CN201766495U - 功率均布型三相可控硅主回路 - Google Patents

Abstract

本实用新型属于三相可控硅换相电路技术领域，特别是涉及一种功率均布型三相可控硅主回路。主回路包括一对可控硅器件封装在一起的可控硅模块，由与电源U相相联接的可控硅模块M1、M2，与电源V相相联接的可控硅模块M3、M4，与电源W相相联接的可控硅模块M5、M6所组成。采用本实用新型，由于电流分布均匀，在同样负载电流下，减小了可控硅器件的发热量，有效地利用了可控硅模块和散热器空间，减少了可控硅器件在运行中的局部高温，大大延长了可控硅器件的工作寿命，提高了主回路器件的可靠性。

Description

功率均布型三相可控硅主回路

技术领域        

本实用新型属于三相可控硅换相电路技术领域，特别是涉及一种功率均布型三相可控硅主回路。

背景技术

对于大功率可控硅器件，通常都是以一对可控硅器件封装在一起以模块形式提供的，如图1中方框内所示，每个模块内封装2只可控硅元件。现有的三相可控硅换相主回路电路形式如图1所示，三相可控硅换相主回路由五个可模块组成。电动机正转时，可控硅模块M1、M2、M4工作，M3，M5闲置；电动机反转时，模块M1、M3、M5工作M2，M4闲置。这种方式，三相电流永远只集中在三只模块中，可控硅在工作中产生的热量也集中在三只模块中，电路中另两只模块没有得到有效利用。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种功率均布型三相可控硅主回路，主回路采用6只可控硅模块M1-M6。

本实用新型的目的是通过下述技术方案实现的。

本实用新型的功率均布型三相可控硅主回路，包括一对可控硅器件封装在一起的可控硅模块，其特征在于由与电源U相相联接的可控硅模块M1、 M2，与电源V相相联接的可控硅模块M3、 M4，与电源W相相联接的可控硅模块M5、 M6所组成， 

1）电源U相与可控硅模块M1中的正向可控硅D2的阳极和可控硅模块M2中的正向可控硅D4的阳极相联接，电源U相的输出端Uo与可控硅模块M1中的反向可控硅D1的阳极和可控硅模块M2中的正向可控硅D4的阴极相联接，

2）电源V相与可控硅模块M3中的正向可控硅D6的阳极和可控硅模块M4中的正向可控硅D8的阳极相联接，电源V相的输出端Vo与可控硅模块M3中的反向可控硅D5的阳极、可控硅模块M4中的正向可控硅D8的阴极、可控硅模块M5中的正向可控硅D10的阴极以及可控硅模块M6中的反向可控硅D11的阳极相联接，

3）电源W相与可控硅模块M5中的正向可控硅D10的阳极和可控硅模块M6中的正向可控硅D12的阳极相联接，电源W相的输出端Wo与可控硅模块M3中的正向可控硅D6的阴极、可控硅模块M4中的反向可控硅D7的阳极、可控硅模块M5中的反向可控硅D11的阳极以及可控硅模块M6中的正向可控硅D12的阴极相联接。

所述的功率均布型三相可控硅主回路的应用方法：

当要求输出正相序电压时，所述的电源U相模块M1中的D1即负半周、所述的电源U相模块M2中的D4即正半周导通，所述的电源V相模块M3中的D5即负半周、所述的电源V相模块M4中的D8即正半周导通，所述的电源W相模块M5中的D9即负半周、所述的电源W相模块M6中的D12即正半周导通， 

当要求输出负相序电压时，所述的电源U相模块M1中的D1即负半周、所述的电源U相模块M2中的D4即正半周导通，所述的电源V相模块M3中的D6即正半周、所述的电源V相模块M4中的D7即负半周导通，所述的电源W相模块M5中的D10即正半周、所述的电源W相模块M6中的D11即负半周导通。

本实用新型的主要技术特征是其主回路构成方式，三相电流由6只可控硅模块分摊负荷，实现这种分配方式的电路主要特征是：

1）电源U相与可控硅模块M1中的正向可控硅D2的阳极和可控硅模块M2中的正向可控硅D4的阳极相连，U相输出端Uo与可控硅模块M1中的反向可控硅D1的阳极和可控硅模块M2中的正向可控硅D4的阴极相连。

2）电源V相与可控硅模块M3中的正向可控硅D6的阳极和可控硅模块M4中的正向可控硅D8的阳极相连，V相输出端Vo与可控硅模块M3中的反向可控硅D5的阳极、可控硅模块M4中的正向可控硅D8的阴极、可控硅模块M5中的正向可控硅D10的阴极以及可控硅模块M6中的反向可控硅D11的阳极相连。

3）电源W相与可控硅模块M5中的正向可控硅D10的阳极和可控硅模块M6中的正向可控硅D12的阳极相连，W相输出端W与可控硅模块M3中的正向可控硅D4的阴极、可控硅模块M4中的反向可控硅D7的阳极、可控硅模块M5中的反向可控硅D11的阳极以及可控硅模块M6中的正向可控硅D12的阴极相连。

本实用新型的优点是将三相电流均匀分布到6只可控硅模块中去，使每一只可控硅模块无论是否换相，都只承受半周期的电流。可控硅在工作中产生的热量均匀分配到6只可控硅模块中，电路中的每只模块都得到有效利用。

附图说明

图1为本实用新型的正相序三相可控硅主回路的原理图。

图2为本实用新型的逆相序三相可控硅主回路的原理图。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本实用新型的具体实施方式。

如图1、图2所示，本实用新型的功率均布型三相可控硅主回路，包括一对可控硅器件封装在一起的可控硅模块，其特征在于由与电源U相相联接的可控硅模块M1、 M2，与电源V相相联接的可控硅模块M3、 M4，与电源W相相联接的可控硅模块M5、 M6所组成， 

1）电源U相与可控硅模块M1中的正向可控硅D2的阳极和可控硅模块M2中的正向可控硅D4的阳极相联接，电源U相的输出端Uo与可控硅模块M1中的反向可控硅D1的阳极和可控硅模块M2中的正向可控硅D4的阴极相联接，

2）电源V相与可控硅模块M3中的正向可控硅D6的阳极和可控硅模块M4中的正向可控硅D8的阳极相联接，电源V相的输出端Vo与可控硅模块M3中的反向可控硅D5的阳极、可控硅模块M4中的正向可控硅D8的阴极、可控硅模块M5中的正向可控硅D10的阴极以及可控硅模块M6中的反向可控硅D11的阳极相联接，

3）电源W相与可控硅模块M5中的正向可控硅D10的阳极和可控硅模块M6中的正向可控硅D12的阳极相联接，电源W相的输出端Wo与可控硅模块M3中的正向可控硅D6的阴极、可控硅模块M4中的反向可控硅D7的阳极、可控硅模块M5中的反向可控硅D11的阳极以及可控硅模块M6中的正向可控硅D12的阴极相联接。

图中黑粗线表示模块间的连线。

采用本实用新型的功率均分型三相可控硅主回路，由于电流分布均匀，在同样负载电流下，大大减小了可控硅器件的发热量，有效地利用了可控硅模块和散热器空间，减少了可控硅器件在运行中的局部高温，大大延长了可控硅器件的工作寿命，提高了主回路器件的可靠性。在同样负载状态下，可采用低一级规格的可控硅元件。因此具有十分可观的技术价值和经济价值。

Claims (1)

1.一种功率均布型三相可控硅主回路，包括一对可控硅器件封装在一起的可控硅模块，其特征在于由与电源U相相联接的可控硅模块M1、 M2，与电源V相相联接的可控硅模块M3、 M4，与电源W相相联接的可控硅模块M5、 M6所组成， 

1）电源U相与可控硅模块M1中的正向可控硅D2的阳极和可控硅模块M2中的正向可控硅D4的阳极相联接，电源U相的输出端Uo与可控硅模块M1中的反向可控硅D1的阳极和可控硅模块M2中的正向可控硅D4的阴极相联接，

2）电源V相与可控硅模块M3中的正向可控硅D6的阳极和可控硅模块M4中的正向可控硅D8的阳极相联接，电源V相的输出端Vo与可控硅模块M3中的反向可控硅D5的阳极、可控硅模块M4中的正向可控硅D8的阴极、可控硅模块M5中的正向可控硅D10的阴极以及可控硅模块M6中的反向可控硅D11的阳极相联接，

3）电源W相与可控硅模块M5中的正向可控硅D10的阳极和可控硅模块M6中的正向可控硅D12的阳极相联接，电源W相的输出端Wo与可控硅模块M3中的正向可控硅D6的阴极、可控硅模块M4中的反向可控硅D7的阳极、可控硅模块M5中的反向可控硅D11的阳极以及可控硅模块M6中的正向可控硅D12的阴极相联接。