CN201975781U - 一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路 - Google Patents
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Abstract
一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路,太阳能电池的输入端设置有与太阳能电池并联连接的开关管VT3,开关管VT3设有电阻R1;开关管VT3为MOSFET管或IGBT管;MOSFET管的漏极或IGBT管的集电极与太阳能电池的正极端PV+连接,MOSFET管的源极或IGBT管的发射极与太阳能电池的负极输入端PV-连接,MOSFET管的栅极或IGBT管的栅极通过电阻R1和MOSFET管的源极或IGBT管的发射极连接。本实用新型能在发生太阳能电池反接的情况下,防止蓄电池正向电压和太阳能电池正向电压叠加形成的高压对VT2的高压击穿情况的发生,有效地保护了防倒流MOSFET开关管VT2的正常工作。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能充电控制器技术,特别是涉及一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路。
背景技术
太阳能控制器用于太阳能电池向蓄电池充电过程的全程控制,发挥着非常重要的作用。现有技术中的太阳能控制器,通常在充电主回路中,设有控制正向充电的开关管和防止夜间蓄电池反向放电倒流的二极管或开关管。如果采用二极管来防止夜间蓄电池反向放电,由于二极管正向导通压降较大,当充电电流较大时,二极管发热严重,降低了太阳能控制器的效率。当太阳能控制器的功率较大时,可以采用开关管来防止夜间蓄电池反向放电,利用开关管自身寄生的体二极管来防止蓄电池反向放电,开关管自身寄生的体二极管具有前向压降低、可通过大电流的特性,这样可以大大降低太阳能控制器的功率损失。
当采用MOSFET开关管来防止夜间蓄电池反向放电倒流时,太阳能控制器必须要有防止太阳能电池反接保护功能,否则将造成严重的后果。若太阳能电池反接,则加在防倒流MOSFET开关管两端的电压U为太阳能电池两端的电压与蓄电池的电压之和,比太阳能电池没有反接时的MOSFET开关管两端的电压大很多,当U大于MOSFET开关管所能承受的最大电压时,MOSFET开关管就会被击穿。为了防止被击穿,就需要采用耐压值较大的MOSFET开关管,但MOSFET开关管能承受的最大电压Uds值越大,则通态电阻Ron就越大,其导通功率损耗Pmos=Id2Ron就越大,发热就越严重,为了降低温升就需要配备较大的散热装置,这样不但降低了太阳能的利用效率,而且还使得整机体积较大。
针对上述问题提供一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路以解决现有技术不足甚为必要。
发明内容
本实用新型的目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路,该电路能够防止由于太阳能电池防反接而造成防倒流开关管VT2高压击穿情况的发生。
本实用新型的目的通过以下技术措施实现。
一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路,包括充电回路设置的充电控制开关管VT1和防倒流开关管VT2,太阳能电池的输入端设置有与太阳能电池并联连接的开关管VT3,所述开关管VT3设置有电阻R1;
所述开关管VT3为MOSFET管或者IGBT管;
所述MOSFET管的漏极与所述太阳能电池的正极端PV+连接,所述MOSFET管的源极与所述太阳能电池的负极输入端PV-连接,所述MOSFET管的栅极通过电阻R1和所述MOSFET管的源极连接;
所述IGBT管的集电极与所述太阳能电池的正极端PV+连接,所述IGBT管的发射极与所述太阳能电池的负极输入端PV-连接,所述IGBT管的栅极通过电阻R1和所述IGBT管的发射极连接。
优选的,太阳能电池的输入端设有多个开关管VT3分别与所述太阳能电池并联连接。
另一优选的,所述太阳能电池的输入端并联多组开关管组,每组开关管组由多个开关管VT3串联构成。
本实用新型的一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路,包括充电回路设置的充电控制开关管VT1和防倒流开关管VT2,太阳能电池的输入端设置有与太阳能电池并联连接的开关管VT3,所述开关管VT3设置有电阻R1;所述开关管VT3为MOSFET管或者IGBT管;所述MOSFET管的漏极与所述太阳能电池的正极端PV+连接,所述MOSFET管的源极与所述太阳能电池的负极输入端PV-连接,所述MOSFET管的栅极通过电阻R1和所述MOSFET管的源极连接;所述IGBT管的集电极与所述太阳能电池的正极端PV+连接,所述IGBT管的发射极与所述太阳能电池的负极输入端PV-连接,所述IGBT管的栅极通过电阻R1和所述IGBT管的发射极连接。本实用新型的一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路有效地保证了在发生太阳能电池反接的情况下,防止了由于蓄电池正向电压和太阳能电池正向电压叠加形成的高压对防倒流开关管VT2的高压击穿情况的发生,有效地保护了防倒流开关管VT2的正常工作。
采用上述技术方案, 由于和太阳能电池并联的开关管VT3的保护作用,串联在充电主回路中的防倒流MOSFET开关管VT2只需要采用耐压值较小的MOSFET开关管就可以满足要求,耐压值较小的MOSFET开关管的通态电阻Ron也越小,这样就降低了充电回路的功率损耗,提高了太阳能的利用效率,降低了系统发热,从而进一步降低了整机的体积。
附图说明
利用附图对本实用新型作进一步的说明,但附图中的内容不构成对本实用新型的任何限制。
图1是本实用新型的一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路的电路图。
在图1中包括:太阳能电池100、蓄电池200。
具体实施方式
结合以下实施例对本实用新型作进一步描述。
实施例1
一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路,如图1所示,包括充电回路设置的充电控制开关管VT1和接成同步整流方式的防倒流开关管VT2,充电控制开关管VT1和防倒流开关管VT2为MOSFET管。太阳能电池100的输入端设置有与太阳能电池100并联的开关管VT3,该开关管VT3为MOSFET管。
MOSFET开关管VT3的漏极与太阳能电池100的正极端PV+连接,MOSFET开关管VT3的源极与太阳能电池100的负极输入端PV-连接,MOSFET开关管VT3的栅极通过电阻R1和MOSFET开关管VT3的源极连接。
当太阳能电池100反接时,MOSFET开关管VT3自身寄生的体二极管正向导通,将太阳能电池100的正负极输入端之间的电压钳位在寄生体二极管的正向管压Ud,Ud很小,一般为零点几伏,这样加在防倒流MOSFET开关管VT2两端的电压U≈Ubat,其中Ubat为蓄电池100两端的电压,有效地保护了防倒流MOSFET开关管VT2的正常工作,防止了由于蓄电池100正向电压和太阳能电池100正向电压叠加形成的高压对防倒流MOSFET开关管VT2的高压击穿情况的发生。当太阳能电池100正确连接时,和太阳能电池100并联的MOSFET开关管VT3由于下拉电阻R1的作用而截止,太阳能电池100给蓄电池100充电,MOSFET开关管VT3无功率损耗。故该太阳能控制器的太阳能电池100防反接保护电路有效地保证了在发生太阳能电池100反接的情况下,防止了由于蓄电池100正向电压和太阳能电池100正向电压叠加形成的高压对防倒流MOSFET开关管VT2的高压击穿情况的发生,有效地保护了防倒流MOSFET开关管VT2的正常工作。即MOSFET开关管VT3不影响太阳能控制器的正常工作,也不增加任何功率损耗。
由于和太阳能电池100并联的MOSFET开关管VT3的保护作用,串联在充电主回路中的防倒流MOSFET开关管VT2只需要采用耐压值较小的MOSFET开关管就可以满足要求,耐压值较小的MOSFET开关管的通态电阻Ron也越小,这样就降低了充电回路的功率损耗,提高了太阳能的利用效率,降低了系统发热,从而进一步降低了整机的体积。
实施例2
一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路,其他结构与实施例1相同,不同之处在于:太阳能电池100的输入端,设有多个MOSFET开关管VT3分别与太阳能电池100并联连接,每个MOSFET开关管VT3的漏极和太阳能电池100的正极输入端PV+连接,每个MOSFET开关管VT3的源极和太阳能电池100的负极输入端PV-连接,每个MOSFET开关管VT3的栅极通过电阻R1和MOSFET开关管VT3的源极连接。
实施例3
一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路,其他结构与实施例1相同,不同之处在于:在太阳能电池100的输入端并联多组MOSFET开关管组,每组MOSFET开关管组由多个MOSFET开关管VT3串联构成,最上端的MOSFET开关管的漏极和太阳能电池100的正极输入端PV+连接,最下端的MOSFET开关管的源极和太阳能电池100的负极输入端PV-连接,每个开MOSFET关管的栅极通过电阻R1和它的源极连接。
实施例4
一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路,其他结构与实施例1相同,不同之处在于:开关管VT3为IGBT管。IGBT管的集电极与太阳能电池100的正极端PV+连接, IGBT管的发射极与太阳能电池100的负极输入端PV-连接,IGBT管的栅极通过电阻R1和IGBT管的发射极连接。
实施例5
一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路,其他结构与实施例2相同,不同之处在于:开关管VT3为IGBT管。太阳能电池100的输入端,设有多个IGBT开关管VT3分别与太阳能电池100并联连接,每个IGBT管的集电极和太阳能电池100的正极输入端PV+连接,每个IGBT管的发射极和太阳能电池100的负极输入端PV-连接,每个IGBT管的栅极通过电阻R1和IGBT管的发射极连接。
实施例6
一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路,其他结构与实施例3相同,不同之处在于:开关管VT3为IGBT管。在太阳能电池100的输入端并联多组IGBT开关管组,每组IGBT开关管组由多个IGBT开关管VT3串联构成,最上端的IGBT开关管的集电极和太阳能电池100的正极输入端PV+连接,最下端的IGBT开关管的发射极和太阳能电池100的负极输入端PV-连接,每个IGBT开关管的栅极通过电阻R1和它的发射极连接。
最后应当说明的是,以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对本实用新型保护范围的限制,尽管参照较佳实施例对本实用新型作了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本实用新型技术方案的实质和范围。
Claims (3)
1.一种太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路,包括充电回路设置的充电控制开关管VT1和防倒流开关管VT2,其特征在于:太阳能电池的输入端设置有与太阳能电池并联连接的开关管VT3,所述开关管VT3设置有电阻R1;
所述开关管VT3为MOSFET管或者IGBT管;
所述MOSFET管的漏极与所述太阳能电池的正极端PV+连接,所述MOSFET管的源极与所述太阳能电池的负极输入端PV-连接,所述MOSFET管的栅极通过电阻R1和所述MOSFET管的源极连接;
所述IGBT管的集电极与所述太阳能电池的正极端PV+连接,所述IGBT管的发射极与所述太阳能电池的负极输入端PV-连接,所述IGBT管的栅极通过电阻R1和所述IGBT管的发射极连接。
2. 根据权利要求1所述的太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路,其特征在于:太阳能电池的输入端设有多个开关管VT3分别与所述太阳能电池并联连接。
3. 根据权利要求1所述的太阳能控制器的太阳能电池防反接保护电路,其特征在于:所述太阳能电池的输入端并联多组开关管组,每组开关管组由多个开关管VT3串联构成。
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