导通所述的开关器件，使回路的阻抗回到原有的水平，以降低稳定工作状态时的回路阻抗和损耗。由于在所述开关器件关断之后延迟了一定时间(即所述延迟设定时间)才导通该开关器件，而在该延迟时间内，线路中的阻抗较大，从而有效防止了线路中的震荡，消除了由震荡引起的调光器非正常工作的问题。
上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何本领域技术人员均可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰与改变。因此，本实用新型的权利保护范围，应如权利要求书所列。
Claims (10)
1.一种冲击电流限制电路，其特征在于，所述冲击电流限制电路至少包括：
开关器件和阻抗器件，所述开关器件非控制端并联在所述阻抗器件低电位端和高电位端形成并联支路，且所述并联支路与电流检测电路串联；
检测所在支路电流的电流检测电路，其低电位端为参考电位端，并在其高位端产生一电流检测信号；
接收所述电流检测信号，且当所述电流检测电路检测到的所述电流大于一预设值时输出一控制信号以控制所述开关器件关断，经过一延迟设定时间后，再输出一控制信号以控制所述开关器件导通的驱动及延迟导通控制电路，其输出端连接所述开关器件控制端。
2.根据权利要求1所述的冲击电流限制电路，其特征在于：所述开关器件为N型MOS管时，其漏极和源极为非控制端，其漏极连接所述阻抗器件高电位端，其源极连接所述阻抗器件低电位端，其栅极接收所述控制信号；所述开关器件为NPN三极管时，其集电极和发射极为非控制端，其集电极连接所述阻抗器件高电位端，其发射极连接所述阻抗器件低电位端，其基极接收所述控制信号。
3.根据权利要求1所述的冲击电流限制电路，其特征在于：所述阻抗器件为第一电阻，所述第一电阻通过其高电位端和其低电位端与所述开关器件非控制端并联形成并联支路，所述并联支路与电流检测电路串联。
4.根据权利要求1所述的冲击电流限制电路，其特征在于：所述电流检测电路为第二电阻，所述第二电阻低电位端为参考电位端，并在其高位端产生一电流检测信号。
5.根据权利要求1所述的冲击电流限制电路，其特征在于：所述驱动及延迟导通控制电路包括第三电阻、电容和稳压管，所述第三电阻一端连接一辅助电源正端或连接一整流桥正输出端，其另一端与所述电容一端和所述稳压管阴 极相连且连接所述开关器件控制端；所述电容另一端连接所述电流检测电路高电位端，所述稳压管阳极连接所述电流检测电路低电位端。
6.一种斩波调光系统，其特征在于，所述斩波调光系统中至少包括交流电源、斩波调光器和LED驱动器以及冲击电流限制电路，所述LED驱动器包括正输入端、负输入端、正输出端、负输出端，所述交流电源通过所述斩波调光器连接整流桥输入端，所述整流桥正输出端连接至所述LED驱动器正输入端，所述LED驱动器负输入端通过所述冲击电流限制电路连接至所述整流桥负输出端，所述LED驱动器正输出端、负输出端用于连接并驱动一LED负载，其中，所述冲击电流限制电路至少包括：
开关器件和阻抗器件，所述开关器件非控制端并联在所述阻抗器件低电位端和高电位端形成并联支路，且所述并联支路与电流检测电路串联；
检测所在支路电流的电流检测电路，其低电位端为参考电位端，并在其高位端产生一电流检测信号；
接收所述电流检测信号，且当所述电流检测电路检测到的所述电流大于一预设值时输出一控制信号以控制所述开关器件关断，经过一延迟设定时间后，再输出一控制信号以控制所述开关器件导通的驱动及延迟导通控制电路，其输出端连接所述开关器件控制端。
7.根据权利要求6所述的斩波调光系统，其特征在于：所述开关器件为N型MOS管时，其漏极和源极为非控制端，其漏极连接所述阻抗器件高电位端，其源极连接所述阻抗器件低电位端，其栅极接收所述控制信号；所述开关器件为NPN三极管时，其集电极和发射极为非控制端，其集电极连接所述阻抗器件高电位端，其发射极连接所述阻抗器件低电位端，其基极接收所述控制信号。
8.根据权利要求6所述的斩波调光系统，其特征在于：所述阻抗器件为第一电阻，通过其高电位端和其低电位端与所述开关器件非控制端并联形成并联支路，所述并联支路与电流检测电路串联，所述第一电阻的高电位端还连接至所述LED驱动器负输入端。
9.根据权利要求6所述的斩波调光系统，其特征在于：所述电流检测电路为第二电阻，所述第二电阻低电位端连接至所述整流桥负输出端为参考电位端，并在其高位端产生一电流检测信号。
10.根据权利要求6所述的斩波调光系统，其特征在于：所述驱动及延迟导通控制电路包括第三电阻、电容和稳压管，所述第三电阻一端连接一辅助电源或者连接所述整流桥正输出端，其另一端与所述电容一端和所述稳压管阴极相连且连接所述开关器件控制端；所述电容另一端连接所述电流检测电路高电位端，所述稳压管阳极连接所述电流检测电路低电位端。
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2012
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