CN202421432U - 一种大功率mosfet管质量检测仪 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种大功率MOSFET管质量检测仪，频率发生测量控制器A首先发出PWM频率输出到运放OP1上，通过限流电阻R1，加载到大功率MOSFET管Q3上基极上，大功率MOSFET管Q3随着控制极的PWM脉冲向负载电阻R3输出电流，通过频率采样点，将采样频率输回到频率发生测量控制器A中进行分析显示，同步频率数据通过LCD液晶屏B显示输入输出频率波形对比。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种大功率MOSFET管质量检测仪，属于集成电路及电子元器件检测领域。
背景技术
功率MOSFET(金属－氧化物-半导体场效应晶体管)是最重要的一种功率场效应晶体管，功率MOSFET为功率集成器件，内含数百乃至上万个相互并联的MOSFET单元。为提高其集成度和耐压性,大都采用垂直结构(即VMOS)，如VVMOS（V型槽结构）、VUMOS、SIPMOS等，由于内含单元多，器件在出厂或是用户收到器件后，易发生损坏现象，用普通的方法不能测得MOSFET的特性，因为大功率MOSFET管在实际工程中多应用到变频、恒流等均接受频率控制的领域，因此，需要使用专门仪器来检测MOSFET管的性能。
发明内容
本实用新型涉及一种大功率MOSFET管质量检测仪，以实现对大功率MOSFET质量检测和评定。
为实现上述的目的，本实用新型采用如下技术方案：频率发生测量控制器A首先发出PWM频率输出到运放OP1上，然后调整为正负12V的驱动电压，通过限流电阻R1，加载到大功率MOSFET管Q3上基极上，大功率MOSFET管Q3随着控制极的PWM脉冲向负载电阻R3输出电流，通过频率采样点，将采样频率输回到频率发生测量控制器A中进行分析显示，同步频率数据通过LCD液晶屏B显示输入输出频率波形对比，PWM频由低频向高频自动增加，直到收到PWM频发生严重失真，认为此MOSFET管的截止频率为当前频率。如果MOSFET管发生短路或是断开情况，则不会出现频率，直接报警，LCD屏显示当前器件损坏情况；MOSFET管的截止频率如不满足需要预设值，同样报警，并通过LCD屏显示相关信息。
本实用新型能批量检测MOSFET管的质量情况，大大提高了变频产器或电源产品的成品率，避免因元器件问题造成的不必要的设备故障。
附图说明：
附图1是本实用新型的电路工作原理图
具体实施方式：
为了使本实用新型的技术方案更加清楚明白，以下结合附图和实施例，对本实用新型进一步详细说明，此处所描述的具体实例，仅仅用以解释本实用新型，并不用于限制本实用新型。
实施例：
请参阅附图1所示，频率发生测量控制器A首先发出PWM频率输出到运放OP1上，然后调整为正负12V的驱动电压，通过限流电阻R1，加载到大功率MOSFET管Q3上基极上，大功率MOSFET管Q3随着控制极的PWM脉冲向负载电阻R3输出电流，通过频率采样点，将采样频率输回到频率发生测量控制器A中进行分析显示，同步频率数据通过LCD液晶屏B显示输入输出频率波形对比，PWM频由低频向高频自动增加，直到收到PWM频发生严重失真，认为此MOSFET管的截止频率为当前频率。如果MOSFET管发生短路或是断开情况，则不会出现频率，直接报警，LCD屏显示当前器件损坏情况；MOSFET管的截止频率如不满足需要预设值，同样报警，并通过LCD屏显示相关信息。
Claims (1)
1.本实用新型涉及一种大功率MOSFET管质量检测仪，其特征在于：频率发生测量控制器A首先发出PWM频率输出到运放OP1上，然后调整为正负12V的驱动电压，通过限流电阻R1，加载到大功率MOSFET管Q3上基极上，大功率MOSFET管Q3随着控制极的PWM脉冲向负载电阻R3输出电流，通过频率采样点，将采样频率输回到频率发生测量控制器A中进行分析显示，同步频率数据通过LCD液晶屏B显示输入输出频率波形对比，PWM频由低频向高频自动增加，直到收到PWM频发生严重失真，认为此MOSFET管的截止频率为当前频率。如果MOSFET管发生短路或是断开情况，则不会出现频率，直接报警，LCD屏显示当前器件损坏情况。MOSFET管的截止频率如不满足需要预设值，同样报警，并通过LCD屏显示相关信息。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106354692A (zh) * | 2016-08-30 | 2017-01-25 | 工业和信息化部电子第五研究所 | 面向SoC的片上TDDB退化监测及失效预警电路 |
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2011
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN106354692A (zh) * | 2016-08-30 | 2017-01-25 | 工业和信息化部电子第五研究所 | 面向SoC的片上TDDB退化监测及失效预警电路 |
| CN106354692B (zh) * | 2016-08-30 | 2019-05-03 | 工业和信息化部电子第五研究所 | 面向SoC的片上TDDB退化监测及失效预警电路 |
| US10503578B2 (en) | 2016-08-30 | 2019-12-10 | Fifth Electronics Research Institute Of Ministry Of Industry And Information Technology | On-chip TDDB degradation monitoring and failure early warning circuit for SoC |
| CN110568334A (zh) * | 2018-06-01 | 2019-12-13 | 河南省无线发射传输管理中心 | 一种功放管检测装置及数据处理方法 |
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Granted publication date: 20120905 Termination date: 20121201 |