CN201674463U - 低功耗真空封装精密恒温温补晶体振荡器 - Google Patents

低功耗真空封装精密恒温温补晶体振荡器 Download PDF

Info

Publication number
CN201674463U
CN201674463U CN2010202280220U CN201020228022U CN201674463U CN 201674463 U CN201674463 U CN 201674463U CN 2010202280220 U CN2010202280220 U CN 2010202280220U CN 201020228022 U CN201020228022 U CN 201020228022U CN 201674463 U CN201674463 U CN 201674463U
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature
crystal oscillator
circuit
power consumption
thermostat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2010202280220U
Other languages
English (en)
Inventor
何超
王洪斌
胡志雄
王丽娟
宋学忠
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TANGSHAN GUOXIN JINGYUAN ELECTRONICS CO., LTD.
Original Assignee
TANGSHAN JINGYUAN YUFENG ELECTRONICS CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TANGSHAN JINGYUAN YUFENG ELECTRONICS CO Ltd filed Critical TANGSHAN JINGYUAN YUFENG ELECTRONICS CO Ltd
Priority to CN2010202280220U priority Critical patent/CN201674463U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN201674463U publication Critical patent/CN201674463U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Abstract

本实用新型涉及压电石英晶体振荡器，特别是一种低功耗真空封装精密恒温温补晶体振荡器。它包括窄温温补晶体振荡器和恒温槽电路，所述窄温温补晶体振荡器由置于低精度的真空封装的恒温槽内的温度补偿晶体振荡器专用IC和高稳定度的晶体谐振器组成；所述恒温槽电路由恒温控制电路和双向驱动电路组成；该窄温温补晶体振荡器与该恒温槽电路之间设置有感知该晶体谐振器温度的温度传感器，该恒温控制电路连接有工作温度设定电路T0，该双向驱动电路连接有控制恒温槽内部温度的半导体制冷/制热器。本实用新型可以大大降低晶体振荡器的功耗，同时可以保证将晶体振荡器的工作温度范围缩短，大大提高了温度补偿晶体振荡器的温度稳定度。

Description

低功耗真空封装精密恒温温补晶体振荡器
技术领域
本实用新型涉及压电石英晶体振荡器，特别是一种低功耗真空封装精密恒温温补晶体振荡器。
背景技术
现有的恒温晶体振荡器体积大、功耗大，采用真空封装时热结构容易改变而导致精度降低；而现有的温度补偿晶体振荡器在宽温度范围内具有频率温度稳定度精度低的缺陷；所以宽温度范围内功耗低、精度高的晶体振荡器一直是业界追求的目标。
发明内容：
本实用新型旨在解决现有技术存在的上述问题，而提供一种宽温度范围内功耗低、精度高的低功耗真空封装精密恒温温补晶体振荡器。
本实用新型解决其技术问题采用的技术方案是：一种低功耗真空封装精密恒温温补晶体振荡器，它包括窄温温补晶体振荡器和恒温槽电路，所述窄温温补晶体振荡器由置于低精度的真空封装的恒温槽内的温度补偿晶体振荡器专用IC和高稳定度的晶体谐振器组成；所述恒温槽电路由恒温控制电路和双向驱动电路组成；该窄温温补晶体振荡器与该恒温槽电路之间设置有感知该晶体谐振器温度的温度传感器，该恒温控制电路连接有工作温度设定电路T0，该双向驱动电路连接有控制恒温槽内部温度的半导体制冷/制热器。
本实用新型通过温度传感器来感知温度补偿晶体振荡器中晶体谐振器的温度，传感器信号通过恒温控制电路进行信号比较，之后传递给双向驱动电路来控制半导体制冷制热器，使其达到控制恒温槽内部温度的目的。
与现有技术相比，本实用新型利用半导体制冷/制热器及其控制电路，对窄温度范围内的高精度小型陶瓷封装的温度补偿晶体振荡器来进行恒温控制，高精度小型陶瓷封装的温度补偿晶体振荡器的可工作温度范围大于双向控温恒温槽的可控温度范围，恒温槽的工作温度点设置在室温附近。恒温槽采用真空封装，这样可以大大降低晶体振荡器的功耗，同时可以保证将晶体振荡器的工作温度范围缩短，大大提高了温度补偿晶体振荡器的温度稳定度。
附图说明：
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明。
参见图1，本实施例所述的低功耗真空封装精密恒温温补晶体振荡器，它由窄温温补晶体振荡器、恒温槽电路、工作温度设定电路T0、温度传感器、半导体制冷/制热器组成，所述窄温温补晶体振荡器由置于低精度的真空封装的恒温槽内的温度补偿晶体振荡器专用IC和高稳定度的晶体谐振器组成；所述恒温槽电路由恒温控制电路和双向驱动电路组成；该窄温温补晶体振荡器与该恒温槽电路之间设置有感知该晶体谐振器温度的温度传感器，该恒温控制电路连接有工作温度设定电路T0，该双向驱动电路连接有控制恒温槽内部温度的半导体制冷/制热器。
本实施例所述温度补偿晶体振荡器采用AKM2151专用IC；所述恒温控制电路采用直放式精密控温电路；所述双向驱动电路由电压比较器构成；所述温度传感器采用LM45C高精度温度传感器；所述工作温度设定电路采用直放式精密控温电路；所述半导体制冷/制热器采用多对热电元件构成的热电堆。
本实用新型的工作原理是：假设产品的可工作温度范围为T1-T2，恒温槽的设定工作温度为T0＝1/2(T1+T2)，由于恒温槽的精度低，存在一定的误差ΔT，所以恒温槽的工作温度范围为(T0-ΔT，T0+ΔT)。为了保证产品的精度，温度补偿晶体振荡器的补偿温度范围应大于(T0-ΔT，T0+ΔT)。由温度传感器采样温度补偿晶体振荡器中晶体谐振器的温度，通过恒温控制电路中的比较器将此温度与恒温槽设定温度相比较，然后向双向驱动电路发送电压信号，当温度传感器采样的温度高于设定温度T0时，通过半导体制冷/制热器的制冷功能，使温度补偿晶体振荡器中晶体谐振器温度降低到设定工作温度；当温度传感器采样的温度低于设定温度T0时，通过半导体制冷/制热器的制热功能，使温度补偿晶体振荡器中晶体谐振器温度升高到设定工作温度T0。该闭环控制电路的精度可以较低，只需相同精度的温度补偿晶体振荡器的工作温度范围大于恒温槽的工作温度范围。

Claims (7)

1.一种低功耗真空封装精密恒温温补晶体振荡器，它包括窄温温补晶体振荡器和恒温槽电路，其特征在于，所述窄温温补晶体振荡器由置于低精度的真空封装的恒温槽内的温度补偿晶体振荡器专用IC和高稳定度的晶体谐振器组成；所述恒温槽电路由恒温控制电路和双向驱动电路组成；该窄温温补晶体振荡器与该恒温槽电路之间设置有感知该晶体谐振器温度的温度传感器，该恒温控制电路连接有工作温度设定电路T0，该双向驱动电路连接有控制恒温槽内部温度的半导体制冷/制热器。
2.根据权利要求1所述的低功耗真空封装精密恒温温补晶体振荡器，其特征在于，所述温度补偿晶体振荡器采用AKM2151专用IC。
3.根据权利要求1所述的低功耗真空封装精密恒温温补晶体振荡器，其特征在于，所述恒温控制电路采用直放式精密控温电路。
4.根据权利要求1所述的低功耗真空封装精密恒温温补晶体振荡器，其特征在于，所述双向驱动电路由电压比较器构成。
5.根据权利要求1所述的低功耗真空封装精密恒温温补晶体振荡器，其特征在于，所述温度传感器采用LM45C高精度温度传感器。
6.根据权利要求1所述的低功耗真空封装精密恒温温补晶体振荡器，其特征在于，所述工作温度设定电路采用直放式精密控温电路。
7.根据权利要求1所述的低功耗真空封装精密恒温温补晶体振荡器，其特征在于，所述半导体制冷/制热器采用多对热电元件构成的热电堆。
CN2010202280220U 2010-06-13 2010-06-13 低功耗真空封装精密恒温温补晶体振荡器 Expired - Fee Related CN201674463U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010202280220U CN201674463U (zh) 2010-06-13 2010-06-13 低功耗真空封装精密恒温温补晶体振荡器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2010202280220U CN201674463U (zh) 2010-06-13 2010-06-13 低功耗真空封装精密恒温温补晶体振荡器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN201674463U true CN201674463U (zh) 2010-12-15

Family

ID=43331870

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010202280220U Expired - Fee Related CN201674463U (zh) 2010-06-13 2010-06-13 低功耗真空封装精密恒温温补晶体振荡器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN201674463U (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102025321A (zh) * 2010-12-22 2011-04-20 广东大普通信技术有限公司 恒温晶体振荡器
CN102437817A (zh) * 2011-11-25 2012-05-02 成都天奥电子股份有限公司 一种smd微型恒温晶体振荡器
CN105610402A (zh) * 2015-12-17 2016-05-25 南京中电熊猫晶体科技有限公司 一种小尺寸低功耗的恒温晶体振荡器
CN105811965A (zh) * 2016-03-14 2016-07-27 西安工业大学 一种高精度石英晶体振荡器结构及其实现方法
CN106411317A (zh) * 2016-10-11 2017-02-15 武汉轻工大学 高稳定度恒温晶体振荡器及提高晶体振荡器稳定度的方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102025321A (zh) * 2010-12-22 2011-04-20 广东大普通信技术有限公司 恒温晶体振荡器
CN102437817A (zh) * 2011-11-25 2012-05-02 成都天奥电子股份有限公司 一种smd微型恒温晶体振荡器
CN105610402A (zh) * 2015-12-17 2016-05-25 南京中电熊猫晶体科技有限公司 一种小尺寸低功耗的恒温晶体振荡器
CN105610402B (zh) * 2015-12-17 2019-08-27 南京中电熊猫晶体科技有限公司 一种小尺寸低功耗的恒温晶体振荡器
CN105811965A (zh) * 2016-03-14 2016-07-27 西安工业大学 一种高精度石英晶体振荡器结构及其实现方法
CN105811965B (zh) * 2016-03-14 2019-02-19 西安工业大学 一种高精度石英晶体振荡器结构及其实现方法
CN106411317A (zh) * 2016-10-11 2017-02-15 武汉轻工大学 高稳定度恒温晶体振荡器及提高晶体振荡器稳定度的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN201674463U (zh) 低功耗真空封装精密恒温温补晶体振荡器
CN102944325B (zh) 一种无源无线温、湿度集成传感器
CN105466626A (zh) 薄膜压力传感器及其制造方法
CN103698060B (zh) 带温度补偿的无线无源高温压力传感器及其温度补偿算法
CN101860322A (zh) 自动跟随温度控制晶体振荡器
CN201464410U (zh) 高频电容式土壤湿度传感器
TW201212526A (en) Voltage controlled temperature compensated crystal oscillator
US9191012B2 (en) Temperature compensated MEMS oscillator
CN103557970B (zh) 一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器及其制作方法
CN103017823B (zh) 一种无源无线温度气压集成传感器
Chiang et al. A novel, high-resolution resonant thermometer used for temperature compensation of a cofabricated pressure sensor
CN107607210A (zh) 一种基于超材料结构的温度传感器
CN202929500U (zh) 加速度计及其温控电路
CN102025321A (zh) 恒温晶体振荡器
CN104634499A (zh) 一种智能压力变送器
CN101337653A (zh) 自动恒温加热装置
CN101859155B (zh) 微谐振器温度控制系统
CN203054630U (zh) 采用电位器的冰箱电子温控器
CN202720256U (zh) 一种高精度闭环型霍尔电流传感器用电子线路
CN110411432B (zh) 一种serf原子气室用的双层加热保温装置
CN202435342U (zh) 一种恒温晶体振荡电路的温度补偿装置
CN203896310U (zh) 一种单槽恒温晶振的控温结构
CN201976070U (zh) 高频率数字温度补偿晶体振荡器
CN205581683U (zh) 一种用于光学微球腔的高精度温控系统
CN204903052U (zh) 数字压力表

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: TONGFANG GUOXIN ELECTRONICS CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: TANGSHAN JINGYUAN YUFENG ELECTRONICS CO., LTD.

CP03 Change of name, title or address

Address after: 064000 No. 3129 west end street, Yutian County, Hebei, Tangshan City

Patentee after: Tongfang Guoxin Electronics Co., Ltd.

Address before: 064100 Yutian County, Hebei Province, no end of West Street, No. 3129, No.

Patentee before: Tangshan Jingyuan Yufeng Electronics Co., Ltd.

C56 Change in the name or address of the patentee
CP03 Change of name, title or address

Address after: 064100 Yutian County, Hebei Province, no end of West Street, No. 3129, No.

Patentee after: Violet Guoxin Limited by Share Ltd

Address before: 064000 No. 3129 west end street, Yutian County, Hebei, Tangshan City

Patentee before: Tongfang Guoxin Electronics Co., Ltd.

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20170308

Address after: 064100 Yutian Hebei Xin Xing Industrial Park

Patentee after: TANGSHAN GUOXIN JINGYUAN ELECTRONICS CO., LTD.

Address before: 064100 Yutian County, Hebei Province, no end of West Street, No. 3129, No.

Patentee before: Violet Guoxin Limited by Share Ltd

TR01 Transfer of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20101215

Termination date: 20180613

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee