CN202153512U - 一种半导体晶块 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及半导体器件制造技术领域,特别是涉及一种半导体晶块。一种半导体晶块,包括晶片本体,晶块本体具有四个边,其特征是:所述的晶块本体的其中两个对应的边是一个长边和一个短边,所述的晶片本体四个边构成梯形结构,所述的晶片本体四个边构成扇形结构,这样结构的半导体晶块运用在扇形半导体块上致冷致热效率高、可以满足大功率需求的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体器件制造技术领域,特别是涉及一种半导体晶块。
背景技术
在现有技术中,所制造的半导体块一般是方形结构,这样的半导体块所使用的晶块是方形的,近阶段出现了扇形的半导体块,这样的半导体块还是运用的方形的晶块,这样的晶块制成的半导体器件具有致冷致热效率低的缺点,不能满足大功率的需求。
发明内容
本实用新型的目的就是针对上述缺点,提供一种运用在扇形半导体块上致冷致热效率高、可以满足大功率需求的半导体晶块。
本实用新型的技术方案是这样实现的:一种半导体晶块,包括晶片本体,晶块本体具有四个边,其特征是:所述的晶块本体的其中两个对应的边是一个长边和一个短边。
进一步的讲,所述的晶片本体四个边构成梯形结构。
或者,所述的晶片本体四个边构成扇形结构。
本实用新型的有益效果是:这样结构的半导体晶块运用在扇形半导体块上致冷致热效率高、可以满足大功率需求的优点。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
其中:1、晶片本体 2、长边 3、短边。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步的描述。
如图1所示,一种半导体晶块,包括晶片本体1,晶块本体1具有四个边,其特征是:所述的晶块本体的其中两个对应的边是一个长边2和一个短边3。
进一步的讲,所述的晶片本体1四个边构成梯形结构。
或者,所述的晶片本体1四个边构成扇形结构。
Claims (3)
1.一种半导体晶块,包括晶片本体,晶块本体具有四个边,其特征是:所述的晶块本体的其中两个对应的边是一个长边和一个短边。
2.根据权利要求1所述的半导体晶块,其特征是:所述的晶片本体四个边构成梯形结构。
3.根据权利要求1所述的半导体晶块,其特征是:所述的晶片本体四个边构成扇形结构。
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