CN201781079U - 应用于强磁场下的高压连接导体 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种应用于强磁场下的高压连接导体，包括一个主平面导体(1)，主平面导体(1)上装配有多个管状导体(2)，管状导体(2)通过绝缘支撑(4)和导电支撑(5)附于主导体上，使主平面导体(1)的周围形成一个电晕罩；主平面导体(1)的边缘还可以装有的主管状导体(3)；导电支撑(5)是一个潜在连接，它连接到主平面导体(1)的中间部位，导电支撑(5)有两个，对称分布主平面导体(1)的两边。本实用新型的高压连接导体使导体具有较大的等效横截面积直径以消除电晕；同时具有垂至于磁场方向的导体的较小直径以减少涡电流。
Description
技术领域
本实用新型属于电力产品技术领域，具体涉及一种应用于强磁场下的高压连接导体，以消除电晕，同时减少引起的感应电流和电阻性损耗。
背景技术
高压连接导体必须通过结构优化设计使其可以消除电晕。通常的导体设计其有效横截面积直径都很大，例如在800KV高压直流应用中，采用350-450mm的横截面积直径来减少导体表面的电场强度，一般采用直径足够大的管形连接导体或者利用围成圆形的几个小直径的平行导线使其整体的直径能够达到要求。
然而，在强交变磁场中，例如在高压直流干式平波电抗器周围，连接导体会感生出导致损耗和无法接受的高温的涡电流。为了降低引起的感生电流，垂至于磁场方向的连接导体的有效直径就需要尽可能的小。这与为了减少导体表面的电晕需要使导体的直径很大是相矛盾的。
在以往高压应用中，都是通过折衷的方法来处理，通过减小管状导体的直径到涡电流损耗可以接受的程度，但是需要接受一定程度的电晕。对于低压领域的应用，电晕是不会出现的，温度的问题，通过利用平行于磁场方向的平板连接导体可以解决。但是这一方法在高压领域却无法应用。
实用新型内容
本实用新型目的在于提供一种导体，可以减少导体中引发的涡电流，同时具有大的有效物理直径，从而可以减少导体表面的电晕，根据本实用新型的导体适用于高压高交互磁场领域。
本实用新型的应用于强磁场下的高压连接导体，包括一个主平面导体，主平面导体上装配有多个管状导体，管状导体通过绝缘支撑和导电支撑附于主导体上，装配后的整个高压连接导体的有效横截面积明显增加，从而整个导体的外围电场强度低于起始电晕电压，使主平面导体的周围形成一个电晕罩。
根据本实用新型的最佳实施例，导电支撑是一个潜在连接，它连接到主平面导体的中间部位，导电支撑有两个，对称分布主平面导体的两边。所有其他的绝缘支撑都不能够与主平面导体电连接，为了避免环状感生电流。
主平面导体的边缘还可以有一些直径跟电晕罩的管状导体相仿的主管状导体。
根据本实用新型的最佳实施例，主平面导体的宽度选在300-600mm之间。
根据本实用新型的最佳实施例，管状导体的直径选在20-60mm之间。
附图说明
图1是本实用新型的高压连接导体立体示意图；
图2是本实用新型的高压连接导体横界面示意图。
具体实施方式
下面结合本实用新型的附图，更详细地描述本实用新型的最佳实施例。
如图1所示为本实用新型的高压连接导体三维示意图，图2所示为其横界面示意图；本实用新型的高压连接导体包括一个主平面导体1，其宽度D4在300-600mm之间，根据电压不同确定；为了使本实用新型高压连接导体具有适当的结构尺寸以减小电晕，主平面导体1上装配有一些管状导体2，其直径D2在20-60mm之间，装配后的整个高压连接导体的有效横截面积明显增加，从而整个导体的外围电场强度低于起始电晕电压，因此，在主平面导体1的周围形成一个电晕罩。
管状导体2通过足够数量的绝缘支撑4和导电支撑5附于主导体上。导电支撑5同时还是一个潜在连接，它连接到主平面导体1的中间部位，导电支撑5有两个，对称分布主平面导体1的两边。所有其他的绝缘支撑4都不能够与主平面导体1电连接，为了避免环状感生电流。
主平面导体1的边缘还可以有一些直径跟电晕罩的管状导体2相仿的主管状导体3。
其有效横界面积D1×D3将电阻性损耗减小到可以接受得水平，同时具有足够得机械强度以抵挡来自于重量和风的载荷。根据实际应用条件的不同，高压连接导体的设计厚度D3在8-30mm的范围内取值。
本实用新型的优点主要在于，它将两个问题的解决方案分开了：使导体具有较大的有效横截面积直径以消除电晕；垂至于磁场方向的导体的直径需要尽可能的小以减少涡电流。
由于垂直于磁场的范围较小交变磁场将不会在主平导体1引起较大的涡电流，附加的绝缘支撑4和导电支撑5会将电场强度减小到起始电晕电压以下。由于所有支撑中，只有导电支撑5电连接到主平导体1，因此在不同的管状导体2之间以及在管状导体2和主平导体1之间都没有环电流引入。
尽管为说明目的公开了本实用新型的较佳实施例和附图，但是熟悉本领域技术的人员，在不脱离本实用新型及所附的权利要求的精神和范围内，可作各种替换、变化和润饰。因此，本实用新型不应局限于较佳实施例和附图所公开的内容，本实用新型的保护范围以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (7)
1.一种应用于强磁场下的高压连接导体，包括一个主平面导体(1)，其特征在于：主平面导体(1)上装配有多个管状导体(2)，管状导体(2)通过绝缘支撑(4)和导电支撑(5)附于主导体上，使主平面导体(1)的周围形成一个电晕罩。
2.根据权利要求1所述的应用于强磁场下的高压连接导体，其特征在于：导电支撑(5)是一个潜在连接，它连接到主平面导体(1)的中间部位，导电支撑(5)有两个，对称分布主平面导体(1)的两边。
3.根据权利要求1所述的应用于强磁场下的高压连接导体，其特征在于：主平面导体(1)的边缘还装有主管状导体(3)。
4.根据权利要求1所述的应用于强磁场下的高压连接导体，其特征在于：管状导体(2)的横界面为圆形或椭圆形。
5.根据权利要求3所述的应用于强磁场下的高压连接导体，其特征在于：主管状导体(3)的横界面为圆形或椭圆形。
6.根据权利要求1所述的应用于强磁场下的高压连接导体，其特征在于：主平面导体(1)宽度(D4)在300-600mm之间。
7.根据权利要求1-4任意一项所述的应用于强磁场下的高压连接导体，其特征在于：管状导体(2)的直径(D2)在20-60mm之间。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010202473882U CN201781079U (zh) | 2010-07-02 | 2010-07-02 | 应用于强磁场下的高压连接导体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2010202473882U CN201781079U (zh) | 2010-07-02 | 2010-07-02 | 应用于强磁场下的高压连接导体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN201781079U true CN201781079U (zh) | 2011-03-30 |
Family
ID=43794284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010202473882U Expired - Lifetime CN201781079U (zh) | 2010-07-02 | 2010-07-02 | 应用于强磁场下的高压连接导体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN201781079U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104681229A (zh) * | 2015-02-13 | 2015-06-03 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 一种强磁场线圈 |
-
2010
- 2010-07-02 CN CN2010202473882U patent/CN201781079U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104681229A (zh) * | 2015-02-13 | 2015-06-03 | 中国科学院等离子体物理研究所 | 一种强磁场线圈 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20180530 Address after: Baden, Switzerland Patentee after: ABB TECHNOLOGY LTD. Address before: No. 44, von von street, Zurich, Switzerland Patentee before: ABB T & D Technology Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20110330 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |