CN201718105U - 低压日光灯用电子镇流器电路 - Google Patents
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Abstract
低压日光灯用电子镇流器电路,包括依次顺序电联接的肖特基二极管桥式整流电路、串充并放二极管电解电容滤波电路、VDMOS耐高温压控三极管振荡电路、灯电流限制电路、灯丝预热电路。与现有技术相比,本实用新型的优点是,由于采用了肖特基整流二极管,可靠性大大提高,发热烧毁的现象基本杜绝;采用了串充并放滤波电路,提高了功率因数,使电流变成了准正弦波,同时也减少了往返的视在功率的电流,这也是降低镇流器功耗和发热的关键因素;采用功耗小的压控VDMOS三极管,降低了提供驱动偏值电阻的功耗,同时也提高了能效,降低了发热,使得使用本实用新型的镇流器可以工作在高温的场所,亦即适合机床密闭灯具。
Description
技术领域
本实用新型属于低压照明设施领域,具体涉及一种低压日光灯用电子镇流器电路。
背景技术
目前,低压照明如机床灯具照明,依然以卤钨灯白炽灯泡为主,其光转换效率仅10%一13%左右,因此对能源造成了严重的浪费。之前也有很多人尝试一种用日光灯取代白炽灯的办法,其工作原理如图3所示,即为简单的推挽电路、振荡电路来实现日光灯的启动和工作。现有技术存在如下缺陷:低压工作电流大,四支整流二极管损耗大,发热严重;采用直接单支电容滤波造成三次谐波含量特大,大概是基波的200%,桥式二极的导通角较窄,因此功率因数较低,约为0.5左右;普通二极管、三极管的ICBO受温度影响严重,而机床照明灯具上使用的电子镇流器大都装在密闭的灯具里面,因此它们的工作环境温度太高,极易损坏,且由于双极二极结构的原因,效率只能做到30K-40K,不利于变压器的小型化设计,多耗费大量的铜材和磁材。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:克服现有技术的不足,提供一种功耗小、适宜高温场所工作、使用寿命长的低压日光灯用电子镇流器电路。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:低压日光灯用电子镇流器电路,包括肖特基二极管桥式整流电路、串充并放二极管电解电容滤波网络电路、VDMOS耐高温压控三极管振荡电路、灯电流限制电路、灯丝预热电路;所述肖特基二极管桥式整流电路、串充并放二极管电解电容滤波网络电路、VDMOS耐高温压控三极管振荡电路、灯电流限制电路、灯丝预热电路依次顺序电联接;低压电源接入所述肖特基二极管桥式整流电路,所述灯丝预热电路联接灯负载;
优选的,所述肖特基二极管桥式整流电路由四只肖特基二极管D1、D2、D3、D4组成桥式整流电路;
优选的,所述串充并放二极管电解电容滤波网络电路由肖特基二极管D5、D6、D7和电解电容C1、C2组成,所述肖特基二极管D5的负极、电解电容C1的正极与所述肖特基二极管桥式整流电路的输出端电联接;所述肖特基二极管D5的正极电联接电解电容C2正极、肖特基二极管D6的负极;电解电容C1的负极与肖特基二极管D6的正极、肖特基二极管D7的负极电联接;肖特基二极管D7的正极与电解电容C2负极均接地(电源负极);
优选的,所述VDMOS耐高温压控三极管振荡电路由VDMOS三极管Q1、Q2与变压器B1、稳压二极管D8、电感L1、电容C3和电阻R1、R2、R3组成,VDMOS三极管Q1的栅极G1经电阻R2联接变压器B1的驱动绕组B1-1,VDMOS三极管Q2的栅极G2经电阻R3联接变压器B1的驱动绕组B1-2,VDMOS三极管Q1的源极S1和VDMOS三极管Q2的源极S2联接后接入电源负极(接地);VDMOS三极管Q1的漏极D1和VDMOS三极管Q2的漏极D2之间联接电容C3,VDMOS三极管Q1的漏极D1接入变压器B1初级绕组B1-5,VDMOS三极管Q2的漏极D2接入变压器B1初级绕组B1-6;所述串充并放二极管电解电容滤波网络电路2的输出端,一路经电感L1联接初级绕组B1-5与初级绕组B1-6的中心抽头;另一路经电阻R1、稳压二极管D8接地,电阻R1与稳压二极管D8的负极联接点接入变压器B1的驱动绕组B1-1和B1-2的中心抽头;
优选的,所述灯电流限制电路由变压器B1次级绕组B1-7、电容C4组成;电容C4为限流电容,变压器B1次级绕组B1-7一端经电容C4接入灯负载的管脚2,另一端接入灯负载的管脚4;
优选的,所述灯丝预热电路由变压器B1次级绕组B1-3、B1-4和电容C5、C6组成;变压器B1次级绕组B1-4一端经电容C5接入灯负载的管脚1,另一端接入灯负载的管脚2;变压器B1次级绕组B1-3一端经电容C6接入灯负载的管脚3,另一端接入灯负载的管脚4。
与现有技术相比,本实用新型的优点是,由于采用了肖特基整流二极管,可靠性大大提高,发热烧毁的现象基本杜绝;采用了串充并放滤波电路,提高了功率因数,使电流变成了准正弦波,同时也减少了往返的视在功率的电流,这也是降低镇流器功耗和发热的关键因素;采用功耗小的耐高温压控VDMOS三极管,降低了提供驱动偏值电阻的功耗,同时也提高了能效,降低了发热,使得使用本实用新型的镇流器可以工作在高温的场所,亦即适合机床密闭灯具。
附图说明
图1是本实用新型电路结构框图;
图2是本实用新型的电路图;
图3是现有技术的电路结构框图。
具体实施方式
下面结合附图实施例对本实用新型做进一步描述:
如图1、2所示,一种低压日光灯用电子镇流器电路,包括肖特基二极管桥式整流电路1、串充并放二极管电解电容滤波网络电路2、由VDMOS耐高温压控三极管组成的VDMOS耐高温压控三极管振荡电路3、灯电流限制电路4、灯丝预热电路5;所述肖特基二极管桥式整流电路1、串充并放二极管电解电容滤波网络电路2、由VDMOS耐高温压控三极管组成的VDMOS耐高温压控三极管振荡电路3、灯电流限制电路4、灯丝预热电路5依次顺序电联接;低压电源接入所述肖特基二极管桥式整流电路1,所述灯丝预热电路5联接灯负载;参见图1。
所述肖特基二极管桥式整流电路1由四只肖特基二极管D1、D2、D3、D4组成桥式整流电路;参见图2。
所述串充并放二极管电解电容滤波网络电路2由肖特基二极管D5、D6、D7和电解电容C1、C2组成,所述肖特基二极管D5的负极、电解电容C1的正极与所述肖特基二极管桥式整流电路1的输出端电联接;所述肖特基二极管D5的正极电联接电解电容C2正极、肖特基二极管D6的负极;电解电容C1的负极与肖特基二极管D6的正极、肖特基二极管D7的负极电联接;肖特基二极管D7的正极与电解电容C2负极均接地;电解电容C1、肖特基二极管D6、电解电容C2串联组成充电回路,肖特基二极管D5与电解电容C2串联组成电解电容C2的放电回路,肖特基二极管D7与电解电容C1串联组成电解电容C1的放电回路;参见图2。
所述VDMOS耐高温压控三极管振荡电路3由VDMOS三极管Q1、Q2与变压器B1、稳压二极管D8、电感L1、电容C3和电阻R1、R2、R3组成,VDMOS三极管Q1的栅极G1经电阻R2联接变压器B1的驱动绕组B1-1,VDMOS三极管Q2的栅极G2经电阻R3联接变压器B1的驱动绕组B1-2,VDMOS三极管Q1的源极S1和VDMOS三极管Q2的源极S2联接后接入电源负极(接地);VDMOS三极管Q1的漏极D1和VDMOS三极管Q2的漏极D2之间联接电容C3,VDMOS三极管Q1的漏极D1接入变压器B1初级绕组B1-5,VDMOS三极管Q2的漏极D2接入变压器B1初级绕组B1-6;所述串充并放二极管电解电容滤波网络电路2的输出端,一路经电感L1联接初级绕组B1-5与初级绕组B1-6的中心抽头;另一路经电阻R1、稳压二极管D8接地,电阻R1与稳压二极管D8的负极联接点接入变压器B1的驱动绕组B1-1和B1-2的中心抽头;参见图2。
所述灯丝预热电路5由变压器B1次级绕组B1-3、B1-4和电容C5、C6组成;变压器B1次级绕组B1-4一端经电容C5接入灯负载的管脚1,另一端接入灯负载的管脚2;变压器B1次级绕组B1-3一端经电容C6接入灯负载的管脚3,另一端接入灯负载的管脚4;参见图2。
所述灯电流限制电路4由变压器B1次级绕组B1-7、电容C4组成;电容C4为限流电容,变压器B1次级绕组B1-7一端经电容C4接入灯负载的管脚2,另一端接入灯负载的管脚4。参见图2。
工作原理与工作过程如下:
如图1、2所示,低压电源接入肖特基二极管桥式整流电路1后,由于肖特基的压降仅为0.2-0.3V,适宜其功耗大大降低,功耗仅为原有的20%,可靠性大大提高。现有技术经常因电流大造成普通二极管发热烧毁的现象基本杜绝;
经过串充并放二极管电解电容滤波电路2,因为它不是单一的电解电容滤波,因而提高了功率因数COSφ,使电流变成了准正弦波。同时也减少了往返的视在功率的电流,这也是降低本镇流器功耗和发热的关键因素;
再经过VDMOS耐高温压控三极管振荡电路3,其自身功耗小,属于电压型控制器,降低了提供驱动偏值电阻的功耗,同时也提高了能效,降低了发热,并因VDMOS三极管开关速度快,效率高,因此变压器设计的也比较小,利于本电子镇流器的小型化,并且此VDMOS三极管可以工作在高温的场所,适合机床密闭灯具;因该灯具工作在密封灯具里面,为了提高可靠性,将安装了本实用新型的电子镇流器,封装在灌有阻燃的黑胶壳体内。
以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非是对本实用新型作其它形式的限制,任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本实用新型技术方案内容,依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型,仍属于本实用新型技术方案的保护范围。
Claims (6)
1.低压日光灯用电子镇流器电路,其特征在于:包括肖特基二极管桥式整流电路(1)、串充并放二极管电解电容滤波网络电路(2)、VDMOS耐高温压控三极管振荡电路(3)、灯电流限制电路(4)、灯丝预热电路(5);所述肖特基二极管桥式整流电路(1)、串充并放二极管电解电容滤波网络电路(2)、VDMOS耐高温压控三极管振荡电路(3)、灯电流限制电路(4)、灯丝预热电路(5)依次顺序电联接;低压电源接入所述肖特基二极管桥式整流电路(1),所述灯丝预热电路(5)联接灯负载。
2.根据权利要求1所述的低压日光灯用电子镇流器电路,其特征在于:所述肖特基二极管桥式整流电路(1)由四只肖特基二极管D1、D2、D3、D4组成桥式整流电路。
3.根据权利要求2所述的低压日光灯用电子镇流器电路,其特征在于:所述串充并放二极管电解电容滤波网络电路(2)由肖特基二极管D5、D6、D7和电解电容C1、C2组成,所述肖特基二极管D5的负极、电解电容C1的正极与所述肖特基二极管桥式整流电路(1)的输出端电联接;所述肖特基二极管D5的正极电联接电解电容C2正极、肖特基二极管D6的负极;电解电容C1的负极与肖特基二极管D6的正极、肖特基二极管D7的负极电联接;肖特基二极管D7的正极与电解电容C2负极均接地。
4.根据权利要求3所述的低压日光灯用电子镇流器电路,其特征在于:所述VDMOS耐高温压控三极管振荡电路(3)由VDMOS三极管Q1、Q2与变压器B1、稳压二极管D8、电感L1、电容C3和电阻R1、R2、R3组成,VDMOS三极管Q1的栅极G1经电阻R2联接变压器B1的驱动绕组B1-1,VDMOS三极管Q2的栅极G2经电阻R3联接变压器B1的驱动绕组B1-2,VDMOS三极管Q1的源极S1和VDMOS三极管Q2的源极S2联接后接入电源负极;VDMOS三极管Q1的漏极D1和VDMOS三极管Q2的漏极D2之间联接电容C3,VDMOS三极管Q1的漏极D1接入变压器B1初级绕组B1-5,VDMOS三极管Q2的漏极D2接入变压器B1初级绕组B1-6;所述串充并放二极管电解电容滤波网络电路2的输出端,一路经电感L1联接初级绕组B1-5与初级绕组B1-6的中心抽头;另一路经电阻R1、稳压二极管D8接地,电阻R1与稳压二极管D8的负极联接点接入变压器B1的驱动绕组B1-1和B1-2的中心抽头。
5.根据权利要求4所述的低压日光灯用电子镇流器电路,其特征在于:所述灯电流限制电路(4)由变压器B1次级绕组B1-7、电容C4组成;电容C4为限流电容,变压器B1次级绕组B1-7一端经电容C4接入灯负载的管脚2,另一端接入灯负载的管脚4。
6.根据权利要求5所述的低压日光灯用电子镇流器电路,其特征在于:所述灯丝预热电路(5)由变压器B1次级绕组B1-3、B1-4和电容C5、C6组成;变压器B1次级绕组B1-4一端经电容C5接入灯负载的管脚1,另一端接入灯负载的管脚2;变压器B1次级绕组B1-3一端经电容C6接入灯负载的管脚3,另一端接入灯负载的管脚4。
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