一种基于保护可控硅的触发控制电路
技术领域
本实用新型涉及漏电断路器产品上的可控硅触发控制电路,特别涉及一种工作电源电压较高且带漏电采样芯片基于保护可控硅的电路。
背景技术
常规的漏电断路器产品一般是通过触发可控硅的门极使可控硅导通,此时串联在电源端的脱扣线圈开始工作拉动产品上的脱扣装置将电源断开。漏电信号采集一端一般有专用漏电芯片(以下简称集成)和直接采集两种方式,而集成采集电路多用于要求较高的用电场合。当漏电断路器产品上的电子组件板接通电源后,交流电压经整流后将直接施加在可控硅的阴阳极两端,如果工作电源电压较高时(三相380V电压),此时可控硅两端的直流电压超过400V,而它的反向耐压值至少得在1000V以上,对单个可控硅的参数要求很高,如果在可控硅两端没有保护电路或只有简单的阻容吸收回路,产品的好坏将直接取决于可控硅的个体参数,使产品本身具有很大的质量风险和隐患,且长期工作的可靠性也不是很强。
图1 所示为现有一般的可控硅触发控制电路,电路中没有任何保护可控硅的元件,当选用可控硅的参数稍有波动或电源端有较大浪涌电压时,产品可能会因可控硅击穿而失效。
图2 所示为现在较好的可控硅触发控制电路,在可控硅两端有简单的阻容吸收回路,对电源端的浪涌电压有一定的抑制作用,但选用可控硅的参数稍有波动时也容易使可控硅失效,对可控硅本身要求较高。
发明内容
本实用新型克服现有技术存在的问题,提供一种将原来的单规电路改成现在的双规控制电路,电子组件板上的元件工作压力较平衡,使漏电断路器产品的耐压在原有基础上提高近一倍,在较高工作电源电压和较严酷的用电环境下也能可靠的正常工作的基于保护可控硅的触发控制电路。
为了实现以上目的,本实用新型采用如下技术方案,一种基于保护可控硅的触发控制电路,包括电源端的触发可控硅Q2,其特征在于:还包括电源端的耐高压分压电阻R1、R2,限流电阻R3,压降电阻R4,滤波电容C1,分压可控硅Q1,其中分压可控硅Q1和触发可控硅Q2串接在一起,即Q1的脚2接电源正极,Q1的脚1连着Q2的脚2,Q2的脚1接电源负极,耐高压分压电阻R1、R2并接在电源两端,限流电阻R3从耐高压分压电阻R1和R2间引出连接到分压可控硅Q1的脚3,压降电阻R4和滤波电容C1并接在分压可控硅Q1的脚3和脚1之间。
采用上述方案本实用新型的有益效果为:电路简单可靠、成本低廉、抗干扰能力强。因电子组件板上的元件工作压力较平衡,选用常规性能参数的可控硅即可,在工作电源电压较高的用电场合也能可靠的工作,适用于工作电压高且耐压要求高的漏电产品,比如在漏电断路器上的380V集成式电子组件板等电路中非常有效而实用。
本实用新型的进一步设置是:所述的分压可控硅Q1和触发可控硅Q2为单向可控硅,所述的耐高压分压电阻R1、R2是固定电阻或可变电阻;所述的电阻R3、电阻R4是固定电阻或可变电阻;所述的电容C1是无极性电容。
下面结合附图对本实用新型作进一步描述。
附图说明
图1 为现有一般的可控硅触发控制电路结构示意图;
图2 为现在较好的可控硅触发控制电路结构示意图;
图3 为本实用新型电路的结构示意图。
具体实施方式
如图3所示,一种基于保护可控硅的触发控制电路,包括包括电源端的触发可控硅Q2,在本实用新型实施例中,还包括电源端的耐高压分压电阻R1、R2,限流电阻R3,压降电阻R4,滤波电容C1,分压可控硅Q1,其中分压可控硅Q1和触发可控硅Q2串接在一起,即Q1的脚2接电源正极,Q1的脚1连着Q2的脚2,Q2的脚1接电源负极,耐高压分压电阻R1、R2并接在电源两端,限流电阻R3从耐高压分压电阻R1和R2间引出连接到分压可控硅Q1的脚3,压降电阻R4和滤波电容C1并接在分压可控硅Q1的脚3和脚1之间。输入信号触发可控硅Q2导通后,相当于触发可控硅Q2的阳极为电源地,此时电源的正极经耐高压分压电阻R1、限流电阻R3、压降电阻R4、滤波电容C1滤波后,在分压可控硅Q1的门极和阴极间产生一定的压降,足以让分压可控硅Q1导通,这样在导通时相当于两个可控硅同时承担电源端的电压和浪涌电压。其中触发可控硅Q2起触发控制作用,可根据触发电流大小进行选定。耐高压分压电阻R1、R2起分压作用,是固定电阻或可变电阻,耐压值和电阻值需计算得出。限流电阻R3是固定电阻或可变电阻,其阻值和功率根据电源电压大小进行选定。压降电阻R4是固定电阻或可变电阻,其阻值和功率根据电源电压大小进行选定。滤波电容C1是无极性电容,其电容量和耐压值需计算得出。
本电路中的分压部分使电路工作在双规状态即触发时两个可控硅同时导通,但耐压值提升了一倍,大大提高了产品的耐压及抗浪涌能力,使产品在较高工作电源电压和较严酷的用电环境下也能可靠的正常工作。