CN201562650U - 一种用于半导体保护的熔断体 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种用于半导体保护的熔断体，包括熔管、一对连接在熔管两端的接触板、若干片设在熔管内腔的熔体、填充在熔管内腔中的灭弧介质及一设在熔管侧面的撞击装置，所述一对接触板的内侧面上分别平行地间隔设有若干道压痕；所述熔体的表面上在其长度方向间隔一致地开设多列孔，每列孔中含有多个尺寸相同并且纵向间隔距离为δ的小孔，每片熔体的两头向同一方向弯折，该弯折面点焊在所述接触板的压痕上，以使若干片熔体等间距地并且与熔管轴线平行地设置在熔管的内腔中。本实用新型的用于半导体保护的熔断器适用于50Hz的工频电流，额定电压至交流1000V，额定电流为2000A至3900A，不必拼接即可单独保护大容量设备。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种用于半导体保护的熔断体，其适用于额定电压为交流1000V，额定电流为2000A至3900A。
背景技术
用于半导体设备保护的熔断体作为整流设备及其相关设备(包括变频器、软启动等)、半导体元件及其组成的成套设备的短路保护之用。熔断体包括熔管、设于熔管内的若干片熔体和设于熔管两端的接触板熔管内以石英砂填充，每片熔体开有数列等直径的小孔。当短路电流通过熔体时，小孔之间的狭颈由于电流热效应被迅速加热，局部温度迅速升高直至熔体熔断以分断电路。但是，目前的同类产品中大多数额定电流都不大，通常需要多个并联才可以满足大电流应用场合的保护要求；且熔断体的熔管材料为普通陶瓷管，不仅耐高温性能和耐腐蚀性能较差，而且也不够美观。
发明内容
本实用新型的目的是针对现有技术中额定电流不大的现状，提供一种用于半导体设备保护的熔断体，它适用于50Hz的工频电流，额定电压至交流1000V，额定电流为2000A至3900A，它不必拼接即可单独保护大容量设备。
实现上述目的的技术方案是：一种用于半导体设备保护的熔断体，包括熔管、一对连接在熔管两端的接触板、若干片设在熔管内腔的熔体、填充在熔管内腔中的灭弧介质及一设在熔管侧面的撞击装置，其中，
所述一对接触板的内侧面上分别平行地间隔设有若干道压痕；
所述熔体的表面上在其长度方向间隔一致地开设多列孔，每列孔中含有多个尺寸相同并且纵向间隔距离为δ的小孔，每片熔体的两头向同一方向弯折，该弯折面点焊在所述接触板的压痕上，以使若干片熔体等间距地并且与熔管轴线平行地设置在熔管的内腔中。
上述的用于半导体设备保护的熔断体，其中，所述一对接触板上分别设有用于熔体与母排直接连接的固定螺钉。
上述的用于半导体设备保护的熔断体，其中，所述熔管采用95号氧化铝陶瓷制作。
本实用新型的用于半导体保护的熔断器的技术方案，与现有技术相比具有如下优点：
1)额定电流更大，不必拼接即可单独保护大容量设备；
2)熔断特性稳定，对电路的保护更为可靠；
3)熔体结构改善了电性能和热性能，工作温升和散热能力都得到了改善；
4)采用95氧化铝陶瓷作为熔管，使熔断器的外形更加美观。
附图说明
图1为本实用新型的用于半导体设备保护的熔断体的结构示意图；
图2为本实用新型的用于半导体设备保护的熔断体中熔体的结构示意图；
图3为本实用新型的用于半导体设备保护的熔断体中接触板内表面的结构示意图。
具体实施方式
为了能更好地对本实用新型的技术方案进行理解，下面通过具体地实施例并结合附图进行详细地说明：
请参阅图1至图3，本实用新型的用于半导体设备保护的熔断体，包括熔管1、一对接触板2、若干片熔体3、灭弧介质4及撞击装置5，其中，
熔管采用95号氧化铝陶瓷制作；该材料不仅将有良好的耐高温、耐腐蚀和绝缘性能，外观也较为美观；
一对接触板2连接在熔管1的两端，它们的内侧面上分别平行地间隔设有若干道压痕20；它们的外表面上分别设有用于熔体3与母排直接连接的固定螺钉6；
若干片熔体3设在熔管1的内腔，每片熔体3均采用99.9％含量的纯银加工制作，它的表面上在其长度方向间隔一致地开设多列孔30，每列孔30中含有多个尺寸相同并且纵向间隔距离为δ的小孔300；每片熔体3的两头向同一方向弯折，该弯折面点焊在接触板2的压痕20上，以使若干片熔体3等间距地并且与熔管1轴线平行地设置在熔管1的内腔中；借助这些接触板2上的压痕20，熔体3在点焊时得以方便可靠地定位，从而能使熔体3之间保持对齐，避免因熔体3之间的搭合而造成温度异常升高或熔断短路电流时拉弧爆炸，不但保证了熔断器的稳定性，而且还提高了其使用寿命；
灭弧介质4为石英砂，它填充在熔管1的内腔中，用以紧实熔体3；
撞击装置5设在熔管1侧面上并且伸到熔管1的内腔中，用于反映熔管1内腔中熔体2的开断情况。
当短路电流通过熔体3时，小孔300之间的狭颈由于电流热效应被迅速加热，局部温度迅速升高直至熔体3熔断以分断电路。
本实用新型的用于半导体保护的熔断器适用于50Hz的工频电流，额定电压至交流1000V，额定电流为2000A至3900A，不必拼接即可单独保护大容量设备。
本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本实用新型，而并非用作为对本实用新型的限定，只要在本实用新型的实质精神范围内，对以上所述实施例的变化、变型都将落在本实用新型的权利要求书范围内。
Claims (3)
1.一种用于半导体设备保护的熔断体，包括熔管、一对连接在熔管两端的接触板、若干片设在熔管内腔的熔体、填充在熔管内腔中的灭弧介质及一设在熔管侧面的撞击装置，其特征在于，
所述一对接触板的内侧面上分别平行地间隔设有若干道压痕；
所述熔体的表面上在其长度方向间隔一致地开设多列孔，每列孔中含有多个尺寸相同并且纵向间隔距离为δ的小孔，每片熔体的两头向同一方向弯折，该弯折面点焊在所述接触板的压痕上，以使若干片熔体等间距地并且与熔管轴线平行地设置在熔管的内腔中。
2.根据权利要求1所述的用于半导体设备保护的熔断体，其特征在于，所述一对接触板上分别设有用于熔体与母排直接连接的固定螺钉。
3.根据权利要求1所述的用于半导体设备保护的熔断体，其特征在于，所述熔管采用95号氧化铝陶瓷制作。
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| CN2009202121560U CN201562650U (zh) | 2009-11-10 | 2009-11-10 | 一种用于半导体保护的熔断体 |
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| CN2009202121560U CN201562650U (zh) | 2009-11-10 | 2009-11-10 | 一种用于半导体保护的熔断体 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108511300A (zh) * | 2018-05-07 | 2018-09-07 | 西安三鑫熔断器有限公司 | 一种大电流快速熔断器 |
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2009
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