CN201523001U - 加入光学检查功能的聚焦离子束机台 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种加入光学检查功能的聚焦离子束机台，其包含有腔体，安装于所述腔体内顶部的离子源，安装于所述腔体内侧壁的电子侦测器，光学摄像头以及样品座；所述离子源发射离子束至放置于样品座上的样品表面，所述电子侦测器接收样品表面受到离子束轰击而激发出的电子成像，所述光学摄像头安装于腔体的内侧壁电子侦测器旁，拍摄所述样品的光学成像；本实用新型可以减少定位加速工程时间，同时可配合光学与电子显微检查来达到查找失效点的目的。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种聚焦离子束机台，尤指一种加入光学检查功能的聚焦离子束机台。
背景技术
聚焦离子束(Focused Ion beam，FIB)的系统是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割仪器，现有的聚焦离子束机台利用离子作为电镜检查功能，如图1所示，包含有腔体71，离子源72，电子侦测器73以及样品座74，离子源72发射离子束轰击样品座上的样品75表面产生电子，轰击出的二次电子与背向电子再由电子侦测器73收取讯号成像，即所谓的电子显微影像。
但是，现有的FIB机台利用离子作为电镜检查功能，一般电子显微镜只能观察样品表层，因此对于多层次芯片的样品只能检查到最上层表层的结构，对于多层次芯片的样品下层的异常或定位时常花长时间在样品定位的工作上。
发明内容
有鉴于上述现有聚焦离子束机台的不足，本实用新型的主要目的在于：提供一种可检查多层次样品各个层次的聚焦离子束机台。
为达到上述目的，本实用新型提供一种加入光学检查功能的聚焦离子束机台，其包含有腔体，安装于所述腔体内顶部的离子源，安装于所述腔体内侧壁的电子侦测器，光学摄像头以及样品座；所述离子源发射离子束至放置于样品座上的样品表面，所述电子侦测器接收样品表面受到离子束轰击而激发出的电子成像，所述光学摄像头安装于腔体的内侧壁电子侦测器旁，拍摄所述样品的光学成像。
本实用新型透过在聚焦离子束机台腔体内加入一光学摄像头可以观察到整个样品的光学概括，再透过电镜观察对样品进行微观检查功能；本实用新型可以减少定位加速工程时间，同时可配合光学与电子显微检查来达到查找失效点的目的。
下面结合附图和实施例对本实用新型做进一步地详细说明：
附图说明
图1为现有聚焦离子束机台的简易示意图；以及
图2为本实用新型的简易示意图。
具体实施方式
本实用新型的一种加入光学检查功能的聚焦离子束机台，如图2所示，其包含有腔体10，安装于所述腔体10内顶部的离子源20，安装于所述腔体10内侧壁的电子侦测器30，光学摄像头60以及样品座40；所述离子源20发射离子束21至放置于样品座40上的样品50表面，所述电子侦测器30接收样品50表面受到离子束21轰击而激发出的电子51成像，所述光学摄像头60安装于腔体10的内侧壁电子侦测器30旁，外接一屏幕(图中未示)，通过该屏幕可观察到光学摄像头60拍摄到的样品50的光学成像。
本实用新型中的样品50为多层次芯片，使用离子源20与电子侦测器30作为电子显微观察样品50的最上层表层结构，另外在电子侦测器30旁安装一光学摄像头60，光学摄像头60观察整个样品50各个层次的结构，因此本实用新型的聚焦离子束机台可以有电子成像与光学成像两种观察检查方式。本实用新型透过在聚焦离子束机台腔体内加入一光学摄像头可以由其外接的屏幕持续观察样品各层次的光学概括，要定位或是检查样品查找失效点时，通过光学摄像头确定位置范围，再透过电镜观察作微观检查，因此本实用新型可以减少定位加速工程时间，同时可配合光学与电子显微检查达到查找失效点的目的。
Claims (1)
1.一种加入光学检查功能的聚焦离子束机台，其特征在于，包含有腔体，安装于所述腔体内顶部的离子源，安装于所述腔体内侧壁的电子侦测器，光学摄像头以及样品座；所述离子源发射离子束至放置于样品座上的样品表面，所述电子侦测器接收样品表面受到离子束轰击而激发出的电子成像，所述光学摄像头安装于腔体的内侧壁电子侦测器旁，拍摄所述样品的光学成像。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103325708A (zh) * | 2013-05-28 | 2013-09-25 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆缺陷横切观测装置 |
| CN104198247A (zh) * | 2014-09-02 | 2014-12-10 | 上海华力微电子有限公司 | 精确定位前层缺陷的聚焦离子束制样方法 |
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2009
- 2009-11-10 CN CN2009202121950U patent/CN201523001U/zh not_active Expired - Fee Related
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| CN103325708B (zh) * | 2013-05-28 | 2015-11-25 | 上海华力微电子有限公司 | 晶圆缺陷横切观测装置 |
| CN104198247A (zh) * | 2014-09-02 | 2014-12-10 | 上海华力微电子有限公司 | 精确定位前层缺陷的聚焦离子束制样方法 |
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