CN201657467U - 一种它激式85w节能灯电子镇流器电路 - Google Patents

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Abstract

一种采用无源功率因数校正和半桥驱动的电子镇流器电路包括一个滤波电路，可有效抑制因辐射和传导所引起的电磁干扰，以便达到电磁兼容(EMC)；一个过压保护线路可对输入电压的瞬间高脉冲进行吸收，使之不能进入后序电路，避免可能造成故障；一个桥式整流电路可将过压保护电路输入的50Hz交流电压转换成100Hz的单向脉冲电压；一个异常保护电路通过半桥过流保护、点火失效保护、过电压保护给输出的电路提供一个稳定的电压。一个功率因数校正电路，采用无源逐流电路让电容充电时间拉长，放电时间缩短，提高功率因数；一个半桥振荡及驱动电路，使半桥管和输出的频率更加稳定。本实用新型有功率因数、电源电压范围宽和频率稳定，和灯管配套工作时温升低、转换效率高、寿命长的优点。

Description

一种它激式85W节能灯电子镇流器电路
技术领域：
本实用新型涉及一种电子镇流器电路，特别是一种采用无源功率因数校正和半桥驱动的电子镇流器电路。
背景技术：
目前，我们见到市场上应用的85W左右的节能灯电子镇流器，基本采用自激振荡方式驱动半桥电路的两只开关管工作，因振荡频率稳定控制难度大，很难保证批量产品质量的一致性和提高运行的可靠性，是造成镇流器损坏的重要原因。
发明内容：
本实用新型的目的是提供一种采用无源功率因数校正和半桥驱动的它激式电子镇流器，该电子镇流器具有频率稳定、功率因数高、工作可靠的特点。
本实用新型的主要技术方案是：该电子镇流器包括一个滤波电路，其输出端连接一个过压保护电路及保护电路连接的全桥整流电路；滤波电路采用有一个共模电感、两个电容组成的EMI滤波器，将AC市电频率的电压转换成DC电压后输入到过压保护电路，有效抑制因辐射和传导所引起的电磁干扰，以便达到电磁兼容(EMC)；而过压保护线路可对输入电压的瞬间高脉冲进行吸收，使之不能进入后序电路，避免可能造成故障；桥式整流电路可将过压保护电路输入的50Hz交流电压转换成100Hz的单向脉冲电压；异常保护电路通过半桥过流保护、点火失效保护、过电压保护给输出的电路提供一个稳定的电压。
该电子镇流器还包括一个功率因数校正电路，采用无源逐流电路让电容充电时间拉长，放电时间缩短，提高功率因数；一个半桥振荡及驱动电路，其中该电路采专用控制芯片，可驱动MOSFET组成的半桥电路，输出频率稳定可靠；半桥采用上下晶体管，提高了半桥管在运行中的可靠性。以上所述部分电路，可以用公知的技术实现。
本实用新型的电子镇流器电路达到了以下有益效果：桥式整流电路可将过压保护电路输入的50Hz交流电压转换成100Hz的单向脉冲电压；功率因数校正电路部分采用无源逐流电路让电容充电时间拉长，放电时间缩短，提高功率因数；半桥振荡及驱动电路保证了频率和半桥管在工作中的稳定。所以，这种电子镇流器克服了现有电子镇流器的缺点，和灯管配套工作时温升低、转换效率高、寿命长的优点。
附图说明
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。
图1是本实用新型的一个实施例电路模块方框图。
图2是本实用新型的一个工作原理图。
具体实施方式：
如图1、2所示，本实用新型的一个实施例包括：
滤波电路(1)，由一个共模电感、两个电容构成的滤波器，后接过压保护电路；
过电压保护电路(2)，由限流元件组成，输入端接入滤波电路(1)，输出恒定的工作电压；
桥式整流电路(3)，将输入的50Hz交流电压转换成100Hz的单向脉冲电压；
功率因数校正电路(4)，采用由二极管和电容组成的逐流电路的无源功率因数校正，由于电容器之间的充电时间拉长了，放电时间缩短，提高了功率因数。
半桥振荡及驱动电路(5)，该电路采用IR2153专用控制芯片，可驱动MOSFET组成的半桥电路，半桥上管下管采用IRF830场效应晶体管，MOFET管的BVDS为500V，ID为4.5A，提高半桥管在运行中的可靠性。
异常保护电路部分(6)，该电路采用半桥过流保护、点火失效保护、过电压保护，保护开关电源和节能灯的正常工作。

Claims (3)

1.一种采用无源功率因数校正和半桥驱动的电子镇流器电路，包括：
一个滤波电路，有效抑制因辐射和传导所引起的电磁干扰，以便达到电磁兼容(EMC)；
一个过压保护线路可对输入电压的瞬间高脉冲进行吸收，使之不能进入后序电路，避免可能造成故障；
一个桥式整流电路可将过压保护电路输入的50Hz交流电压转换成100Hz的单向脉冲电压；
一个异常保护电路通过半桥过流保护、点火失效保护、过电压保护给输出的电路提供一个稳定的电压；
其特征在于：还包括一个功率因数校正电路，采用无源逐流电路让电容充电时间拉长，放电时间缩短，提高功率因数；
一个半桥振荡及驱动电路，其中该电路采专用控制芯片，可驱动MOSFET组成的半桥电路，输出频率稳定可靠；半桥采用上下晶体管，提高了半桥管在运行中的可靠性。
2.根据权利要求书1的电子镇流器电路，其特征在于：所述的功率因数校正电路采用的是无源逐流电路。
3.根据权利要求书1的电子镇流器电路，其特征在于：所述的半桥振荡及驱动电路采用是IRF830场效应晶体管和IR2153控制芯片，MOFET管的BVDS为500V，ID为4.5A。
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