CN201974948U - 一种全透明的oled交通信号指示灯 - Google Patents

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张方辉
丁磊
张静
胡长奇
邱西镇
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Abstract

本实用新型涉及一种全透明的OLED交通信号指示灯,包括基板以及自下而上依次设置在基板上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层,发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极。阳极和阴极分别和直流电源的正极和负极相连,其中,所述阳极采用全透或半透明的金属或金属氧化物薄膜,阴极采用金属半透膜,如此,本实用新型OLED交通指示灯能够使行人和车辆在路口的前后两端都可以看到交通灯的指示信息。增强行人和车辆的安全信息,能够更加有效的增强安全意识。

Description

一种全透明的OLED交通信号指示灯
技术领域
本实用新型涉及一种交通灯,特别是一种全透明的OLED交通信号指示灯。
背景技术
交通灯是重要的交通设施,包括路灯和交通信号灯,现有的交通灯大都采用220V的市电经变压器、整流、滤波以及缓冲直接得到直流电,功率因数低、功耗大。而且我国各大中城市用电都存在高峰期和低谷期,电压很不稳定,使得交通的的亮度不稳定,从而降低使用效率,也可能影响交通安全。
实用新型内容
本实用新型设计了一种全透明的OLED交通信号指示灯以改进传统交通信号灯的功效不高,亮度不稳定,成本高,显示信息单一等问题,本实用新型全透明的OLED交通信号灯能够使行人和车辆在信号指示灯的两侧都可以清楚的看到信号指示信息。
为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种全透明的OLED交通信号指示灯,包括基板以及自下而上依次设置在基板上的阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层,发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层,以及阴极,其中,所述阳极和阴极分别和直流电源的正极和负极相连,所述阳极采用全透或半透明的金属或金属氧化钼薄膜,阴极采用金属半透膜。
作为本实用新型的最佳实施例,所述阴极采用透明阴极Mg:Ag合金,在该Mg:Ag合金上磁共溅射有ITO薄膜;
与现有技术相比,本实用新型全透明OLED交通信号指示灯至少具有以下优点:本能实用新型阳极采用全透或半透明的金属或金属氧化钼薄膜,阴极采用金属半透膜,如此,当本实用新型OLED交通指示灯安装在十字路口时,能够使行人和车辆在路口的前后两端都可以看到交通灯的指示信息,增强行人和车辆的安全信息,能够更加有效的增强安全意识。
附图说明
图1是本实用新型全透明的OLED交通信号指示灯的结构示意图;
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型全透明的OLED交通信号指示灯的具体结构做详细描述:
请参阅图1所示,本实用新型全透明的OLED交通信号指示灯包括:包括基板以及自下而上依次设置在基板1上的阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、电子阻挡层5,发光层6、空穴阻挡层7、电子传输层8、电子注入层9、阴极10,所述阳极2和阴极10分别和直流电源的正极和负极相连,所述阳极2采用全透或半透明的金属或金属氧化钼薄膜,阴极10采用金属半透膜。
所述阳极采用透过光率很高的ITO、AZO或者采用降低金属薄膜的厚度来实现半透明的显示效果,金属薄膜可采用Al、Au、Cu或Ag。
所述阴极可以采用半透明的金属薄膜,如Al、Au、Cu或Ag,也可以采用传统的透明阴极Mg:Ag合金,也可以在Mg:Ag合金上再磁共溅射一层ITO薄膜,来改善Mg:Ag合金表面阻抗;进一步,所述阴极也可以采用双层结构,如Ca/Ag,Ba/Ag,双层结构的阴极能够保证高的透光率,同时具有很好的电子传输能力;所述阴极部分可以采用ITO/Ag/ITO,该结构的透明阴极能够很好的改善器件性能;所述阴极部分可以采用WO3/Ag/WO3(WAW)的低电阻的阴极结构,该结构中的金属氧化物也可以采用氧化钼,五氧化二钒,中间层金属可以换成Au,Al。
所述OLED各个有机层的制作工艺采用真空蒸镀的方法,电极的制作采用磁共溅射和真空蒸镀的方法来完成。
所述OLED交通信号指示灯,也能够制作成各种交通信息显示图案,从而增强交通信息显示量。
以上所述仅为本实用新型的一种实施方式,不是全部或唯一的实施方式,本领域普通技术人员通过阅读本实用新型说明书而对本实用新型技术方案采取的任何等效的变换,均为本实用新型的权利要求所涵盖。

Claims (2)

1.一种全透明的OLED交通信号指示灯,其特征在于:包括基板(1)以及自下而上依次设置在基板(1)上的阳极(2)、空穴注入层(3)、空穴传输层(4)、电子阻挡层(5),发光层(6)、空穴阻挡层(7)、电子传输层(8)、电子注入层(9),以及阴极(10),其中,所述阳极(2)和阴极(10)分别和直流电源的正极和负极相连,所述阳极(2)采用全透或半透明的金属或金属氧化钼薄膜,阴极(10)采用金属半透膜。
2.如权利要求1所述的全透明的OLED交通信号指示灯,其特征在于:所述阴极采用透明阴极Mg:Ag合金,在该Mg:Ag合金上磁共溅射有ITO薄膜。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN108475736A (zh) * 2015-11-17 2018-08-31 保土谷化学工业株式会社 有机电致发光元件

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