CN202167499U - 利用率高的太阳能硅片 - Google Patents

利用率高的太阳能硅片 Download PDF

Info

Publication number
CN202167499U
CN202167499U CN2011202883241U CN201120288324U CN202167499U CN 202167499 U CN202167499 U CN 202167499U CN 2011202883241 U CN2011202883241 U CN 2011202883241U CN 201120288324 U CN201120288324 U CN 201120288324U CN 202167499 U CN202167499 U CN 202167499U
Authority
CN
China
Prior art keywords
solar silicon
silicon wafer
silicon wafers
utilization rate
plane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2011202883241U
Other languages
English (en)
Inventor
陈一鸣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WENZHOU SUOLE NEW ENERGY TECHNOLOGY CO LTD
Original Assignee
WENZHOU SUOLE NEW ENERGY TECHNOLOGY CO LTD
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WENZHOU SUOLE NEW ENERGY TECHNOLOGY CO LTD filed Critical WENZHOU SUOLE NEW ENERGY TECHNOLOGY CO LTD
Priority to CN2011202883241U priority Critical patent/CN202167499U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN202167499U publication Critical patent/CN202167499U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种利用率高的太阳能硅片，包括本体，上平面和下平面组成，由上平面、下平面组成的方形薄片，方形薄片四角为倒角。本实用新型的有益效果：加工工艺简单，精度高，切削余料可回收再利用，降低了产品的制造成本，产品合格率高。

Description

利用率高的太阳能硅片
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能硅片，是一种太阳能电池基片材料。
背景技术
目前太阳能硅片是将硅单晶结晶圆棒切割而成的高质量硅片。目前国内硅晶材料稀缺，价格昂贵。随着可再生能源的广泛应用，太阳能硅片的市场需求量越来越大。传统的即目前国际上普遍使用的太阳能硅片为四角为圆角的方形薄片，厚度在200um以上，这种太阳能级电池硅片的加工程序为：先将硅晶圆棒切割成截面为方形、四角留有坯棒圆棱的柱体，而后再用砂轮将坯棒圆棱滚磨到标准圆角尺寸，磨削量约为2mm-4mm。这种截面状的太阳能硅片存在以下缺点：一是滚磨加工下来的废屑为粉末状，飘扬在空气中污染环境，且不能回收再利用；二是滚磨加工容易损伤柱体圆棱，发生崩边和爆裂等质量问题，从而降低了成品的合格率。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种加工简便，产品合格率高，制造成本低的利用率高的太阳能硅片。
为了实现上述目的，本实用新型解决其技术问题所采取的技术方案是：
利用率高的太阳能硅片，包括本体，上平面和下平面组成，由上平面、下平面组成的方形薄片，方形薄片四角为倒角。
所述本体的上平面和下平面的距离在165um～195um范围内，其本体的翘曲度小于751um。
采用上述技术方案后，改变传统用砂轮滚磨四角为圆角的工序为采用高精密机床将硅晶圆棒直接切割成截面为方形、四角为相同45度倒角的八角方型柱体。其优点为：(1)该截面状的利用率高的太阳能硅片完全由精密机床切割而成，加工工艺简单，精度高，切削余料可回收再利用，降低了产品的制造成本。(2)免除了砂轮滚磨半成品硅晶棒柱体圆棱的加工工序，不再发生棱角崩边和爆裂现象，提高了成品的合格率。(3)将利用率高的太阳能硅片的厚度从200ym降至180Lun，并保证其本体的翘曲度小于75ym，使每公斤硅晶圆棒的硅片产出量增加。
附图说明
图1为本实用新型的立体示意图；
图2为本实用新型主视示意图：
图3为图2俯视示意图；
图4为本实用新型成品加工示意图；
图5为图4中A的示意图。
具体实施方式
实施例1：
见图1、图2和图3所示为太阳能硅片立体示意图、主视图和俯视图，本实施例为规格125mmX125mm的太阳能硅片，一种太阳能硅片，包括本体1，上平面2和下平面3组成，由上平面2、下平面3组成的方形薄片，方形薄片四角4为倒角，所述本体1的上平面2和下平面3的距离在165um～195um范围内，其本体1的翘曲度小于751um，表面光洁、平整、无瑕疵，其翘曲度小于751um。本体1的宽度为C。
见图4所示为太阳能硅片的成品加工示意图。
传统太阳能硅片的加工方法是先将D＝￠156mm硅单晶结晶棒切割成截面为125mm X125mm方形、四角为留有坯棒圆棱的柱体，而后采用砂轮将坯棒圆棱滚磨到F＝￠150mm的标准圆角尺寸。
本实施例的加工方法是采用高精密机床直接将D＝￠156mm硅单晶结晶坯棒直接切割成截面为125mm X125mm方形、四角为倒角、倒角对边距离为B＝147.02mm的八角方型柱体，然后沿柱体轴线方向切割成厚度为180um+15um的太阳能硅片。
见图5所示为超薄太阳能硅片的传统加工方法即四角为圆角与本实用新型即倒角的太阳能硅片材料利用情况示意图。图中最外层圆弧是硅晶棒坯体尺寸，里层圆弧是传统法需要用砂轮滚磨后的主体尺寸。
实施例2：
实施例2为规格156mmX156mm的超薄太阳能硅片，由上平行平面2、下平行平面3组成的方形薄片，方形薄片四角4为四个相同角，所述本体1的上平面2和下平面3的距离在165um～195um范围内，其本体1的翘曲度小于751um，表面光洁、平整、无瑕疵，其翘曲度小于751um。本实施例加工方法是采用高精密机床直接将D＝￠203mm硅单晶结晶棒切割成截面为156mmX156mm方形、四角为倒角，对角距离为B＝195mm的八角方型柱体，然后沿柱体轴线方向切割成厚度为180um+15um的超薄的太阳能硅片。

Claims (3)

1.利用率高的太阳能硅片，包括本体(1)，上平面(2)和下平面(3)组成，其特征在于：由上平面(2)、下平面(3)组成的方形薄片，方形薄片四角(4)为倒角。
2.根据权利要求1所述的利用率高的太阳能硅片，其特征在于：所述本体(1)的上平面(2)和下平面(3)的距离在165um～195um范围内。
3.根据权利要求1所述的利用率高的太阳能硅片，其特征在于：其本体(1)的翘曲度小于751um。
CN2011202883241U 2011-08-10 2011-08-10 利用率高的太阳能硅片 Expired - Fee Related CN202167499U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011202883241U CN202167499U (zh) 2011-08-10 2011-08-10 利用率高的太阳能硅片

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011202883241U CN202167499U (zh) 2011-08-10 2011-08-10 利用率高的太阳能硅片

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN202167499U true CN202167499U (zh) 2012-03-14

Family

ID=45803308

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011202883241U Expired - Fee Related CN202167499U (zh) 2011-08-10 2011-08-10 利用率高的太阳能硅片

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN202167499U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015043099A1 (zh) * 2013-09-26 2015-04-02 中国科学院半导体研究所 形成截面为多边形的具有辨识或倒角的晶棒、衬底方法及晶棒和衬底
CN111029440A (zh) * 2019-12-11 2020-04-17 晶科能源有限公司 一种单晶电池及单晶硅片的制作方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015043099A1 (zh) * 2013-09-26 2015-04-02 中国科学院半导体研究所 形成截面为多边形的具有辨识或倒角的晶棒、衬底方法及晶棒和衬底
CN111029440A (zh) * 2019-12-11 2020-04-17 晶科能源有限公司 一种单晶电池及单晶硅片的制作方法
US11742453B2 (en) 2019-12-11 2023-08-29 Jinko Solar Co., Ltd. Method for manufacturing monocrystalline silicon wafer containing arced side, method for manufacturing monocrystalline silicon cell, and photovoltaic module

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100565935C (zh) 超薄太阳能级硅片及其切割工艺
CN202167499U (zh) 利用率高的太阳能硅片
CN202142545U (zh) 太阳能级单晶硅片
CN106738393B (zh) 一种采用电火花切割技术快速切割CdS单晶体的方法
CN201153124Y (zh) 超薄太阳能级硅片
CN204935373U (zh) 一种光学零件倒棱夹具
CN202336749U (zh) 三通、四通专用装夹胎具
CN202189771U (zh) 一种硅片加工卡具
CN202247006U (zh) 太阳能级单晶硅片
CN204868182U (zh) 加工用固定角度台
CN204935628U (zh) 花键轴叉铣花键划线工装
CN204315593U (zh) 一种太阳能级单晶硅片
CN204639374U (zh) 一种简易电火花机床夹具
CN107093627B (zh) 一种低损伤层微倒角的多晶硅片及其加工工艺
CN102371496A (zh) 导磁块、包括该导磁块的电磁吸力平台和铣床
CN202217669U (zh) 一种超薄太阳能级硅片
CN203536394U (zh) 多晶硅片水平制绒机的自动下料装置
CN204262599U (zh) 一种定位夹具
CN206533413U (zh) 一种手机后摄像头装饰件
CN202264136U (zh) 一种圆孔加工用万向珩磨用工作平台
CN202205764U (zh) 太阳能级多晶硅片
CN206475048U (zh) 一种圆形零件磨床加工治具
CN201950570U (zh) 磨块
CN205967565U (zh) 一种铣刀
CN103435254A (zh) 一种玻璃盖板切割工艺

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20120314

Termination date: 20140810

EXPY Termination of patent right or utility model