CN202153492U - 隔离式打字训练键盘 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种隔离式打字训练键盘,包括键盘,在键盘的Z键和X键之间有高于这两个键上表面的第一隔断,X键和C键之间有高于这两个键上表面的第二隔断,C键和V键之间有高于这两个键上表面的第三隔断,V键和B键之间有高于这两个键上表面的第四隔断,B键和N键之间有高于这两个键上表面的第五隔断,N键和M键之间有高于这两个键上表面的第六隔断。本新型的键盘,为了满足人们盲打练习的需求,在相邻的两个键盘之间增加了隔断,隔断的高度高于键盘的上表面,这样就能够在盲打的时候阻止手指按在错误的键上。
Description
技术领域:
本实用新型涉及一种用于打字的电脑键盘,更具体的说涉及一种隔离式打字训练键盘。
背景技术:
电脑键盘是电脑的重要附件之一,很多人在岗接触电脑的时候,第一件事情就是利用键盘来学习如何打字,与人交流。而在练习打字的时候,因为是刚开始接触键盘,所以对于键盘没有手感,各个手指应该按的按键也不清楚,尤其是盲打的时候,更是费力。
实用新型内容:
本实用新型的目的是针对现有技术的不足之处,提供一种隔离式打字训练键盘。
本实用新型的技术解决措施如下:
隔离式打字训练键盘,包括键盘,在键盘的Z键和X键之间有高于这两个键上表面的第一隔断,X键和C键之间有高于这两个键上表面的第二隔断,C键和V键之间有高于这两个键上表面的第三隔断,V键和B键之间有高于这两个键上表面的第四隔断,B键和N键之间有高于这两个键上表面的第五隔断,N键和M键之间有高于这两个键上表面的第六隔断。
所述的隔离式打字训练键盘,所述第一隔断向上延伸至A键与S键、Q键与W键之间,第二隔断向上延伸至S键与D键、W键与E键之间,第三隔断向上延伸至D键与F键、E键与R键之间,第四隔断向上延伸至F键与G键、R键与T键之间,第五隔断向上延伸至G键与H键、T键与Y键之间,第六隔断向上延伸至H键与J键、Y键与U键之间。
所述的隔离式打字训练键盘,所述第一、第二、第三、第四、第五、第六隔断等高。
所述的隔离式打字训练键盘,所述第一隔断高于Z键和X键上表面5mm-10mm,第二隔断高于X键和C键上表面5mm-10mm,第三隔断高于C键和V键上表面5mm-10mm,第四隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm,第五隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm,第六隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm。
所述的隔离式打字训练键盘,在键盘的U键和I键之间有高于这两个键上表面的第七隔断、I键和O键之间有高于这两个键上表面的第八隔断。
所述的隔离式打字训练键盘,所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八隔断等高。
本实用新型有益效果在于:
本新型的键盘,为了满足人们盲打练习的需求,在相邻的两个键盘之间增加了隔断,隔断的高度高于键盘的上表面,这样就能够在盲打的时候阻止手指按在错误的键上。
附图说明:
下面结合附图对本实用新型做进一步的说明:
图1为本新型的结构示意图。
具体实施方式:
以下所述仅为本实用新型的较佳实施例,并非对本实用新型的范围进行限定。
实施例,见附图1,隔离式打字训练键盘,包括键盘1,在键盘的Z键和X键之间有高于这两个键上表面的第一隔断2,X键和C键之间有高于这两个键上表面的第二隔断3,C键和V键之间有高于这两个键上表面的第三隔断4,V键和B键之间有高于这两个键上表面的第四隔断5,B键和N键之间有高于这两个键上表面的第五隔断6,N键和M键之间有高于这两个键上表面的第六隔断7。
所述第一隔断向上延伸至A键与S键、Q键与W键之间,第二隔断向上延伸至S键与D键、W键与E键之间,第三隔断向上延伸至D键与F键、E键与R键之间,第四隔断向上延伸至F键与G键、R键与T键之间,第五隔断向上延伸至G键与H键、T键与Y键之间,第六隔断向上延伸至H键与J键、Y键与U键之间。
所述第一、第二、第三、第四、第五、第六隔断等高。
所述第一隔断高于Z键和X键上表面5mm-10mm,第二隔断高于X键和C键上表面5mm-10mm,第三隔断高于C键和V键上表面5mm-10mm,第四隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm,第五隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm,第六隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm。
在键盘的U键和I键之间有高于这两个键上表面的第七隔断8、I键和O键之间有高于这两个键上表面的第八隔断9。
所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八隔断等高。
Claims (6)
1.隔离式打字训练键盘,包括键盘(1),其特征在于:在键盘的Z键和X键之间有高于这两个键上表面的第一隔断,X键和C键之间有高于这两个键上表面的第二隔断,C键和V键之间有高于这两个键上表面的第三隔断,V键和B键之间有高于这两个键上表面的第四隔断,B键和N键之间有高于这两个键上表面的第五隔断,N键和M键之间有高于这两个键上表面的第六隔断。
2.根据权利要求1所述的隔离式打字训练键盘,其特征在于:所述第一隔断向上延伸至A键与S键、Q键与W键之间,第二隔断向上延伸至S键与D键、W键与E键之间,第三隔断向上延伸至D键与F键、E键与R键之间,第四隔断向上延伸至F键与G键、R键与T键之间,第五隔断向上延伸至G键与H键、T键与Y键之间,第六隔断向上延伸至H键与J键、Y键与U键之间。
3.根据权利要求1或2所述的隔离式打字训练键盘,其特征在于:所述第一、第二、第三、第四、第五、第六隔断等高。
4.根据权利要求3所述的隔离式打字训练键盘,其特征在于:所述第一隔断高于Z键和X键上表面5mm-10mm,第二隔断高于X键和C键上表面5mm-10mm,第三隔断高于C键和V键上表面5mm-10mm,第四隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm,第五隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm,第六隔断高于V键和B键上表面5mm-10mm。
5.根据权利要求1所述的隔离式打字训练键盘,其特征在于: 在键盘的U键和I键之间有高于这两个键上表面的第七隔断、I键和O键之间有高于这两个键上表面的第八隔断。
6.根据权利要求5所述的隔离式打字训练键盘,其特征在于:所述第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八隔断等高。
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Publications (1)
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CN2011202112075U Expired - Fee Related CN202153492U (zh) | 2011-06-20 | 2011-06-20 | 隔离式打字训练键盘 |
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2011
- 2011-06-20 CN CN2011202112075U patent/CN202153492U/zh not_active Expired - Fee Related
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GR01 | Patent grant | ||
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