CN202153512U - 一种半导体晶块 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及半导体器件制造技术领域，特别是涉及一种半导体晶块。一种半导体晶块，包括晶片本体，晶块本体具有四个边，其特征是：所述的晶块本体的其中两个对应的边是一个长边和一个短边，所述的晶片本体四个边构成梯形结构，所述的晶片本体四个边构成扇形结构,这样结构的半导体晶块运用在扇形半导体块上致冷致热效率高、可以满足大功率需求的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体器件制造技术领域，特别是涉及一种半导体晶块。
背景技术
在现有技术中，所制造的半导体块一般是方形结构，这样的半导体块所使用的晶块是方形的，近阶段出现了扇形的半导体块，这样的半导体块还是运用的方形的晶块，这样的晶块制成的半导体器件具有致冷致热效率低的缺点，不能满足大功率的需求。
发明内容
本实用新型的目的就是针对上述缺点，提供一种运用在扇形半导体块上致冷致热效率高、可以满足大功率需求的半导体晶块。
本实用新型的技术方案是这样实现的：一种半导体晶块，包括晶片本体，晶块本体具有四个边，其特征是：所述的晶块本体的其中两个对应的边是一个长边和一个短边。
进一步的讲，所述的晶片本体四个边构成梯形结构。
或者，所述的晶片本体四个边构成扇形结构。
本实用新型的有益效果是：这样结构的半导体晶块运用在扇形半导体块上致冷致热效率高、可以满足大功率需求的优点。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
其中：1、晶片本体 2、长边 3、短边。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步的描述。
如图1所示，一种半导体晶块，包括晶片本体1，晶块本体1具有四个边，其特征是：所述的晶块本体的其中两个对应的边是一个长边2和一个短边3。
进一步的讲，所述的晶片本体1四个边构成梯形结构。
或者，所述的晶片本体1四个边构成扇形结构。
Claims (3)
1.一种半导体晶块，包括晶片本体，晶块本体具有四个边，其特征是：所述的晶块本体的其中两个对应的边是一个长边和一个短边。
2.根据权利要求1所述的半导体晶块，其特征是:所述的晶片本体四个边构成梯形结构。
3.根据权利要求1所述的半导体晶块，其特征是:所述的晶片本体四个边构成扇形结构。
Priority Applications (1)
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| CN2011202884386U CN202153512U (zh) | 2011-08-10 | 2011-08-10 | 一种半导体晶块 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN202153512U true CN202153512U (zh) | 2012-02-29 |
Family
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Family Applications (1)
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| CN2011202884386U Expired - Fee Related CN202153512U (zh) | 2011-08-10 | 2011-08-10 | 一种半导体晶块 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN202153512U (zh) |
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2011
- 2011-08-10 CN CN2011202884386U patent/CN202153512U/zh not_active Expired - Fee Related
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| GR01 | Patent grant | ||
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Granted publication date: 20120229 Termination date: 20120810 |