CN202084317U - 对称同轴综合电缆 - Google Patents

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俞兴明
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Suzhou shengxin Optic-Electric Technology Co., Ltd.
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Wujiang City Shengxin Photoelectricity Technology Co Ltd
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Abstract

本实用新型涉及一种对称同轴综合电缆,具有一PVC外护套,所述PVC外护套内设有2对对称双绞线和1个同轴线对,所述对称双绞线的特性阻抗为100Ω,铜丝直径为0.51mm,单线绝缘采用实心PE,绝缘外径为0.93mm。所述同轴线对内导体为0.5mm实心铜丝,绝缘层为物理发泡聚乙烯,绝缘层外径为3mm,外导体为铜丝编织层,特性阻抗为75Ω。所述对称双绞线对设有泡沫PE内护套。本实用新型将2个对称双绞线和1个同轴线对制作成一根电缆,十分适用于住宅、商业写字楼等建筑内的综合布线,用于传输语音、数据、图像、模拟或数字射频信号等的应用。

Description

对称同轴综合电缆
技术领域
本实用新型涉及一种对称同轴综合电缆。
背景技术
对称电缆(双绞线电缆)虽然结构简单,但由于其有开放的电磁场结构,能量容易辐射导致信号衰减大,线对之间串音干扰严重。而同轴电缆由于有封闭的电磁场结构,信号衰减小,而且不会辐射干扰其它线路,也不会受其它信号干扰。所以,对称线对和同轴线对各有优缺点,有不同的用途。
发明内容
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种对称同轴综合电缆。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种对称同轴综合电缆,具有一PVC外护套,所述PVC外护套内有2对对称双绞线和1个同轴线对,所述对称双绞线的特性阻抗为100Ω,铜丝直径为0.51mm,单线绝缘采用实心PE,绝缘外径为0.93mm,所述同轴线对内导体为0.5mm实心铜丝,绝缘层为物理发泡聚乙烯,绝缘层外径为3mm,外导体为铜丝编织层,特性阻抗为75Ω。
所述对称双绞线设有泡沫PE内护套。 
本实用新型将2个对称双绞线和1个同轴线对制作成一根电缆,十分适用于住宅、商业写字楼等建筑内的综合布线,用于传输语音、数据、图像、模拟或数字射频信号等的应用。
附图说明
附图1为本实用新型的整体结构示意图。
图中:1、对称双绞线;2、同轴线对;3、泡沫PE内护套;4、PVC外护套。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
如附图1所示的一种对称同轴综合电缆,具有一PVC外护套4,所述PVC外护套4内设有2对对称双绞线1和1个同轴线对2。所述对称双绞线1按第五类线(Cat.5)的标准设计制造,其特性阻抗为100Ω,铜丝直径为0.51mm,单线绝缘采用实心PE,绝缘外径为0.93mm,该对称双绞线1可用于高速数据(100Mbps)、语音或直流电源的传输。所述同轴线对2内导体为0.5mm实心铜丝,绝缘层为物理发泡聚乙烯,绝缘层外径为3mm,外导体为铜丝编织层,特性阻抗为75Ω,该同轴线对2可用于基带高速(100Mbps以上)数字信号、模拟或数字射频信号等的传输。所述对称双绞线1设有泡沫PE内护套3,以减小介电常数及稳定线对结构,以减小内护套层对线对传输性能的影响。 
需要强调的是:以上仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims (2)

1.一种对称同轴综合电缆,其特征是:所述对称同轴综合电缆具有一PVC外护套(4),所述PVC外护套(4)内有2对对称双绞线(1)和1个同轴线对(2),所述对称双绞线(1)的特性阻抗为100Ω,铜丝直径为0.51mm,单线绝缘采用实心PE,绝缘外径为0.93mm,所述同轴线对(2)内导体为0.5mm实心铜丝,绝缘层为物理发泡聚乙烯,绝缘层外径为3mm,外导体为铜丝编织层,特性阻抗为75Ω。
2.根据权利要求1所述的对称同轴综合电缆,其特征是:所述对称双绞线(1)设有泡沫PE内护套(3)。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102231294A (zh) * 2011-04-22 2011-11-02 吴江市胜信光电科技有限公司 一种对称同轴综合电缆
CN102737777A (zh) * 2012-06-13 2012-10-17 苏州市职业大学 一种三相四线低压光电复合缆

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C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: SUZHOU SHENGXIN OPTIC-ELECTRIC TECHNOLOGY CO., LTD

Free format text: FORMER NAME: WUJIANG CITY SHENGXIN PHOTOELECTRICITY TECHNOLOGY CO., LTD.

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Address after: Eight crack development zone Wujiang town Suzhou city Jiangsu province 215222 Shengxin Road No. 2

Patentee after: Suzhou shengxin Optic-Electric Technology Co., Ltd.

Address before: Eight crack development zone Wujiang town Suzhou city Jiangsu province 215222 Shengxin Road No. 2

Patentee before: Wujiang City Shengxin Photoelectricity Technology Co., Ltd.

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