CN202153290U

CN202153290U - 多层结构离子传导层的电致变色器件及光学性能可调装置

Info

Publication number: CN202153290U
Application number: CN2011200735419U
Authority: CN
Inventors: 艾欣; 李文明
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2011-03-18
Filing date: 2011-03-18
Publication date: 2012-02-29
Anticipated expiration: 2021-03-18

Abstract

在本公开中，提供了一种电致变色器件，其特征在于，所述电致变色器件的离子传导层包括至少三层材料，所述至少三层材料包括至少两种具有不同离子传导率的材料，所述至少三层材料自上而下以这样的方式排列：最上层材料和最下层材料的离子传导率分别低于各自所邻接层的材料的离子传导率。

Description

多层结构离子传导层的电致变色器件及光学性能可调装置

技术领域

本实用新型涉及电致变色器件，并且更具体地涉及电致变色器件的离子传导层。

背景技术

电致变色的过程，是指在交替的小幅电压(一般2-5V)的作用下，由于电子和离子的注入或抽取，发生了氧化还原反应，从而在材料中形成色心或产生了带颜色的化合物，导致材料发生光学性能的可逆转换，直观的表现为颜色和透明度的变化。

目前市场上电驱动的变色产品主要是基于液晶，纳米悬浮和电致变色器件技术。在这三种技术中，液晶是较成熟的技术，但成本较高；纳米悬浮器件存在着寿命较短和技术复杂的缺陷；而电致变色是最便宜且适合于市场需求的技术，按照电致变色层材料的不同，可分为有机材料、无机材料和有机无机复合材料。

其中，无机变色材料主要是一些过渡金属氧化物，按照着色方式可分为还原过程阴极着色材料，如W、Mo、V、Nb和Ti的氧化物；和氧化过程阳极着色材料，如Ir、Rh、Ni和Co等氧化物。一般认为阴极电致变色材料反应方程式如下式所示：

其中，Me可以是W、Mo、V、Nb、Ti等，M⁺可以是H⁺、Li⁺、Na⁺，0＜x≤1，e^-是电子。当电子和离子注入透明的氧化物薄膜中时，薄膜就会变成暗色。当离子和电子被抽出时，膜又还原成原来的透明状态。阳极变色材料正相反，是氧化过程着色，但都是由于阴阳离子的注入和抽取，导致可逆变色的发生。

通常，电致变色器件的结构为三明治型的五层结构，如图1所示，电致变色器件10包括基底11、位于基底11上的导电层12、位于导电层12上的离子存储层13、位于离子存储层13上的离子传导层14、位于离子传导层14上的电致变色层15、位于电致变色层15上的导电层16。其中，电致变色层15是变色的核心，离子传导层14(ion conducting layer)，又称为电解质层(electrolyte layer)、离子导体层(ion conductorlayer)，为自由离子提供传输通道，离子储存层13主要作用是存储离子和平衡电荷。当施加正向直流电压时，离子贮存层13中的离子被抽出，通过离子传导层14进入电致变色层15，引起变色层变色，称为“着色”，断电后可实现无功耗记忆。当施加反向电压时，电致变色层15中的离子被抽出后又进入贮存层13，整个装置恢复透明原状，称为“漂白”。

通常，离子传导层一般采用一种固态锂盐沉积而成，很多时候，由于离子传导层的漏电流过大，导致锂离子的流失，变色器件不能有效变色，或变色后颜色不能保持持久，得到的器件变色后在无外加电压的情况下，很快就褪色，直接影响电致变色器件的性能和使用，也是导致其产业化受阻的主要原因之一。

因此需要一种具有较低漏电流离子传导层的电致变色器件。

实用新型内容

针对背景技术中的上述问题，本实用新型提供一种具有较低离子传导层漏电流的电致变色器件。

在一个实施例中，提供了一种电致变色器件，该电致变色器件的离子传导层包括至少三层材料，所述至少三层材料包括至少两种具有不同离子传导率的材料，所述至少三层材料自上而下以这样的方式排列：最上层材料和最下层材料的离子传导率分别低于各自所邻接层的材料的离子传导率。

由于最上层材料和最下层材料的离子传导率分别低于各自所邻接层的材料的离子传导率，最上层材料构成势垒，而与该最上层材料相邻层的材料则构成势阱，因此在没有外加电场或者离子没有足够的能量的情况下，离子被束缚在势阱中，穿越最上层材料所形成的势垒的概率很低；类似地，最下层材料构成势垒，而与该最下层材料相邻层的材料则构成势阱，因此在没有外加电场或者离子没有足够的能量的情况下，离子被束缚在势阱中，穿越最下层材料所形成的势垒的概率很低，通过这种方式，在没有外加电场或者离子没有足够的能量的情况下，离子被限阈在离子传导层内，从而通过离子传导层的漏电流得到了降低。

在一个例子中，所述至少三层材料包括具有第一离子传导率的第一材料和具有第二离子传导率的第二材料，其中，所述第一离子传导率低于所述第二离子传导率，所述至少三层材料中的最上层材料和最下层材料包括所述第一材料。进一步地，所述至少三层材料可以包括奇数层材料，所述至少三层材料包括交替排列的所述第一材料和所述第二材料。在一个例子中，所述至少三层材料包括三层材料，所述三层材料的中间层材料包括所述第二材料。

在另一个实施例中，提供了一种电致变色器件，该电致变色器件包括：第一基底；位于所述基底上的第一电极；位于所述第一电极上的离子存储层；位于所述离子存储层上离子传导层；位于所述离子传导层上的电致变色层；以及位于所述电致变色层上的第二电极，其中，所述离子传导层包括至少三层材料，所述至少三层材料包括至少两种具有不同离子传导率的材料，所述至少三层材料自上而下以这样的方式排列：最上层材料和最下层材料的离子传导率分别低于各自所邻接层的材料的离子传导率。

在有一个实施例中，提供了一种光学性能可调装置，包括根据本实用新型的各个实施例的电致变色器件。

附图说明

通过阅读以下结合附图对非限定性实施例的描述，本实用新型的其它目的、特征和优点将变得更为明显和突出。

图1示出了一种常用的电致变色器件的结构示意图；

图2示出了根据本实用新型的一个实施例的电致变色器件的离子传导层24的结构示意图；

图3示出了根据本实用新型的另一个实施例的电致变色器件的离子传导层34的结构示意图；

图4示出了根据本实用新型的又一个实施例的电致变色器件的离子传导层44的结构示意图；

图5a示出了根据本实用新型的又一个实施例的电致变色器件的离子传导层54的结构示意图；

图5b示出了与离子传导层54对应的势阱结构示意图；

图6示出了根据本实用新型的又一个实施例的电致变色器件的离子传导层64的结构示意图；以及

图7示出了根据本实用新型的又一个实施例的电致变色器件70的结构示意图，

其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的步骤特征/装置(模块)。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型进行详细描述。

图2示出了根据本实用新型的一个实施例的电致变色器件的离子传导层24的结构示意图，如图所示，离子传导层24包括七层，分别为层241、层242、层243、层244、层245、层246以及层247，其中，该七层的材料包括至少两种具有不同离子传导率的材料，并且层241和层247的材料的离子传导率分别低于各自所邻接层的材料的离子传导率，即层241材料的离子传导率低于层242材料的离子传导率，层247材料的离子传导率低于层246材料的离子传导率。

由于最上层247材料和最下层241材料的离子传导率分别低于各自所邻接层246、242的材料的离子传导率，最上层材料247构成势垒，而与该最上层247材料相邻层246的材料则构成势阱，因此在没有外加电场或者离子没有足够的能量的情况下，离子被束缚在势阱中，穿越最上层247材料所形成的势垒的概率很低；类似地，最下层241材料构成势垒，而与该最下层241材料相邻层242的材料则构成势阱，因此在没有外加电场或者离子没有足够的能量的情况下，离子被束缚在势阱中，穿越最下层241材料所形成的势垒的概率很低，通过这种方式，在没有外加电场或者离子没有足够的能量的情况下，离子被限阈在离子传导层24内，从而通过离子传导层的漏电流得到了降低。

在将离子传导层24作为图1中离子传导层14的替代而用于电致变色器件10的情况下，能够实现以下优点中的至少一个：当施加正向电压时，通过离子传导层24的漏电流相比离子传导层14较低，即离子能够有效地到达电致变色层15，从而采用离子传导层24的器件10的电致变色层15能够有效变色；在没有外加电压的情况下，通常希望电致变色器件10能够保持颜色，由于通过离子传导层24的漏电流相比离子传导层14较低，离子穿过离子传导层24而流失的几率较低，因此采用离子传导层24的器件10能够更持久地保持颜色。

本领域的技术人员能够理解，离子传导层的材料可以是固态的、也可以是凝胶态的，对于固态离子传导层，可选择的材料包括，例如LiAlF₄、LiPON、LiSiPO、LiBO₂、LiVSiO、LiSO₄、LiNbO₃、LiF、Li₃N、LiTaO₃、Li₂S-P₂S₅等，所选择的材料的离子传导率的范围通常为10^-10S/cm至10^-1S/cm。整个离子传导层的理想厚度在5-4000纳米之间，如果离子传导层过薄，则不能有效地保持变色特性，原因是通常离子传导层越薄漏电流越大，颜色会较快消失；如果离子传导层过厚，则变色较慢，响应时间较长，具体的离子传导层厚度可以根据实际的器件需要而确定。离子传导层的每一层的厚度范围在5-4000纳米之间，优选地，在20-400纳米之间。

在一个例子中，离子传导层24包括两种材料：第一材料LiPON和第二材料Li₂S-P₂S₅，第一材料LiPON的离子传导率为2×10^-6S/cm，第二材料Li₂S-P₂S₅的离子传导率为1×10^-4S/cm，包含离子传导层24 的电致变色器件可以采用如下方法制备：

首先，使用磁控溅射的方法，在清洗干净的基底材料(可以是刚性的，例如各种玻璃；也可以是柔性的，例如各种塑料薄膜)上，在2×10^-6Torr真空度下，以大约20nm/min的速度沉积约60nm厚的ITO(indium doped tin oxide)层，作为导电层；

然后，再沉积120nm厚度NiO以及约15nm厚度Li，作为离子存储层；

接着，采用交流磁控溅射方法，使用LiPO₃靶在N₂气氛下，真空度20mTorr下沉积50nm的LiPON；

接着，在同等真空度下使用Li₂S-P₂S₅混合靶以2-10nm/min的速率沉积150nm的Li₂S-P₂S₅；

接着，重复以上两步，交替沉积LiPON和Li₂S-P₂S₅，从而形成LiPON/Li₂S-P₂S₅/LiPON/Li₂S-P₂S₅/LiPON/Li₂S-P₂S₅/LiPON这样的周期结构；

随后，再在2X10^-5Torr真空度下通过热蒸发或磁控溅射方法以30nm/min的速率沉积350-500nm的WO₃作为电致变色层；以及

最后，再沉积60nm的ITO作为导电层，如需要，还可以沉积200nm的SiO₂作为保护层。

在使用过程中，为了使WO₃层变色，在两个导电层之间施加一正向电压，从而Li离子和电子被注入到WO₃层中，WO₃被还原而变色；之后为了降低功耗而去除外加电压，由于LiPON的离子传导率低于Li₂S-P₂S₅的离子传导率，从而在离子传导层24中形成周期性的势阱结构，在没有外加电压的情况下，Li离子的能量不足以克服LiPON构成的势垒，从而被限阈在Li₂S-P₂S₅构成的势阱中，以这种方式，离子传导层24的漏电流被降低了，也即提交了电致变色器件保持颜色的时间；在需要对WO₃层漂白的情况下，在两个导电层之间施加一反向电压，使得Li离子获得足够穿越LiPON构成的势垒的能量，从而Li离子被从WO₃层抽取，最终WO₃层被“漂白”。

图2给出了离子传导层24包括七层的例子，需要说明的是，离子传导层可以包括等于或者大于三的适于实用的任意数目的层数，例如，也可以是四层、五层、六层等，一般为三层到九层，层数过多从工艺角度而言过于复杂。

图3示出了离子传导层34包括三层的情况，在这种情况下，层342既是最下层341的邻接层也是最上层343的邻接层，层341和层343材料的离子传导率均低于层342的离子传导率，从而，层342构成势阱，而层341和层343分别构成了该势阱的壁，在没有外加电场或者离子没有足够的能量的情况下，离子被限阈在层342内，从而通过离子传导层34的漏电流得到了降低。

图4示出了根据本实用新型的又一个实施例的电致变色器件的离子传导层44的结构示意图，如图4所示，离子传导层44包括层441、层442、以及位于层441和层442之间的至少一层。离子传导层44包括两种具有不同离子传导率的材料：具有第一离子传导率的第一材料A和具有第二离子传导率的第二材料B，其中，第一材料A的第一离子传导率低于第二材料B的第二离子传导率。

离子传导层44可以包括奇数层材料或者偶数层材料。在离子传导层44包括偶数层材料的情况下，例如，离子传导层44包括四层，那么，该四层自最上层442至最下层441的材料排列可以分别是以下任意一种：ABBA，AABA，ABAA。对于AABA这种情况，最上面的两层材料离子传导率相同，实质上相当于一层，因此仍落入本实用新型的保护范围。类似地，ABAA这种情况也落入本实用新型的保护范围。

在离子传导层包括奇数层材料的情况下，例如，如图5a所示，离子传导层54包括五层：层541、层542、层543、层544、以及层545，离子传导层54包括两种具有不同离子传导率的材料：具有第一离子传导率的第一材料A和具有第二离子传导率的第二材料B，其中，第一材料A的第一离子传导率低于第二材料B的第二离子传导率。优选地，该五层自最上层545至最下层541的材料排列顺序为ABABA，由此构成周期势阱结构，图5b示出了与离子传导层54 对应的势阱结构示意图，如图所示，层542和层544构成势阱，层541、层543以及层545构成势阱壁，在没有外加电场或者离子没有足够的能量的情况下，离子被限阈在层542以及层544内，从而通过离子传导层54的漏电流得到了降低。

在一个例子中，包含离子传导层54的电致变色器件可以使用以下方法制备：

然后，沉积120nm厚的NiO以及约15nm厚的Li，作为离子存储层；

接着，使用磁控溅射，使用LiPO₃靶在N₂气氛下，真空度20mTorr下沉积20nm的第一材料LiPON；

接着，采用热蒸镀方法沉积60nm的第二材料LiAlF₄，在沉积过程中真空度保持在2×10^-5Torr左右；

接着，采用磁控溅射，使用LiPO₃靶在N₂气氛下，真空度20mTorr下沉积20nm的第一材料LiPON；

接着，再在2X10^-5Torr真空度下通过热蒸发或磁控溅射方法以

的速率沉积350nm-500nm的WO₃作为电致变色层；以及

最后，再沉积60nm的ITO，如需要，可以沉积200nm的SiO2作为保护层。

在没有外加电压的情况下，由LiPON/LiAlF₄/LiPON势阱结构能够将Li离子限阈在LiAlF₄层内，从而降低了通过离子传导层54的漏电流。

参考此处披露的技术方案，本领域的技术人员容易理解，离子传导层54的自最上层545至最下层541的材料排列顺序也可以是ABBBA，AABBA，AABAA等，均落入本实用新型的保护范围。

本领域的技术人员应能理解，在电致变色层需要“漂白”的情况下，通过施加反向电压而使得离子获得足够的能量从而克服势垒，使得离子能够被抽取。

图6示出了根据本实用新型的又一个实施例的电致变色器件的离子传导层64的结构示意图，离子传导层64包括三层：层641、层642、以及层643。离子传导层64包括两种具有不同离子传导率的材料：具有第一离子传导率的第一材料A和具有第二离子传导率的第二材料B，其中，第一材料A的第一离子传导率低于第二材料B的第二离子传导率。该三层自最上层643至最下层641的材料排列顺序为ABA，由此构成势阱结构，即层642构成势阱，层641、层643构成势阱壁，在没有外加电场或者离子没有足够的能量的情况下，离子被限阈在层642内，从而通过离子传导层64的漏电流得到了降低。离子传导层64的一个优点是构成简单、易于产业化。

以上结合图4、图5a、图5b、以及图6说明了离子传导层包括两种具有不同离子传导率的材料的情形。需要说明的是，离子传导层也可以包括三种或三种以上的具有不同离子传导率的材料。例如，仍参考图2，离子传导层24包括三种具有不同离子传导率的材料材料A、材料B以及材料C，其中按照离子传导率由低至高的顺序排序为：材料A、材料B、材料C。例如，材料A可以是LiPON，材料B可以是LiAlF₄，材料C可以是Li₂S-P₂S₅。该七层自最上层247至最下层241的材料排列顺序可以是：ABCABCA，BCABCBA，BCACBCB，等。对于ABCABCA的情形，由于层247和层241的材料为A，均低于各自邻接层，即层246和层242，的材料的离子传导率，因此，在没有外加电场或者离子没有足够的能量的情况下，离子穿越层247和层241的概率很低，从而离子传导层24的漏电流得到了降低；类似地，对于BCABCBA的情形，层247的材料B的离子传导率低于其邻接层246的材料C的离子传导率，并且层241的材料A的离子传导率低于其邻接层242的材料B的离子传导率，因此，在没有外加电场或者离子没有足够的能量的情况下，离子穿越层247和层241的概率很低，从而离子传导层24的漏电流得到了降低，因此，只要离子传导层24的最上层247和最下层241的材料的离子传导率分别低于各自所邻接层材料的离子传导率就可以实现本实用新型的目的。

需要说明的是，以上实施例中的至少两种具有不同离子传导率的材料可以是异质的，也可以是同质的。例如，在该至少两种具有不同离子传导率的材料为同质材料的情况下，可以通过改变材料的晶态、改变材料沉积的致密程度、改变材料的掺杂等方式来使其具有不同的离子传导率。

本领域的技术人员应当理解，离子传导层除了可以包括以上列出的LiAlF₄、LiPON、LiSiPO、LiBO₂、LiVSiO、LiSO₄、LiNbO₃、LiF、Li₃N、LiTaO₃、Li₂S-P₂S₅等材料之外，还可以包括有机电解质层，并且离子传导层的制备可以使用任何适合的沉积方法，包括但不限于，真空蒸发法、磁控溅射法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、等，离子传导层选用的具体材料及其制备方法不是本实用新型的限制因素。

需要说明的是，以上实施例中的离子传导层24、34、44、54、以及64可以与任意一种电致变色器件结合使用。例如，以上实施例中的离子传导层可以用于具有图1所示结构的电致变色器件，也可以用于具有导电层/电致变色层/离子传导层/导电层结构的电致变色器件，还可以用于具有导电层/阳极氧化着色电致变色层/离子传导层/阴极还原着色电致变色层/导电层结构的电致变色器件。

图7示出了根据本实用新型的又一个实施例的电致变色器件70的结构示意图，如图所示，器件70包括第一基底71，位于第一基底71上的第一电极72，位于第一电极72上的离子存储层73，位于离子存储层73上的离子传导层74，位于离子传导层74上的电致变色层75，以及位于电致变色层75上的第二电极76。其中，离子传导层74包括七层，分别为层741、层742、层743、层744、层745、层746以及层747，其中，该七层的材料包括至少两种具有不同离子传导率的材料，并且层741和层747的材料的离子传导率分别低于各自所邻接层的材料的离子传导率，即层741材料的离子传导率低于层742材料的离子传导率，层747材料的离子传导率低于层746材料的离子传导率。

由于最上747材料和最下层741材料的离子传导率分别低于各自所邻接层746、742的材料的离子传导率，最上层材料747构成势垒，而与该最上层747材料相邻层746的材料则构成势阱，因此在没有外加电场或者离子没有足够的能量的情况下，离子被束缚在势阱中，穿越最上层747材料所形成的势垒的概率很低；类似地，最下层741材料构成势垒，而与该最下层741材料相邻层742的材料则构成势阱，因此在没有外加电场或者离子没有足够的能量的情况下，离子被束缚在势阱中，穿越最下层741材料所形成的势垒的概率很低，通过这种方式，在没有外加电场或者离子没有足够的能量的情况下，离子被限阈在离子传导层74内，从而通过离子传导层的漏电流得到了降低。

在将离子传导层74作为图1中离子传导层14的替代而用于电致变色器件70的情况下，能够实现以下优点中的至少一个：当施加正向电压时，通过离子传导层74的漏电流相比离子传导层14较低，即离子能够有效地到达电致变色层75，从而采用离子传导层74的器件70的电致变色层75能够有效变色；在没有外加电压的情况下，通常希望电致变色器件70能够保持颜色，由于通过离子传导层74的漏电流相比离子传导层14较低，离子穿过离子传导层74而流失的几率较低，因此采用离子传导层74的器件70能够更持久地保持颜色。

在一个实施例中，电致变色器件70的离子传导层包括奇数层材料，该奇数层材料包括交替排列的第一材料和第二材料，并且，所述奇数层材料中的最上层材料和最下层材料包括所述第一材料，其中，所述第一材料具有第一离子传导率，所述第二材料具有第二离子传导率，并且所述第一离子传导率低于所述第二离子传导率，其结构可以是如图5所示的结构，所述第一材料可以是例如LiPON、第二材料可以是例如Li₂S-P₂S₅。

本领域的技术人员应当理解，电致变色器件70的电致变色层75可以是无机电致变色材料，例如W、Mo、V、Nb、Ti、Ir、Rh、Ni和Co等氧化物，也可以是有机电致变色材料，例如紫罗精等，或者有机无机复合电致变色材料。

根据本实用新型的实施例的电致变色器件可以用于光学性能可调装置，包括但不限于电致变色显示器、电致变色移动像元、汽车观后镜、电致变色智能窗等，其中，光学性能包括光透过率、反射率、折射率等，例如，电致变色智能窗利用电致变色器件变色前后的光透过率的变化，电致变色显示器利用电致变色器件变色前后的光反射率的变化。

尽管在附图和前述的描述中详细阐明和描述了本实用新型，应认为该阐明和描述是说明性的和示例性的，而不是限制性的；本实用新型不限于上述实施方式。

那些本技术领域的一般技术人员可以通过研究说明书、公开的内容及附图和所附的权利要求书，理解和实施对披露的实施方式的其他改变。在权利要求中，措辞“包括”不排除其他的元素和步骤，并且措辞“一个”不排除复数。词语“第一”、“第二”等的使用不代表任何次序，应当理解为名称。权利要求中的任何附图标记不应该理解为对范围的限制。

Claims

1.一种电致变色器件，其特征在于，所述电致变色器件的离子传导层包括至少三层材料，所述至少三层材料包括至少两种具有不同离子传导率的材料，所述至少三层材料自上而下以这样的方式排列：最上层材料和最下层材料的离子传导率分别低于各自所邻接层的材料的离子传导率。

2.根据权利要求1所述的电致变色器件，其特征在于，所述至少三层材料包括具有第一离子传导率的第一材料和具有第二离子传导率的第二材料，其中，所述第一离子传导率低于所述第二离子传导率，所述至少三层材料中的最上层材料和最下层材料包括所述第一材料。

3.根据权利要求2所述的电致变色器件，其特征在于，所述至少三层材料包括奇数层材料，所述至少三层材料包括交替排列的所述第一材料和所述第二材料。

4.根据权利要求3所述的电致变色器件，其特征在于，所述至少三层材料包括三层材料，所述三层材料的中间层材料包括所述第二材料。

5.根据权利要求2所述的电致变色器件，其特征在于，所述至少三层材料包括固体电解质。

6.根据权利要求5所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一材料和所述第二材料的离子传导率范围为10^-10S/cm至10^-1S/cm。

7.根据权利要求5所述的电致变色器件，其特征在于，所述第一材料包括LiPON，所述第二材料包括Li₂S-P₂S₅。

8.根据权利要求1所述的电致变色器件，其特征在于，所述离子传导层的厚度范围为5至4000纳米，所述至少三层材料的每一层的厚度范围为5至4000纳米。

9.根据权利要求8所述的电致变色器件，其特征在于，所述至少三层材料的每一层的厚度范围为20至400纳米。

10.一种光学性能可调装置，包括权利要求1至9中任一项所述的电致变色器件。

11.一种电致变色器件，包括：

第一基底；

位于所述基底上的第一电极；

位于所述第一电极上的离子存储层；

位于所述离子存储层上离子传导层；

位于所述离子传导层上的电致变色层；以及

位于所述电致变色层上的第二电极，

其特征在于，所述离子传导层包括至少三层材料，所述至少三层材料包括至少两种具有不同离子传导率的材料，所述至少三层材料自上而下以这样的方式排列：最上层材料和最下层材料的离子传导率分别低于各自所邻接层的材料的离子传导率。

12.根据权利要求11所述的电致变色器件，其特征在于，所述至少三层材料包括奇数层材料，所述至少三层材料包括交替排列的第一材料和第二材料，并且，所述至少三层材料中的最上层材料和最下层材料包括所述第一材料，其中，所述第一材料具有第一离子传导率，所述第二材料具有第二离子传导率，并且所述第一离子传导率低于所述第二离子传导率。

13.根据权利要求11所述的电致变色器件，其特征在于，所述电致变色层包括有机电致变色材料，无机电致变色材料，或者有机无机复合电致变色材料。

14.根据权利要求13所述的电致变色器件，其特征在于，所述电致变色层包括三氧化钨。