CN202103148U - 介质谐振器与同轴腔体谐振器的耦合结构 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开一种介质谐振器与同轴腔体谐振器的耦合结构，包括腔体，所述腔体内最少设有介质谐振子腔和同轴谐振子腔，所述介质谐振子腔内安装介质谐振柱，所述同轴谐振子腔内安装同轴谐振柱，所述介质谐振柱与同轴谐振柱之间设有用于耦合的耦合件。本实用新型的显著特点和效果如下：(1)实现了在具有不同电磁场谐振模式中TE01模式介质滤波器与金属同轴腔体滤波器之间的信号导通；(2)调谐方便，可以方便的通过耦合件与介质谐振器或者金属同轴谐振器之间的耦合，而不会对另一侧产生很大影响；(3)功率容量大，同轴介质谐振器不容易与金属接触面出现打火烧坏现象，银质耦合件连接也可以承受大功率的射频信号通过。

Description

介质谐振器与同轴腔体谐振器的耦合结构
【技术领域】
本实用新型涉及一种移动通信领域中的微波射频滤波器，具体为一种介质谐振器与同轴腔体谐振器的耦合结构。
【背景技术】
在现代移动通信技术中，微波射频器件已经成为了必不可少的重要组成部分。传统的金属同轴腔体滤波器虽然使用广泛，技术成熟，但已无法应对现代通信技术对于腔体滤波器低插损，高抑制的要求。腔体介质滤波器虽然具有插损小、抑制高、无源互调好、功率容量大和温度漂移小等优势，但由于其存在制作成本，工艺实现，技术难度等问题，并没有能够得到广泛的应用。由于金属同轴腔体滤波器与腔体介质滤波器各有优势，可以取长补短将两者共同使用在射频器件的双工单元中，对技术指标要求严酷的滤波器可以使用腔体介质滤波器，对常技术指标为常规要求的可以使用成本更低的金属同轴腔体滤波器。
腔体介质滤波器通常使用两种不同模式的介质谐振子：TE模式介质谐振子和TM模式介质谐振子。TM模式介质谐振子的电磁场分布模式与传统金属腔体谐振器的电磁场分布模式相同，因此包含TM模式介质的射频器件，其调谐和耦合的方式与常规金属同轴滤波器相同。TE模式介质谐振子的电磁场分布模式与传统金属同轴腔体谐振器的电磁场分布模式恰好相反，因此在设计同时包含TE模式介质与金属同轴腔体的射频器件的时候，需要着重关注两者的耦合方式。
目前对于TE模式介质谐振子和金属同轴腔体谐振器耦合的问题研究还比较少，即使有少量文献，也着重强调两种不同类型谐振器混合使用的应用特点，未见有谈及TE模式介质与金属同轴腔体谐振器耦合方法的文献资料报道。
【实用新型内容】
本实用新型的目的在于克服以上所述现有技术存在的不足，提供一种可以结合同轴腔体滤波器与腔体介质滤波器各自优势的介质谐振器与同轴腔体谐振器的耦合结构。
为了解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的：介质谐振器与同轴腔体谐振器的耦合结构，包括腔体，所述腔体内最少设有介质谐振子腔和同轴谐振子腔，所述介质谐振子腔内安装介质谐振柱，所述同轴谐振子腔内安装同轴谐振柱，所述介质谐振柱与同轴谐振柱之间设有用于耦合的耦合件。
所述耦合件的一端伸向同轴谐振柱，并与所述同轴谐振柱连接固定，所述耦合件的另一端伸向所述介质谐振柱，并在接近所述介质谐振柱的侧壁时，折成弧线状的弧型耦合部。
所述耦合件的一端与同轴谐振柱可以是焊接固定。
所述耦合件的一端伸向所述同轴谐振柱，并在接近所述同轴谐振柱的侧壁处向下弯折形成弯折部，所述耦合件的另一端伸向所述介质谐振柱，并在接近介质谐振柱的侧壁时，折成弧线状的弧型耦合部。
所述弯折部与同轴谐振柱的侧壁处于平行状态，以增强耦合能量。
所述弧型耦合部与介质谐振柱为同心圆设置。
所述介质谐振子腔和同轴谐振子腔之间相隔有墙体。
所述墙体上固定有支撑介质，所述耦合件固定在所述支撑介质上。
所述弧型耦合部通过绝缘固定装置固定在所述介质谐振子腔的内壁上。
所述耦合件可以为银线；所述介质谐振器为TE01模式介质滤波器。
与现有技术相比，本实用新型的显著特点和效果如下：
(1)、实现了在具有不同电磁场谐振模式中TE01模式介质滤波器与金属同轴腔体滤波器之间的信号导通，
(2)、调谐方便，可以方便的通过耦合件与介质谐振器或者金属同轴谐振器之间的耦合，而不会对另一侧产生很大影响。
(3)、功率容量大，同轴介质谐振器不容易与金属接触面出现打火烧坏现象，银质耦合件连接也可以承受大功率的射频信号通过。
【附图说明】
图1为本实用新型介质谐振器与同轴腔体谐振器的耦合结构实施例1的立体装配图；
图2为实用新型介质谐振器与同轴腔体谐振器的耦合结构实施例1的腔体部分的立体结构图；
图3为本实用新型介质谐振器与同轴腔体谐振器的耦合结构实施例2的立体装配图；
图4为实用新型介质谐振器与同轴腔体谐振器的耦合结构实施例2的腔体部分的立体结构图。
【具体实施方式】
本实用新型提供了TE模式介质谐振器与金属同轴腔体谐振器耦合方案。以下结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细的说明。
实施例1
参见图1和图2，介质谐振器与同轴腔体谐振器的耦合结构，包括腔体9。所述腔体9内最少设有用于安装介质谐振器的介质谐振子腔11和用于安装同轴腔体谐振器的同轴谐振子腔10。所述介质谐振子腔11内安装介质谐振柱8，所述介质谐振柱8可以是利用连接钉固定在所述介质谐振子腔11的底部，实现电连接。所述同轴谐振子腔10内安装同轴谐振柱3，同轴谐振柱3可以是利用连接钉固定在所述同轴谐振子腔10的底部，实现电连接。所述介质谐振柱8与同轴谐振柱3之间设有用于耦合的耦合件4。所述耦合件优选银线。所述介质谐振子腔11和同轴谐振子腔10之间相隔有墙体13。所述墙体13上固定有绝缘的支撑介质6。所述耦合件4固定在所述支撑介质6上，所述支撑介质6用于固定耦合件4的同时实现耦合件4与腔体9之间的绝缘。
所述耦合件4的一端伸向同轴谐振柱3，并与同轴谐振柱3通过焊接固定；所述耦合件4的另一端伸向介质谐振柱8，并在接近介质谐振柱8的侧壁时，折成弧线状的弧型耦合部7。所述弧型耦合部7与介质谐振柱8为同心圆设置。所述弧型耦合部7可以通过绝缘的固定装置12固定在所述介质谐振子腔11的内壁上，以便于保持耦合件4的稳定性。
实施例2
参见图3和图4，在上述实施例1的基础上，所述耦合件4在介质谐振柱8与同轴谐振柱3之间的耦合方式做了改进。
所述耦合件4的一端伸向同轴谐振柱3，并在接近同轴谐振柱3的侧壁处向下弯折形成弯折部；所述耦合件4的另一端伸向所述介质谐振柱8，并在接近介质谐振柱8的侧壁时，折成弧线状的弧型耦合部7。所述弧型耦合部与介质谐振柱为同心圆设置。所述弯折部与同轴谐振柱3的侧壁保持平行状态，这样耦合能量得到增强，当同轴谐振柱3为竖直设置时，所述弯折部可以是呈90度弯折，这样使弯折部可以与同轴谐振柱3的侧壁保持平行。
以上所述的实施例1和实施例2中，所述腔体9上设有接头5，所述接头5的内导体与所述同轴谐振柱3的侧壁通过焊接固定。所述介质谐振柱8可以为陶瓷谐振柱，所述陶瓷谐振柱上配有用于调谐的陶瓷谐振盘2，所述陶瓷谐振盘固定在盖板1上。所述盖板1与腔体9连接固定。所述同轴谐振柱3为金属同轴谐振柱3。
所述介质谐振柱8组成的圆柱介质谐振器的主模为TE01模式，电场环绕介质谐振柱8的圆柱腔的轴向，磁场沿轴向从介质顶(底)部穿出，环绕介质从底(顶)部穿入，与电场垂直。所述同轴谐振柱3组成的金属同轴谐振器，其电磁场方向与上述TE01模式介质谐振器恰好相反，磁场环绕金属同轴腔的轴向，电场沿轴向从金属同轴腔顶(底)部穿出，环绕同轴腔后从底(顶)部穿入，与磁场垂直。
尽管本实用新型是参照具体实施例来描述，但这种描述并不意味着对本实用新型构成限制。参照本实用新型的描述，所公开的实施例的其他变化，对于本领域技术人员都是可以预料的，这种的变化应属于所属权利要求所限定的范围内。

Claims (10)

1.介质谐振器与同轴腔体谐振器的耦合结构，包括腔体，其特征在于：所述腔体内最少设有介质谐振子腔和同轴谐振子腔，所述介质谐振子腔内安装介质谐振柱，所述同轴谐振子腔内安装同轴谐振柱，所述介质谐振柱与同轴谐振柱之间设有用于耦合的耦合件。
2.根据权利要求1所述的介质谐振器与同轴腔体谐振器的耦合结构，其特征在于：所述耦合件的一端伸向所述同轴谐振柱，并与所述同轴谐振柱连接固定，所述耦合件的另一端伸向所述介质谐振柱，并在接近所述介质谐振柱的侧壁时，折成弧线状的弧型耦合部。
3.根据权利要求2所述的介质谐振器与同轴腔体谐振器的耦合结构，其特征在于：所述耦合件的一端与同轴谐振柱为焊接固定。
4.根据权利要求1所述的介质谐振器与同轴腔体谐振器的耦合结构，其特征在于：所述耦合件的一端伸向所述同轴谐振柱，并在接近所述同轴谐振柱的侧壁处向下弯折形成弯折部，所述耦合件的另一端伸向所述介质谐振柱，并在接近所述介质谐振柱的侧壁时，折成弧线状的弧型耦合部。
5.根据权利要求4所述的介质谐振器与同轴腔体谐振器的耦合结构，其特征在于：所述弯折部与同轴谐振柱的侧壁处于平行状态。
6.根据权利要求2或者4所述的介质谐振器与同轴腔体谐振器的耦合结构，其特征在于：所述弧型耦合部与介质谐振柱为同心圆设置。
7.根据权利要求1所述的介质谐振器与同轴腔体谐振器的耦合结构，其特征在于：所述介质谐振子腔和同轴谐振子腔之间相隔有墙体。
8.根据权利要求6所述的介质谐振器与同轴腔体谐振器的耦合结构，其特征在于：所述墙体上固定有支撑介质，所述耦合件固定在所述支撑介质上。
9.根据权利要求8所述的介质谐振器与同轴腔体谐振器的耦合结构，其特征在于：所述弧型耦合部通过绝缘固定装置固定在所述介质谐振子腔的内壁上。
10.根据权利要求1所述的介质谐振器与同轴腔体谐振器的耦合结构，其特征在于：所述耦合件为银线，所述介质谐振器为TE01模式介质滤波器。
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