CN202150002U - 像素电极结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种像素电极结构，包括：主干部，其由中心垂直相交的水平主干和竖直主干两部分像素电极区域组成；分支部，其由所述水平主干与所述竖直主干中心垂直相交所均分而成的四部分像素电极区域组成；在所述分支部中的每部分像素电极区域中分别具有多个弯折线状分支，每个弯折状分支由多段分支组成，且两两相邻的两段分支与所述水平主干形成的夹角的角度不同；所述每个弯折状分支之间间隔有缝隙。实施本实用新型，可以有效的解决现有技术中因分支部中的条状分支与水平主干和竖直主干的夹角相同导致视觉色偏，穿透率下降的技术问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种液晶显示技术领域，尤其涉及一种液晶显示器的像素电极结构。
背景技术
液晶显示器（LCD，Liquid Crystal Display）是最广泛使用的平板显示器之一，LCD包括设置有场发生电极诸如像素电极和公共电极的一对面板以及设置在两个面板之间的液晶（LC，Liquid Crystal）层。当电压被施加到场发生电极从而在LC层中产生电场，该电场决定了液晶层中的LC分子的取向，从而调整入射到液晶层的光的偏振，使LCD显示图像。
目前业界发展出一种称为高分子安定化垂直配向（Polymer Stabilized Vertical Alignment, PSVA）的技术，该技术是在液晶材料中掺入适当浓度的单体化合物（monomer）并且震荡均匀。接着，将混合后的液晶材料置于加热器上加温到达等向性（Isotropy）状态。当液晶混合物降至室温时，液晶混合物会回到向列型（nematic）状态。然后，将液晶混合物注入至液晶盒并施与电压。当施加电压使液晶分子排列稳定时，则使用紫外光或加热的方式让单体化合物进行聚合反应以成聚合物层，由此达到稳定配向的目的。
图1所示的是一般PSVA模式液晶显示器常用的像素电极的设计示意图。
如图1所示通常的PSVA模式LCD的像素（pixel）电极设计为“米”字型，包含条状的竖直主干和条状的水平主干，该竖直主干和水平主干统称为主干部（main-pixel），其中竖直主干和水平主干中心垂直相交，所谓的中心垂直相交，即指竖直主干和水平主干相互垂直，该竖直主干和水平主干将整个像素电极面积平均分成4个区域（sub-pixel），该4个像素电极区域称为分支部；每个像素电极区域都由与竖直主干或水平主干呈±45°，±135°角度的条状分支（slit）平铺组成，也即各条状分支与竖直主干和水平主干位于同一平面上，如此形成图1所示的关于上下和左右分别镜像对称的“米”字型的像素电极结构。
现有技术提供的这种“米”字型的像素电极结构，因分支部中的条状分支与水平主干和竖直主干的夹角相同，会存在一定的视觉色差或视觉色偏，其面板穿透率下降。
实用新型内容
本实用新型提供一种像素电极结构，可以有效的解决现有技术中因分支部中的条状分支与水平主干和竖直主干的夹角相同导致视觉色偏，穿透率下降的技术问题。
为了解决上述技术问题，本实用新型提供的像素电极结构，包括：
主干部，其由中心垂直相交的水平主干和竖直主干两部分像素电极区域组成；
分支部，其由所述水平主干与所述竖直主干中心垂直相交所均分而成的四部分像素电极区域组成；
在所述分支部中的每部分像素电极区域中分别具有多个弯折线状分支，每个弯折状分支由多段分支组成，且两两相邻的两段分支与所述水平主干形成的夹角的角度不同；所述每个弯折状分支之间间隔有缝隙。
优选的，所述每个弯折状分支中的离所述水平主干和竖直主干垂直相交的中心点最近的一段分支至最远的一段分支与水平主干形成的夹角的角度由小到大递增，角度从0°递增至90°。
优选的，所述每个弯折状分支中的离所述水平主干和竖直主干垂直相交的中心点最近的一段分支至最远的一段分支与水平主干形成的夹角的角度由大到小递减，角度从90°递减至0°。
优选的，所述每个弯折状分支中的多段分支的数量为无限多，所述每个弯折状分支为平滑弧状分支。
优选的，每个弯折状分支中的离所述水平主干和竖直主干垂直相交的中心点最近的一段分支至最远的一段分支与水平主干形成的夹角的角度大小交错。
优选的，所述每个弯折状分支中的多段分支的数量为无限多，所述每个弯折状分支为平滑波浪状分支。
优选的，所述像素电极结构应用的液晶显示面板的模式为高分子安定化垂直配向模式或图案垂直排列模式。
实施本实用新型的实施例，具有如下有益效果：
本申请中的像素电极结构是经过特殊设计的，具体的，打破以前对像素电极结构中分支部中各个条状分支的形状和与水平主干之间形成的角度的常规，而将分支部中各个分支设计成弯折状甚至是平滑弧状或平滑波浪状，并且各个弯折状分支与水平主干的夹角不再仅仅是±45°和±135°。因为各个弯折状分支具体由多段分支组成，每段分支与水平主干的夹角的角度不同，因此应用本实用新型的像素电极结构，可以有效防止穿透率下降，视觉色差的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是一般PAVA模式液晶显示器常用的像素电极的设计示意图；
图2是本实用新型像素电极结构的第一实施例的结构示意图；
图3是本实用新型像素电极结构的第二实施例的结构示意图；
图4是本实用新型像素电极结构的第三实施例的结构示意图；
图5是本实用新型像素电极结构的第四实施例的结构示意图；
图6是本实用新型像素电极结构的第五实施例的结构示意图；
图7是本实用新型像素电极结构的第六实施例的结构示意图；
图8是本实用新型像素电极结构的第七实施例的结构示意图。
具体实施方式
本实用新型针对现有的像素电极结构存在的穿透率低，存在视觉色差的缺陷，提供了一种新型的像素电极结构，可以有效的克服该缺陷。
首先说明的是，本实用新型是基于现有的“米”字形结构的像素电极结构所作的改进，其核心是打破以前对像素电极结构中分支部中各个条状分支的形状和与水平主干之间形成的角度的常规，而将分支部中各个分支设计成弯折状甚至是平滑弧状或平滑波浪状，并且各个弯折状分支与水平主干的夹角不再仅仅是±45°和±135°。
具体地，本实用新型实施例提供的像素电极结构，包括:
主干部，其由中心垂直相交的水平主干和竖直主干两部分像素电极区域组成；
分支部，其由所述水平主干与所述竖直主干中心垂直相交所均分而成的四部分像素电极区域组成；
在所述分支部中的每部分像素电极区域中分别具有多个弯折线状分支，每个弯折状分支由多段分支组成，且两两相邻的两段分支与所述水平主干形成的夹角的角度不同；所述每个弯折状分支之间间隔有缝隙。
因为本实用新型实施例提供的像素电极结构，其分支部的各个弯折状分支具体由多段分支组成，每段分支与水平主干的夹角的角度不同，因此应用本实用新型的像素电极结构，可以有效防止穿透率下降，视觉色差的问题。
下面将结合附图详细说明本实用新型实施例的实现过程。
参见图2，图2为本实用新型像素电极结构的第一实施例的结构示意图。
本实施例提供的像素电极结构，包括主干部和分支部两部分，主干部又由水平主干1和竖直主干2组成，该水平主干1与竖直主干2中心垂直相交，形成一个“十”字，该“十”字结构将像素电极结构分成四个像素电极区域，该四个像素电极区域统称为分支部，每一个分支部包括多个弯折状的分支3，每个弯折状的分支3均与主干部连接，每个弯折状的分支3之间间隔有空隙。
本实施例中，每个弯折状的分支3有两种角度的分支设计，即由两段分支组成，每段分支与水平主干1形成的角度不同，当然跟竖直主干2形成的角度也不同。具体如图所示，分支部中的弯折状分支3由A和B两段分支组成，A段分支与水平主干1形成的角度与B段分支形成的角度不同，并且A段分支与水平主干1形成的角度小于B段分支与水平主干1形成的角度，因此使得该弯折状分支3整体呈现弯折状。
参见图3，图3为本实用新型像素电极结构的第二实施例的结构示意图。
本实施例中，每个弯折状的分支3有两种角度的分支设计，具体如图所示，分支部中的弯折状分支3由A和B两段分支组成，A段分支与水平主干1形成的角度与B段分支形成的角度不同，并且A段分支与水平主干1形成的角度大于B段分支与水平主干1形成的角度，因此使得该弯折状分支3整体呈现弯折状。
实施例一和实施例二提供的像素电极结构，其分支部的各个弯折状分支3由两段分支组成，每段分支与水平主干1形成的角度不同。当然，根据本实用新型的原理，分支部的每个弯折状分支3还可以由更多段的分支构成，参见以下实施例。
参见图4，图4为本实用新型像素电极结构的第三实施例的结构示意图。
在本实用新型实施例提供的像素电极结构，其每个弯折状分支3中的离所述水平主干1和竖直主干2垂直相交的中心点最近的一段分支至最远的一段分支与水平主干1形成的夹角的角度可以是由小到大递增的。
具体如图4所示的像素电极结构包括主干部和分支部两部分，主干部又由水平主干1和竖直主干2组成，该水平主干1与竖直主干2中心垂直相交，形成一个“十”字，该“十”字结构将像素电极结构分成四个像素电极区域，该四个像素电极区域统称为分支部，每一个分支部包括多个弯折状的分支3，每个弯折状的分支3均与主干部连接，每个弯折状的分支3之间间隔有空隙。
本实施例中，每个弯折状的分支3有多种角度的分支设计，即由多段分支组成，每段分支与水平主干1形成的角度不同，当然跟竖直主干2形成的角度也不同。具体如图所示，分支部中的弯折状分支3由A、B、C、D、E等多段分支组成，A、B、C、D、E段分支与水平主干1形成的角度各不相同，具体地，离所述水平主干1和竖直主干2垂直相交的中心点最近的一段分支A至最远的一段分支E与水平主干1形成的夹角的角度是由小到大递增的，其角度范围可以是从大于0°（不包括0°）递增到小于90°（不包括90°）。
优选的实施例中，各个分支段与水平主干1形成的角度可以由35°递增到55°，例如， A段分支与水平主干1形成的角度为35°，B段分支与水平主干1形成的角度为40°，C段分支与水平主干1形成的角度为45°，D段分支与水平主干1形成的角度为50°，E段分支与水平主干1形成的角度为55°。
参见图5，图5为本实用新型像素电极结构的第四实施例的结构示意图。
在本实用新型实施例提供的像素电极结构，其每个弯折状分支3中的离所述水平主干1和竖直主干2垂直相交的中心点最近的一段分支至最远的一段分支与水平主干1形成的夹角的角度可以是由大到小递减的。
具体如图所示，分支部中的弯折状分支3由A、B、C、D、E等多段分支组成，A、B、C、D、E段分支与水平主干1形成的角度各不相同，具体地，离所述水平主干1和竖直主干2垂直相交的中心点最近的一段分支A至最远的一段分支E与水平主干1形成的夹角的角度是由大到小递减的，其角度范围可以是从小于90°（不包括90°）递减到大于0°（不包括0°）。
优选的实施例中，各个分支段与水平主干1形成的角度可以由55°递减到35°，例如，A段分支与水平主干1形成的角度为55°，B段分支与水平主干1形成的角度为50°，C段分支与水平主干1形成的角度为45°，D段分支与水平主干1形成的角度为40°，E段分支与水平主干1形成的角度为35°。
参见图6，图6为本实用新型像素电极结构的第五实施例的结构示意图。
在本实用新型实施例提供的像素电极结构，分支部的每个弯折状分支3中的多段分支的数量为无限多，且每个弯折状分支3中的离所述水平主干1和竖直主干2垂直相交的中心点最近的一段分支至最远的一段分支与水平主干1形成的夹角的角度可以是由大到小递减的，使所述每个弯折状分支3整体呈现平滑弧状分支。
具体如图6所示，分支部中的弯折状分支3为平滑弧状分支，其打破了现有设计中的分支是直线状分支的设计，并且该平滑弧状分支上离水平主干1和竖直主干2中心垂直相交的中心点最近的点至最远的点所在的切线与水平主干1形成角度呈现由大到小的趋势。
参见图7，图7为本实用新型像素电极结构的第六实施例的结构示意图。
在本实用新型实施例提供的像素电极结构，分支部的每个弯折状分支3中的多段分支的数量为无限多，且每个弯折状分支3中的离所述水平主干1和竖直主干2垂直相交的中心点最近的一段分支至最远的一段分支与水平主干1形成的夹角的角度可以是由小到大递增的，使所述每个弯折状分支3整体呈现平滑弧状分支。
具体如图7所示，分支部中的弯折分支3为平滑弧状分支，其打破了现有设计中的分支是直线状分支的设计，并且该平滑弧状分支上离水平主干1和竖直主干2中心垂直相交的中心点最近的点至最远的点所在的切线与水平主干1形成角度呈现由小到大的趋势。
参见图8，图8为本实用新型像素电极结构的第七实施例的结构示意图。
本实施例中的像素电极结构，分支部中每个弯折状分支3中的离所述水平主干1和竖直主干2垂直相交的中心点最近的一段分支至最远的一段分支与水平主干1形成的夹角的角度大小交错。
分支部中的弯折状分支3由A、B、C、D、E等多段分支组成，A、B、C、D、E段分支与水平主干1形成的角度各不相同，具体地，离所述水平主干1和竖直主干2垂直相交的中心点最近的一段分支A至最远的一段分支E与水平主干1形成的夹角的角度是大小交错的，既不是由大到小递减，也不是由小到大递增。
本实施例中，A段分支与水平主干1形成的角度为45°，B段分支与水平主干1形成的角度为55°，C段分支与水平主干1形成的角度为45°，D段分支与水平主干1形成的角度为55°，E段分支与水平主干1形成的角度为45°。
当每个弯折状分支3中的多段分支的数量为无限多时，所述每个弯折状分支3为平滑波浪状分支（图未示）。
本实用新型的像素电极可应用于高分子安定化垂直配向模式（Polymer Stabilization Vertical-Alignment，PSVA）液晶显示面板、或是图案垂直排列(Pattern Vertical Alignment，PVA) 液晶显示面板等等。像素电极结构中的像素电极的材料为氧化铟锡或氧化铟锌或非晶氧化铟锡。
本申请中的像素电极结构是经过特殊设计的，具体的，打破以前对像素电极结构中分支部中各个条状分支的形状和与水平主干之间形成的角度的常规，而将分支部中各个分支设计成弯折状甚至是平滑弧状或平滑波浪状，并且各个弯折状分支与水平主干的夹角不再仅仅是±45°和±135°。因为各个弯折状分支具体由多段分支组成，每段分支与水平主干的夹角的角度不同，因此应用本实用新型的像素电极结构，可以有效防止穿透率下降，可以有效防止穿透率下降，视觉色差的问题。
以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。
Claims (9)
1.一种像素电极结构，其特征在于，包括：
主干部，其由中心垂直相交的水平主干和竖直主干两部分像素电极区域组成；
分支部，其由所述水平主干与所述竖直主干中心垂直相交所均分而成的四部分像素电极区域组成；
在所述分支部中的每部分像素电极区域中分别具有多个弯折线状分支，每个弯折状分支由多段分支组成，且两两相邻的两段分支与所述水平主干形成的夹角的角度不同；所述每个弯折状分支之间间隔有缝隙。
2.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述每个弯折状分支中的离所述水平主干和竖直主干垂直相交的中心点最近的一段分支至最远的一段分支与水平主干形成的夹角的角度由小到大递增。
3.如权利要求2所述的像素电极结构，其特征在于，所述每个弯折状分支中的离所述水平主干和竖直主干垂直相交的中心点最近的一段分支至最远的一段分支与水平主干形成的夹角的角度从0°递增至90°。
4.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述每个弯折状分支中的离所述水平主干和竖直主干垂直相交的中心点最近的一段分支至最远的一段分支与水平主干形成的夹角的角度由大到小递减。
5.如权利要求4所述的像素电极结构，其特征在于，所述每个弯折状分支中的离所述水平主干和竖直主干垂直相交的中心点最近的一段分支至最远的一段分支与水平主干形成的夹角的角度从90°递减至0°。
6.如权利要求2至5中任一项所述的像素电极结构，其特征在于，所述每个弯折状分支中的多段分支的数量为无限多，所述每个弯折状分支为平滑弧状分支。
7.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，每个弯折状分支中的离所述水平主干和竖直主干垂直相交的中心点最近的一段分支至最远的一段分支与水平主干形成的夹角的角度大小交错。
8.如权利要求7所述的像素电极结构，其特征在于，所述每个弯折状分支中的多段分支的数量为无限多，所述每个弯折状分支为平滑波浪状分支。
9.如权利要求1所述的像素电极结构，其特征在于，所述像素电极结构应用的液晶显示面板的模式为高分子安定化垂直配向模式或图案垂直排列模式。
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| WO2020073560A1 (zh) * | 2018-10-10 | 2020-04-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及装置 |
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Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| CN102236220A (zh) * | 2011-07-07 | 2011-11-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素电极结构 |
| WO2013004052A1 (zh) * | 2011-07-07 | 2013-01-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素电极结构 |
| CN102236220B (zh) * | 2011-07-07 | 2013-11-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 像素电极结构 |
| WO2013174023A1 (zh) * | 2012-05-24 | 2013-11-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及其应用的显示装置 |
| WO2020073560A1 (zh) * | 2018-10-10 | 2020-04-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及装置 |
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