CN201629666U - 一种基于exb841芯片的igbt驱动电路 - Google Patents
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Abstract
一种基于EXB841芯片的IGBT驱动电路,它还包括型号为NE555P的芯片和型号为6N137芯片,NE555P芯片的第三引脚与与门的其中一个输入端连接,与门的输出端与EX841芯片第十五引脚连接,NE555P芯片的第二引脚通过第五电阻与三极管的集电极连接,三极管的基极通过6N137芯片的第六引脚连接,三极管的集电极与或门的其中一个输入端连接,或门的输出端与与门的另一个输入端连接,其优点是在EXB841检测到过流时进行软关断的过程中为了防止外部输人信号撤除从而直接使IGBT硬关断,可从V1的集电极引出一高电平对输人信号进行封锁,从而保证软关断的顺利进行。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种电力设备,尤其是涉及一种基于EXB841芯片的IGBT驱动电路。
背景技术
绝缘栅极双极型晶体管IGBT在各种电力变换装置中得到广泛应用。一种基于EXB841芯片的IGBT驱动电路具有单电源、正负偏压、过流检测、保护、软关断等主要特性,其是一种比较典型的驱动电路。但该IGBT驱动电路存在着过电流保护无自锁功能等缺点。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种具有电流保护自锁功能的基于EXB841芯片的IGBT驱动电路。
本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案为:一种基于EXB841芯片的IGBT驱动电路,包括驱动电路,所述的驱动电路包括EXB841芯片及场效应管,所述的场效应管的栅极通过一电阻与EXB841芯片的第三引脚连接,所述的场效应管的源极与漏极之间设置有稳压管,它还包括型号为NE555P的芯片和型号为6N137芯片,所述的NE555P芯片的第三引脚与与门的其中一个输入端连接,与门的输出端与EX841芯片第十五引脚连接,所述的NE555P芯片的第二引脚通过第五电阻与三极管的集电极连接,所述的三极管的基极通过6N137芯片的第六引脚连接,所述的三极管的发射极接地,所述的三极管的集电极与或门的其中一个输入端连接,所述的或门的输出端与所述的与门的另一个输入端连接。
与现有技术相比,本实用新型的优点在于当IGBT驱动电路正常工作时,EXB 841的第五引脚是高电平,此时光藕芯片6N137截止,其第六引脚为高电平,从而使三极管V1导通,于是电容C6不充电,NE555P的第三引脚输出为高电平,输人信号被接到EXB 841芯片的第十五引脚,EXB 841正常工作驱动IGBT。
当EXB 841芯片检测到过电流时EXB841的第五引脚变为低电平,于是光藕芯片6N137导通使三极管V1截止,+5V电压经第四电阻R4和第五电阻R5对第六电容C6充电,第四电阻R4和第五电阻R5的总阻值为90KΩ,第六电容C6的容值为100pF,经过5us后芯片NE555P的第三引脚输出为低电平,通过与门将输人信号封锁。因为芯片EXB 841从检测到IGBT过电流到对其软关断结束要10US,此电路延迟5US工作是因为EXB 841检测到过电流到EXB841的5脚信号为低电平需要5us,这样经过NE555P定时器延迟5us使IGBT软关断后再停止输人信号,避免立即停止输人信号造成硬关断。
同时,在EXB841检测到过流时进行软关断的过程中为了防止外部输人信号撤除从而直接使IGBT硬关断,可从V1的集电极引出一高电平对输人信号进行封锁,从而保证软关断的顺利进行。该电路解决了EXB841存在的过电流保护无自锁功能这一问题。
附图说明
图1为本实用新型的电路图。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
一种基于EXB841芯片的IGBT驱动电路,包括驱动电路,驱动电路包括EXB841芯片及场效应管Vig,场效应管Vig的栅极通过一电阻RG与EXB841芯片的第三引脚连接,场效应管Vig的源极与漏极之间设置有稳压管,它还包括型号为NE555P的芯片和型号为6N137芯片,NE555P芯片的第三引脚与与门U3的其中一个输入端连接,与门U3的输出端与EX841芯片第十五引脚连接,NE555P芯片的第二引脚通过第五电阻R5与三极管V1的集电极连接,三极管V1的基极通过6N137芯片的第六引脚连接,三极管V1的发射极接地,三极管V1的集电极与或门U4的其中一个输入端连接,或门U4的输出端与与门U3的另一个输入端连接。
工作原理:当IGBT驱动电路正常工作时,EXB 841的第五引脚是高电平,此时光藕芯片6N137截止,6N137芯片第六引脚为高电平,从而使三极管V1导通,于是电容C6不充电,NE555P的第三引脚输出为高电平,输人信号被接到EXB 841芯片的第十五引脚,EXB 841正常工作驱动IGBT。
当EXB 841芯片检测到过电流时,EXB841的第五引脚变为低电平,于是光藕芯片6N137导通使三极管V1截止,+5V电压经第四电阻R4和第五电阻R5对第六电容C6充电,第四电阻R4和第五电阻R5的总阻值为90KΩ,第六电容C6的容值为100pF,经过5us后芯片NE555P的第三引脚输出为低电平,通过与门U3将输人信号封锁。因为芯片EXB 841从检测到IGBT过电流到对其软关断结束要10US,此电路延迟5US工作是因为EXB 841检测到过电流到EXB 841的5脚信号为低电平需要5us,这样经过NE555P定时器延迟5us使IGBT软关断后再停止输人信号,避免立即停止输人信号造成硬关断。
同时,在芯片EXB841检测到过流时,进行软关断的过程中为了防止外部输人信号撤除从而直接使IGBT硬关断,可从三极管V1的集电极引出一高电平对输人信号进行封锁,从而保证软关断的顺利进行。该电路解决了EXB841存在的过电流保护无自锁功能这一问题。
经过试验发现该电路在正常工作时,可以通过EXB841芯片的第三引脚发出+15V和一5V电压信号驱动IGBT开通和关断,当IGBT发生过流时该电路能可靠地进行软关断。
Claims (1)
1.一种基于EXB841芯片的IGBT驱动电路,包括驱动电路,所述的驱动电路包括EXB841芯片及场效应管,所述的场效应管的栅极通过一电阻与EXB841芯片的第三引脚连接,所述的场效应管的源极与漏极之间设置有稳压管,其特征在于它还包括型号为NE555P的芯片和型号为6N137芯片,所述的NE555P芯片的第三引脚与与门的其中一个输入端连接,与门的输出端与EX841芯片第十五引脚连接,所述的NE555P芯片的第二引脚通过第五电阻与三极管的集电极连接,所述的三极管的基极与6N137芯片的第六引脚连接,所述的三极管的发射极接地,所述的三极管的集电极与或门的其中一个输入端连接,所述的或门的输出端与所述的与门的另一个输入端连接。
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CN102522964A (zh) * | 2012-01-05 | 2012-06-27 | 哈尔滨工业大学 | 一种用于Marx高压发生器的IGBT驱动电路 |
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GR01 | Patent grant | ||
EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Assignee: Ningbo Fengshen sensor intelligent software technology Co., Ltd. Assignor: Xu Jianxiong Contract record no.: 2011330000126 Denomination of utility model: IGBT driving circuit based on EXB841 chip Granted publication date: 20101110 License type: Exclusive License Record date: 20110323 |
|
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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