CN202258814U - 一种薄膜电容器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种薄膜电容器,包括金属层、绝缘层和设置在金属层上的引出接头,所述金属层包括第一金属层和第二金属层,所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层,所述第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和第二绝缘层从上到下依次设置。本实用新型的有益效果是:实现高频区域的噪音隔离,扩大了薄膜电容器的使用范围。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种薄膜电容器,特别涉及到在电源侧替代陶瓷电容器接地用的薄膜电容器。
背景技术
随着现在开关电源的广泛使用,但各种电器之间的干扰也越来越严重,因此在国际上针对电磁兼容提出了要求。在电源侧一般使用X电容以及Y电容组成EMC(Electro Magnetic Compatibility:电磁兼容性)过滤器,以前一般Y电容使用的陶瓷电容,由于陶瓷电容自身的特点,受温度的影响特别大,参照温度特性曲线,到20℃的时候,陶瓷电容的静电容量逐渐减少,当温度到100℃的时候.陶瓷电容的静态容量只达到原来的50%以上,当温度上升时对高频噪声的吸收大大减少,针对海外的市场对EMC检查的要求,阻碍电容器向小型化的发展。
实用新型内容
本实用新型为解决上述技术问题是提供一种接地用小型化薄膜电容器,受温度的影响小,对高频噪音的吸收起到良好的隔离效果。
本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:一种薄膜电容器,包括金属层、绝缘层和设置在金属层上的引出接头,所述金属层包括第一金属层和第二金属层,所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层,所述第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和第二绝缘层依次设置。
进一步的,所述第一金属层和第二金属层上均设有引出的接头。
进一步的,所述第一金属层分割为相互不连通的两部分,在这两部分上均设有引出的接头。
进一步的,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均为电介质薄膜。
进一步的,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均包括两层电介质薄膜。
进一步的,所述第一金属层和所述第二金属层采用铝或含有铝合金的金属箔制成。
进一步的,所述接头为镀铜线或铜线。
进一步的,所述金属层和绝缘层均为带状。
本实用新型的有益效果是:实现高频区域的噪音隔离,扩大了薄膜电容器的使用范围。
附图说明
图1为本实用新型实施例1结构示意图;
图2为本实用新型实施例2结构示意图;
图3为本实用新型实施例3结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本实用新型,并非用于限定本实用新型的范围。
实施例1:如图1所示,一种薄膜电容器,包括金属层、绝缘层和设置在金属层上的引出接头,所述金属层包括带状第一金属层1和带状第二金属层3,所述绝缘层包括带状第一绝缘层2和带状第二绝缘层4,所述第一金属层1、第一绝缘层2、第二金属层3和第二绝缘层4依次设置。所述第一金属层1和第二金属层3上均设有引出的接头5。
所述第一绝缘层2和所述第二绝缘层4均为电介质薄膜。
所述第一绝缘层2和所述第二绝缘层4均包括两层电介质薄膜。
所述第一金属层1和所述第二金属层3采用铝或含有铝合金的金属箔制成。
所述接头5为镀铜线或铜线。
实施例2:如图2所示,本实施例与实施例1的区别在于:所述第一金属层1分割为相互不连通的两部分,在这两部分上均设有引出的接头5。
实施例3:如图3所示,本实施例与实施例2的区别在于:所述第一绝缘层2和第二绝缘层4均由一层电介质薄膜构成。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种薄膜电容器,包括金属层、绝缘层和设置在金属层上的引出接头,其特征在于:所述金属层包括第一金属层和第二金属层,所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层,所述第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和第二绝缘层依次设置。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜电容器,其特征在于:所述第一金属层和第二金属层上均设有引出的接头。
3.根据权利要求1所述的一种薄膜电容器,其特征在于:所述第一金属层分割为相互不连通的两部分,在这两部分上均设有引出的接头。
4.根据权利要求1、2或3所述的一种薄膜电容器,其特征在于:所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均为电介质薄膜。
5.根据权利要求4所述的一种薄膜电容器,其特征在于:所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均包括两层电介质薄膜。
6.根据权利要求1、2或3所述的一种薄膜电容器,其特征在于:所述第一金属层和所述第二金属层采用铝或含有铝合金的金属箔制成。
7.根据权利要求1、2或3所述的一种薄膜电容器,其特征在于:所述接头为镀铜线或铜线。
8.根据权利要求1、2或3所述的一种薄膜电容器,其特征在于:所述金属层和绝缘层均为带状。
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CN2011203481931U CN202258814U (zh) | 2011-09-16 | 2011-09-16 | 一种薄膜电容器 |
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CN202258814U true CN202258814U (zh) | 2012-05-30 |
Family
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CN (1) | CN202258814U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107768142A (zh) * | 2016-08-19 | 2018-03-06 | 钰邦电子(无锡)有限公司 | 用于提升介电常数的薄膜电容器及其制作方法 |
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2011
- 2011-09-16 CN CN2011203481931U patent/CN202258814U/zh not_active Expired - Fee Related
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CN107768142A (zh) * | 2016-08-19 | 2018-03-06 | 钰邦电子(无锡)有限公司 | 用于提升介电常数的薄膜电容器及其制作方法 |
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Legal Events
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GR01 | Patent grant | ||
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Granted publication date: 20120530 Termination date: 20190916 |