CN201611580U - 一种中子辐照屏蔽装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种由聚乙烯屏蔽块、内侧γ屏蔽块、后γ屏蔽块、方形准直孔套、正向γ屏蔽块、圆形准直孔套、走源管、外侧γ屏蔽块及外端γ屏蔽块组成的中子辐照屏蔽装置，多个聚乙烯屏蔽块顺次垒叠搭建成屏蔽体，聚乙烯屏蔽块上下表面的环状牙槽相互紧密啮合，同时将内侧γ屏蔽块与后γ屏蔽块组合镶嵌到屏蔽体内部放源处周围，构成一个内部具有供走源管插入的竖直通道和放置准直孔套的开口的长方体形的屏蔽体，将方形准直孔套推入开口中，与正向γ屏蔽块组成方形的准直孔，再将圆形准直孔套推入方形准直孔中，由外侧γ屏蔽块及外端γ屏蔽块围成圆形准直孔。本屏蔽装置能进行无损拆卸和重新组装、避免直缝缝隙泄露、准直孔外形和大小可变、使用灵活方便。
Description
所属发明领域
本实用新型涉及核辐射屏蔽设备技术领域，特别是涉及到一种中子辐照屏蔽装置。
背景技术
当前，在核辐射技术领域中，由于放射性装置如核反应堆、放射性同位素以及加速器等在运行过程中都会产生很强的核辐射，这就需要采用有效的屏蔽防护措施，以确保环境场所人员的安全。防护的有效措施之一就是采用合适的屏蔽体材料和结构，构成防辐射屏蔽体。针对中子高穿透性的特点，中子的防护问题越来越受到人们的重视，所以在对中子屏蔽材料的防护性能测试方面的要求越来越高。而中子束流的大小、形状及其它射线产生的本底对材料屏蔽性能评价的客观性都会产生不可忽视的影响，于是对中子源屏蔽装置屏蔽性能和使用的便利性提出了更高的要求。目前的中子辐照屏蔽装置一般为固定装置，大多采用石蜡或聚乙烯屏蔽材料直接浇铸而成，也有的用石蜡或聚乙烯块拼合而成。浇铸成一体的屏蔽装置不能进行无损拆装，为屏蔽体的改装和迁移带来诸多不便；拼合而成的屏蔽体结构松散且难以避免中子辐射方向上存在直缝隙，因为直缝隙会造成中子的大量泄漏。另外，它们的准直孔形状一般比较单一，使用过程中不能根据样品的外形尺寸选用不同大小和形状的准直孔，也间接地限制了中子源屏蔽体的使用范围。如何解决中子源屏蔽体的无损拆卸和重新组装，避免直缝隙造成的中子泄漏，使用灵活方便，扩大中子源屏蔽体的使用范围是本领域中面临的重要课题。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种能进行无损拆卸和重新组装、避免直缝隙中子泄露、准直孔外形和大小可变、组装灵活使用方便的中子辐照屏蔽装置。
为了达到上述目的，本实用新型采用以下结构，一种中子辐照屏蔽装置，包括：聚乙烯屏蔽块、内侧γ屏蔽块、后γ屏蔽块、方形准直孔套、正向γ屏蔽块、圆形准直孔套、走源管、外侧γ屏蔽块及外端γ屏蔽块，其特点在于：由多个聚乙烯屏蔽块顺次垒叠搭建成屏蔽体，聚乙烯屏蔽块上下表面上刻有环状牙槽结构，在搭建过程中，使聚乙烯屏蔽块上的环状牙槽相互紧密啮合，同时将内侧γ屏蔽块与后γ屏蔽块组合镶嵌到屏蔽体内部放源处周围，共同构成一个内部具有供走源管插入的竖直通道和放置准直孔套的开口、外观为长方体形的屏蔽体，将方形准直孔套推入由γ屏蔽块围裹形成的开口中，与正向γ屏蔽块共同组成方形的准直孔，再将圆形准直孔套推入方形准直孔中，由外侧γ屏蔽块及外端γ屏蔽块围裹形成圆形准直孔，与从而构成整体中子辐照屏蔽装置。
上述所述聚乙烯屏蔽块和γ屏蔽块是由聚乙烯型材和铅硼聚乙烯γ型材经切割所需形状后经机械加工制成。
上述所述方形的准直孔，其边长×边长的范围为100×500mm，可以是正方形或长方形。
上述所述圆形准直孔，其直径范围为φ50-φ300mm。
上述所述准直孔可以通过换装其它形状的准直孔套，构成其它形状和大小的准直孔。
本实用新型主要由聚乙烯屏蔽块与铅硼聚乙烯γ屏蔽块垒叠拼合而成，能够无损拆卸和重新组装，屏蔽块之间通过啮合牙槽紧密啮合在一起，能够确保屏蔽体的稳固性，环状牙槽啮合结构确保了在中子源的任何辐射方向上都是弯曲的缝隙，确保在中子源的辐射方向上不出现因直缝而造成的中子泄漏，而用来屏蔽γ射线的铅硼聚乙烯屏蔽块能有效降低辐照区域以外的γ射线通过透射、反射和散射造成的本底影响。可变的准直孔结构可以根据样品的大小和形状选用合适的准直孔，当没有圆形准直孔套推入方形准直孔内，就以方形的准直孔使用，当方形准直孔内推入圆形准直孔套，便形成圆形准直孔使用，组装灵活，使用方便，能够提高辐照效率和测量精度
本实用新型由于采用上述结构原理，使得中子辐照屏蔽装置能进行无损拆卸和重新组装、避免中子通过直缝隙泄露、准直孔外形和大小可变、使用灵活方便，达到了本实用新型的发明目的。
附图说明
图1为本实用新型主视图的结构剖视图
图2为图1沿A-A剖线剖面图
图3为图1的右视图
具体实施方式：
下面结合附图详述本实用新型，从图1-图3可看出本实用新型的结构原理，
一种中子辐照屏蔽装置，包括：聚乙烯屏蔽块1、内侧γ屏蔽块3、后γ屏蔽块4、方形准直孔套5、正向γ屏蔽块6、圆形准直孔套7、走源管8、外侧γ屏蔽块9及外端γ屏蔽块10，由多个聚乙烯屏蔽块1顺次垒叠搭建成屏蔽体；聚乙烯屏蔽块是由聚乙烯型材切割所需形状后经机械加工制成。聚乙烯屏蔽块1上下表面上刻有环状牙槽2结构，在搭建过程中，使聚乙烯屏蔽块1上的环状牙槽2相互紧密啮合，同时将内侧γ屏蔽块3与后γ屏蔽块4组合镶嵌到屏蔽体内部放源处周围，共同构成一个内部具有供走源管8插入的竖直通道和放置准直孔套的开口、外观为长方体形的屏蔽体，将方形准直孔套5推入由γ屏蔽块围裹形成的开口中，与正向γ屏蔽块6共同组成边长×边长为200×200mm的方形的准直孔，准直孔直通走源管8；再将圆形准直孔套7推入方形准直孔中，由外侧γ屏蔽块9及外端γ屏蔽块10围裹形成φ100mm圆形准直孔，与从而构成整体中子辐照屏蔽装置。
所述准直孔也可以通过换装其它形状的准直孔套，构成其它形状和大小的准直孔。
Claims (5)
1.一种中子辐照屏蔽装置，包括：聚乙烯屏蔽块(1)、内侧γ屏蔽块(3)、后γ屏蔽块(4)、方形准直孔套(5)、正向γ屏蔽块(6)、圆形准直孔套(7)、走源管(8)、外侧γ屏蔽块(9)及外端γ屏蔽块(10)，其特点在于：由多个聚乙烯屏蔽块(1)顺次垒叠搭建成屏蔽体，聚乙烯屏蔽块(1)上下表面上刻有环状牙槽(2)结构，在搭建过程中，使聚乙烯屏蔽块(1)上的环状牙槽(2)相互紧密啮合，同时将内侧γ屏蔽块(3)与后γ屏蔽块(4)组合镶嵌到屏蔽体内部放源处周围，共同构成一个内部具有供走源管(8)插入的竖直通道和放置准直孔套的开口、外观为长方体形的屏蔽体，将方形准直孔套(5)推入由γ屏蔽块围裹形成的开口中，与正向γ屏蔽块(6)共同组成方形的准直孔，再将圆形准直孔套(7)推入方形准直孔中，由外侧γ屏蔽块(9)及外端γ屏蔽块(10)围裹形成圆形准直孔，与从而构成整体中子辐照屏蔽装置。
2.根据权利要求1所述中子辐照屏蔽装置，其特征在于：所述聚乙烯屏蔽块和γ屏蔽块是由聚乙烯型材和铅硼聚乙烯γ型材经切割所需形状后经机械加工制成。
3.根据权利要求1所述中子辐照屏蔽装置，其特征在于：所述方形的准直孔，其边长×边长的范围为100×500mm，为正方形或长方形。
4.根据权利要求1所述中子辐照屏蔽装置，其特征在于：所述圆形准直孔，其直径范围为φ50-φ300mm。
5.根据权利要求1所述中子辐照屏蔽装置，其特征在于：所述准直孔可以通过换装其它形状的准直孔套，构成其它形状和大小的准直孔。
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