CN202261772U - 一种静音失效保护电路 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种静音失效保护电路，包括电源输入端、音频芯片、功放芯片与负载，其特征在于：还包括三极管(Q1)、场效应管(Q4)和单片机；所述三极管(Q1)的基极与所述场效应管(Q4)的栅极均连接所述单片机，并在所述单片机输出低电平时导通；所述三极管(Q1)的发射极连接电源输入端，其集电极分别连接音频芯片与功放芯片；场效应管(Q4)的源极连接电源输入端，其漏极连接负载。本实用新型在关机断电时能够迅速输出静音控制信号，从而有效避免了掉电时由于静音电路开始工作时间的延迟所导致设备出现异响问题。

Description

一种静音失效保护电路
技术领域
本实用新型涉及一种电路，具体是指一种静音电路。
背景技术
通常在电子产品的设计中会设置静音电路来消除设备在开关机的过程中过冲电压产生的POP Noise，POP Noise是指音频器件在上电、断电的瞬间以及上电稳定后，各种操作所带来的瞬间冲击所形成的爆破声，这种pop声会对设备的品质造成影响，是属于人们一直想办法避免的噪音。目前静音电路形式多样，虽然电路简单，成本较低，但静音效果不够理想。
发明创造内容
本实用新型的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种静音失效保护电路，关机断电时能够迅速输出静音控制信号，更可靠地实现开关机静音的目的。
本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：
一种静音失效保护电路，包括电源输入端、音频芯片、功放芯片与负载，还包括三极管Q1、场效应管Q4和单片机(MCU IC)；所述三极管Q1的基极与所述场效应管Q4的栅极均连接所述单片机(MCU IC)，并在所述单片机(MCU IC)输出低电平时导通；所述三极管Q1的发射极连接电源输入端，其集电极分别连接音频芯片与功放芯片；场效应管Q4的源极连接电源输入端，其漏极连接负载。
所述三极管Q1通过三极管Q2和三极管Q3连接所述音频芯片和功放芯片，其中，所述三极管Q2和三极管Q3的基极连接所述三极管Q1的集电极，所述三极管Q2和三极管Q 3的集电极均分别连接所述音频芯片与功放芯片，所述三极管Q2和三极管Q3的发射极接地。
所述场效应管Q4的漏极与负载之间还连接有滤波电容EC1和滤波电容C5。
本实用新型相比现有技术具有以下优点及有益效果：
本实用新型在关机断电时能够迅速输出静音控制信号，从而有效避免了掉电时由于静音电路开始工作时间的延迟所导致设备出现异响问题。
附图说明
图1是本实用新型一种静音失效保护电路的原理图
具体实施方式
下面结合实施例及附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。
实施例
如图1所示，一种静音失效保护电路，包括电源输入端、音频芯片、功放芯片与负载，还包括三极管Q1、场效应管Q4和MCU IC；所述三极管Q1的基极与所述场效应管Q4的栅极均连接所述MCU IC，并在所述MCU IC输出低电平时导通；所述三极管Q1的发射极连接电源输入端，其集电极分别连接音频芯片与功放芯片；场效应管Q4的源极连接电源输入端，其漏极连接负载。
所述三极管Q1通过三极管Q2和三极管Q3连接所述音频芯片和功放芯片，其中，所述三极管Q2和三极管Q3的基极连接所述三极管Q1的集电极，所述三极管Q2和三极管Q 3的集电极均分别连接所述音频芯片与功放芯片，所述三极管Q2和三极管Q3的发射极接地。
所述场效应管Q4的漏极与负载之间还连接有滤波电容EC1和滤波电容C5。
当开机上电时，电源输入端输出电压，本实施例输出+3.3V，也可以是其他电位的电压，本实用新型对此不进行限制，+3.3V通过电阻R1加在三极管Q1的发射极，同时MCU IC通过电阻R2向三极管Q1的基极输入低电平，此时三极管Q1的发射极电位高于基极电位，使得三极管Q1导通，导通后的高电平通过电阻R3分别输入三极管Q2与三极管Q3的基极，使得三极管Q2与三极管Q3导通，从而输出静音信号，音频芯片用于输出音频信号至功放芯片，控制功放芯片工作在静音状态，由此完成开机静音过程(MUTE)。开机静音完成后，MCU IC向三极管Q1输出高电平，使得三极管Q1截止，电路进入正常工作模式。
与此同时MCU IC通过电阻R5向场效应管Q4的栅极也输入低电平，场效应管Q4导通，使得负载所需要的电压能通过场效应管Q4平稳缓慢地导通，这样就避免了开机的瞬间负载的前端电容C5会被瞬间充电而导致负载断电停止工作的情况。
在关机断电的时候，电源输入端的电位开始下降时，MCU IC会先向三极管Q1的基极与场效应管Q4的栅极同时输出低电平，三极管Q1导通，导通后的高电平通过电阻R3分别输入三极管Q2与三极管Q3的基极，使得三极管Q2与三极管Q3导通，从而输出静音信号，音频芯片用于输出音频信号至功放芯片，控制功放芯片工作在静音状态，由此完成关机静音过程(MUTE)；
由于场效应管Q4的栅极同时也得到MCU IC输出的一个低电平，而此时电源输入端的电位刚开始下降，加在场效应管Q4的源极电位仍比栅极电位高，使得场效应管Q4能缓慢导通，而不是快速导通，从而避免了负载的快速Drop(掉电)把电源输入端的电位迅速拉低而影响上述关机静音过程，即使得电源输入端在输入无效的导通电位之前，静音控制信号能及时输出。
上述实施例为本实用新型较佳的实施方式，但本实用新型的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种静音失效保护电路，包括电源输入端、音频芯片、功放芯片与负载，其特征在于：还包括三极管(Q1)、场效应管(Q4)和单片机；所述三极管(Q1)的基极与所述场效应管(Q4)的栅极均连接所述单片机，并在所述单片机输出低电平时导通；所述三极管(Q1)的发射极连接电源输入端，其集电极分别连接音频芯片与功放芯片；场效应管(Q4)的源极连接电源输入端，其漏极连接负载。
2.根据权利要求1所述的一种静音失效保护电路，其特征在于：所述三极管(Q1)通过三极管(Q2)和三极管(Q3)连接所述音频芯片和功放芯片，其中，所述三极管(Q2)和三极管(Q3)的基极连接所述三极管(Q1)的集电极，所述三极管(Q2)和三极管(Q3)的集电极均分别连接所述音频芯片与功放芯片，所述三极管(Q2)和三极管(Q3)的发射极接地。
3.根据权利要求1所述的一种静音失效保护电路，其特征在于：所述场效应管(Q4)的漏极与负载之间还连接有滤波电容(EC1)和滤波电容(C5)。
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