CN201442988U - 等离子体辅助化学气相沉积装置 - Google Patents

Abstract

一种等离子体辅助化学气相沉积装置，包括：反应腔、承载板、电极、多个电极支撑件、进气装置、以及排气装置。高度调整件配置于反应腔外。承载板与电极互相对应并配置于反应腔内。电极支撑件位于电极的一侧并抵顶电极，并穿出反应腔而连接至高度调整件。进气装置及排气装置分别连接至反应腔。本实用新型的等离子体辅助化学气相沉积装置，由于承载板为固定式的设计，因此反应腔下方机械体积可得到大幅减少，可使等离子体辅助化学气相沉积装置整体厚度下降，可利用多出的空间堆叠多个处理腔进行批次工艺，有效的大幅提升产能。

Description

等离子体辅助化学气相沉积装置

技术领域

本实用新型是关于一种化学气相沉积装置及设备，尤其指一种使用于面板显示器制造，或是太阳能薄膜生产中用于大尺寸基材的等离子体辅助化学气相沉积装置以及包括该装置的设备。

背景技术

随着高科技产业的快速发展，等离子体辅助化学气相沉积技术一直以来受到各界广泛的重视及应用，特别是在半导体组件工艺上的产品提升有着举足轻重的地位。举凡TFT-LCD中多晶硅薄膜的制作，或是太阳能电池中硅芯片基材与薄膜太阳能基板的制作，皆须使用等离子体辅助化学气相沉积的装置来进行。

决定未来太阳能电池能否日益普及的三大因素为：一、成本与价格，二、模块的效率，三、产能规模与利用率。为求尽速促成太阳能电池的普遍化，经由不断尝试并开发出更先进的相关工艺设备是重要且必要的手段。

然而影响薄膜(amorphous silicon)太阳能电池效能的关键因素在于关键的PE-CVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体辅助化学气相沉积)技术，主要的问题点有(1)均匀度问题：因为不是整片硅晶圆，所以薄膜均匀度会引响效能。(2)材料本身缺陷问题：因为薄膜材料特性，表面的悬垂键(dangling bonds)的数目较多，一般使用氢气可以填补悬垂键空缺，但过量的氢气却适得其反。在大量批次式PE-CVD设备中不易控制工艺条件。(3)接口(interface)问题：目前业界提供的大都为p-i-n结构的工艺，其中i-层(i-layer)为硅纳米晶体(nanocrystalline silicon，grainsize：10～100nm)，可作为吸光材料，且可以将薄膜太阳能电池的光电转换效率有效提升，但是由于硅纳米晶体的晶粒较小，表面积较大，表面的悬垂键(dangling bonds)的数目较多，因此会妨碍薄膜太阳能电池的效率进一步提升，一般使用SiNx或是Al₂O₃薄膜，在i-层(硅纳米晶体)的表面包覆一层绝缘层，可以有效降低表面悬垂键的密度，进一步提高薄膜太阳能电池的效率。目前大量批次式无此工艺。(4)污染问题：大量批次式PE-CVD设备，使用同一个真空反应腔体进行p-i-n结构沉积，其中掺杂气体B₂H₆或是PH₃无法完全清除干净，会交替污染。影响薄膜层的纯度。(5)串联结构式的新世代技术，大量批次式PE-CVD设备无法同时备制。

化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)为一种利用化学反应形成薄膜的镀膜方式。而等离子体辅助化学气相沉积(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，PECVD)则属于化学气相沉积的范畴，其主要工艺是将气体或单体通入真空腔，利用等离子体加速气体及单体的化学反应，同时于基材表面沉积薄膜。

如图1A，为一公知的等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)装置的示意图。一般的等离子体辅助化学气相沉积装置包含有：一反应腔10；一电极11与一承载板16，一支撑衍架17，皆配置于反应腔10内，此承载板16同时具有加热功能；一进气装置12与一排气装置13；以及射频(RF)电源供应源14(用以提供电极11一射频电源)。当欲增加沉积的膜厚时，虽然可由提高射频源的频率来达成，但却容易产生驻波效应(standing wave)。另外，由于承载板16与电极11间的距离为工艺参数中的一个重要条件，因此公知PECVD装置是于反应腔10下方装设调整马达18以使承载板16可上下移动。但此调整马达再加上承载板16原本所需的加热及排气等机构，使得反应腔10下方的机械零件占了非常大的体积，因此造成PECVD装置的整体厚度无法减少；同时因承载板长期加热易产生变形，需有一个以上的支撑衍架17来支撑固定，且因加热承载台为可动式的结构体，易在移动时产生摇晃偏转等位置偏差，导致电极与基板的距离偏差而使沉膜厚度的均匀度大受影响。故，当必须应用于大量生产、提高沉积膜厚、同时具有承载板与电极距离可调式的功能、以及具有使装置整体厚度减少的优点时，传统的装置则必须再作改良，否则无法达成需求。

目前业界所使用在TFT-LCD中多晶硅薄膜的制作，或是太阳能电池中硅芯片基材与薄膜太阳能基板的制作的等离子体辅助化学气相沉积装置主要包括：连续式PECVD装置、批次式PECVD装置、堆叠批次式、多腔集束式PECVD装置等。

如图1B所示为，其为一多腔集束式的示意图。此方式虽有良好的成膜质量控制与均匀度的优势，但占地面积大，且无批次大量生产的能力，成本过高是此系列机型的缺点。

如图2A以及2B所示，其为一连续式PECVD装置的示意图。此连续式PECVD装置是由复数个PECVD腔体2以串联方式组合而成。其中，PECVD腔体2的反应腔10内的相对二侧系分别装设有一电极11，且电极与进气装置12连接；加热板21配置于反应腔中间位置，以同时提供热源给予左右方的基板15；反应腔10下方配置有排气装置13。传输装置19将基板载送连续传输通过各个PECVD腔体2，使可形成厚度足够的薄膜。然而，虽此连续式PECVD装置可制造足够厚度的薄膜，其装置整体所需的空间过大，因此造成厂务成本过高。此外，若连续式PECVD装置中的任何一机台发生故障，则整条产线会受影响而被迫停止运作，因此产量立刻降低。再者，还有腔体2之间互相污染的问题难以解决。

另外一种PECVD装置为批次式PECVD装置。如图3A与3B所示，其系一种批次式PECVD装置所使用的治具。此治具中同时具有多个电极11，每个电极11皆单独与一射频(RF)电源供应源14连接，而每一电极11与电极11之间皆具有一玻璃夹治位置22。当使用此装置时，首先将待加工的基板(图未示)插入治具中的玻璃夹治位置22，基板(图未示)插入的数量可为数十片以上，接着将此治具整个放置于一热炉中进行加热，加热完毕后导入射频(RF)电源使反应进行。然而，虽然此种方式可同时处理数十片以上的基板，但时常由于射频(RF)电源供应源14数量过多而造成相互之间的干扰，使得故障机率相较其它装置高出许多。并且，反应气体无法均匀分散，因而造成沉膜厚度严重不均匀的问题时常出现。此法可以大量批次生产来降低成本，但在机构内无承载的加热装置，以及良好的气体分散机构来进行均匀度的控制，因此沉膜的质量无法有效的控制。

另外一种PECVD装置为堆叠批次式PECVD装置。如图4B所示，是一个反应单元53内堆叠多个PECVD装置23所使用的结构。此反应单元53中同时具有多个等离子体辅助化学气相沉积装置23，每个装置23皆具有如图4A的结构，其包括：一电极11与一承载板16，皆配置于装置23内，此承载板16不具有加热功能，因此需在反应腔10的上下处另设置加热板；一进气装置12与一个以上排气装置13；以及射频(RF)电源供应源14(用以提供电极11一射频电源)。电极11皆单独与一射频(RF)电源供应源14连接。当使用此装置时，虽然此种方式可同时处理数十片以上的基板，但时常由于各个反应腔10的内部电极距离为固定型式，因此沉膜的速度降低。此法可以大量批次生产来降低成本，但在机构无法改变承载板16与电极11间的距离，工艺参数中的一个重要条件无法控制，因此沉膜的质量无法有效的控制。

等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)装置较佳地是具有以下特点：体积小、降低厂务成本、可大量生产、有效避免驻波效应、无污染问题、有效避免射频(RF)电源供应源之间的干扰、维修容易、电极与基板间的距离可调、装置整体厚度降低、气场均匀性佳、加热分布均匀等。

因此，本产业中亟须一种新的等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)装置的设计，可解决上述种种问题，并同时具有上述优点。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种等离子体辅助化学气相沉积装置，以克服公知技术中存在的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供的等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)装置，包括：

一加载单元；

一输出单元；

至少一反应单元；以及

一传输单元；

其中，该加载单元、该输出单元、以及该反应单元系围绕该传输单元的周围而配置，或配置于该传输单元的一侧，并分别与该传输单元连接；

该至少一反应单元各自独立地包括二个以上的等离子体辅助化学气相沉积装置，且该二个以上的等离子体辅助化学气相沉积装置互相堆叠而配置。

所述的等离子体辅助化学气相沉积设备，其中该化学气相沉积装置包括：

一反应腔；

一高度调整件，配置于该反应腔之外；

一承载板，配置于该反应腔内；

一电极，对应该承载板而配置于该反应腔内，并与该承载板之间留有一余隙；

至少一电极支撑件，位于该电极的一侧并抵顶该电极，且该电极支撑件穿出该反应腔并连接至该高度调整件；

一进气装置，连接至该反应腔；以及

一排气装置，连接至该反应腔。

所述的等离子体辅助化学气相沉积设备，其中该每一等离子体辅助化学气相沉积装置设置有多数个滚轮，且该反应单元对应该滚轮设置有轨道。

所述的等离子体辅助化学气相沉积设备，其中该传输单元包括有一机械手臂。

所述的等离子体辅助化学气相沉积设备，其特征在于，该反应腔内壁面一预定位置配置有一定位块，该电极支撑件具有一挡止件，且该挡止件与该定位块相对应配置。

所述的等离子体辅助化学气相沉积设备，其中包括一垫块，配置于该挡止件之上。

所述的等离子体辅助化学气相沉积设备，其中该进气装置穿过该反应腔并连接至该电极。

所述的等离子体辅助化学气相沉积设备，其中该反应腔包括有一上盖以及一腔体。

所述的等离子体辅助化学气相沉积设备，其中该承载板为一加热式承载板。

所述的等离子体辅助化学气相沉积设备，其中包括两个以上的支撑柱，配置于该承载板的下方并抵顶该承载板。

本实用新型的等离子体辅助化学气相沉积装置，由于承载板为固定式的设计，因此反应腔下方机械体积可得到大幅减少，因此可使等离子体辅助化学气相沉积装置整体厚度下降。电极支撑件抵顶电极并连接至一高度调整件，因此本实用新型的等离子体辅助化学气相沉积装置中，电极与承载板之间的余隙可进行微调，且可利于基板进出时的传输动作流程。

本实用新型的等离子体辅助化学气相沉积装置，由于承载板加热器为固定式的设计，抽气口可设置于承载板的中心位置，可有效的减少抽气不均匀的现象，且由于支撑柱可有效的分配在适当位置，因此得以提升周围角落的抽气速率，有助于工艺腔体内气场的分布均匀，而致成膜厚度的均匀度有较优异的表现。

上述等离子体辅助化学气相沉积装置中，反应腔内壁面一预定位置较佳可配置有一定位块，电极支撑件较佳可具有一挡止件，且挡止件与定位块较佳地是相对应配置。因此定位块可用于将挡止件抵挡于一特定位置，使电极与承载板之间的余隙可为一固定值。挡止件之上可还包括一垫块，用于调整电极的停止高度。亦即，由改变垫块的厚度，则可改变电极与承载板之间的余隙的大小，以达到改变电极与基板间的距离的功能，且可同时达到固定电极与承载台的平行度的要求，并使成膜厚度均匀性得到良好的大幅提升。垫块的材质较佳为介电单元的材料，更佳为氧化铝、铁氟龙、石英、或其它陶瓷材料。

上述等离子体辅助化学气相沉积装置中，进气装置较佳穿过反应腔并连接至电极。电极表面较佳具有多数个孔洞，使气体由进气装置进入电极内部后，由孔洞排入至反应腔中。

上述等离子体辅助化学气相沉积装置中，反应腔较佳包括有一上盖以及一腔体。上盖较佳为一可掀式上盖，使维修期间可由将上盖掀起而对腔体内部的组件进行维修。

上述等离子体辅助化学气相沉积装置中，承载板较佳为一加热式承载板，以提供加热基板的所需。

上述等离子体辅助化学气相沉积装置中，可还包括两个以上的支撑柱，配置于承载板的下方并抵顶承载板，并作为支撑承载板所用。

本实用新型提供的等离子体辅助化学气相沉积设备，包括：一加载单元、一输出单元、至少一反应单元、以及一传输单元。其中，加载单元、输出单元、以及反应单元围绕传输单元的周围而配置，并分别与传输单元连接；或配置于该传输单元的一侧，并分别与传输单元连接。加载单元可使基板加载本设备中，输出单元用以输出基板。反应单元的数量无特别限制可包括1-3个或更多，是依照需求而调整。反应单元各自独立地包括二个以上的上述等离子体辅助化学气相沉积装置，且等离子体辅助化学气相沉积装置是互相堆叠而配置。

本实用新型的等离子体辅助化学气相沉积设备，由于其可使基板独立地于各个等离子体辅助化学气相沉积装置中反应，因此互相之间无污染的问题发生。

本实用新型中，由于设备中等离子体辅助化学气相沉积装置的承载板为固定式的设计，因此反应腔下方机械体积可得到大幅减少，而使等离子体辅助化学气相沉积装置整体厚度下降，进一步可互相堆叠配置而形成一反应单元，因此大幅减少了等离子体辅助化学气相沉积设备整体所需的体积，有效降低厂务成本。

本实用新型的设备的等离子体辅助化学气相沉积装置中，由于电极支撑件的设计(电极支撑件抵顶电极并连接至一高度调整件)而使得电极与承载板之间的余隙可进行微调，进一步使得产物(非晶硅a-Si)的膜厚与质量可受到良好的控制，进而可以生产高质量串联式结构(Tandem)的太阳能基板(微晶硅μc-Si)薄膜。

另外，本实用新型的设备中所装设的反应单元的数目可以依所需增加或减少，且每一反应单元中的等离子体辅助化学气相沉积装置亦可依所需作增减，因此可达到产量提升的目标。

本实用新型的等离子体辅助化学气相沉积设备中，每一等离子体辅助化学气相沉积装置较佳可设置有多数个滚轮，且反应单元较佳地是对应滚轮设置有轨道。如此，当维修期间，反应单元中的每一等离子体辅助化学气相沉积装置可由此滚轮及轨道的组合而容易地拉出进行保养。

本实用新型的等离子体辅助化学气相沉积设备中，传输单元较佳包括有一机械手臂。

附图说明

图1A是一公知的等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)装置的示意图。

图1B是一公知的等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)多腔集束装置的示意图。

图2A是一公知的连续式PECVD单一反应腔机构的示意图。

图2B是一公知的连续式PECVD装置的示意图。

图3A是一公知的批次式PECVD单一反应腔机构的示意图。

图3B是一公知的批次式PECVD装置所使用的治具的示意图。

图4A是一公知的堆叠批次式PECVD单一反应腔机构的示意图。

图4B是一公知的堆叠批次式PECVD装置的示意图。

图5A是本实用新型一较佳实施例的化学气相沉积装置的示意图。

图5B是一公知的加热式承载机构的示意图。

图5C是本实用新型的承载机构的示意图。

图5D是习知的承载板下方的气场均匀性示意图。

图5E是本实用新型的承载板下方的气场均匀性示意图。

图6A是本实用新型一另较佳实施例的等离子体辅助化学气相沉积设备的示意图。

图6B是本实用新型一另较佳实施例的等离子体辅助化学气相沉积设备的示意图。

图7A是本实用新型一另较佳实施例的等离子体辅助化学气相沉积设备的俯视图。

图7B是本实用新型一另较佳实施例的等离子体辅助化学气相沉积设备的侧视图。

图7C是垂直图7B所示方向的本实用新型一另较佳实施例的等离子体辅助化学气相沉积设备的侧视图。

附图中主要组件符号说明

10反应腔；11电极；12进气装置；13排气装置；14射频(RF)电源供应源；15基板；16承载板；17支撑衍架；18马达；19传输装置；2PECVD腔体；21加热板；22玻璃夹治位置；23PECVD装置；3等离子体辅助化学气相沉积装置；30反应腔；301腔体；302上盖；31电极；32进气装置；33排气装置；34射频(RF)电源供应源；35基板。

具体实施方式

实施例1

如图5A所示，本实施例的等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)装置3，包括一反应腔30、一承载板36、一电极31、二个以上电极支撑件38、一进气装置32、以及排气装置33。其中，反应腔30可依照需求为一圆形反应腔或一矩形反应腔。高度调整件39配置于反应腔30之外。承载板36配置于反应腔30内，用于承载待沉积的基板35。电极31对应承载板36而配置于反应腔30内，并与承载板36之间留有一余隙d。电极31与一射频(RF)电源供应源34连接，以提供电极31一射频电源。余隙d为工艺中一可调参数，由改变余隙d的大小而可对所欲生长的薄膜特性作微调整。电极支撑件38位于电极31的一侧并抵顶电极31，且电极支撑件38穿出反应腔30并连接至高度调整件39。高度调整件39包含有一马达40或气压缸44，可使电极支撑件38上下移动，由此电极支撑件38以及高度调整件39的运作，电极31的高度可作调整，而使得电极31与承载板36之间的余隙d可进行微调。进气装置32连接至反应腔30，并提供反应所需气体。排气装置33连接至反应腔30，以作为排气所用。

如图5B所示，一传统的加热式承载机构使用单一中心支撑柱37以提供支撑功能，在升降动作后常会产生移动时产生摇晃偏转等现象，且在传统支撑柱仅使用一支的状况下，承载板16因加热器长期加热产生变形，因此需要有良好的支撑衍架17来防上变形。如图5C所示，本实用新型使用固定式2支以上的支撑柱37，因此不会有位置偏差问题产生，同时可有效的保持电极的支撑平行度。

如图5D及5E所示，其分别为一公知以及本实用新型的承载板下方的气场均匀性示意图。一般而言，支撑柱37的安排会影响抽气口13的设置位置，进而影响抽气速率的均匀性。如图5D，传统的支撑柱37的位置设计会使抽气口13偏移，而造成抽气时周围四个角的抽气速率会有极大的不对称，致使抽气不均匀。但在本实用新型中承载板为固定式的设计，如图5E所示，抽气口13设置于承载板的中心位置，因此可有效的减少抽气不均匀的现象，且由于支撑柱37可有效的分配在适当位置，因此得以提升周围角落的抽气速率，有助于工艺腔体内气场的分布均匀，而使成膜厚度的均匀度有较优异的表现。

本实用新型的等离子体辅助化学气相沉积装置，由于承载板36为固定式的设计，因此反应腔30下方机械体积可得到大幅减少，可使等离子体辅助化学气相沉积装置3整体厚度下降。电极支撑件38抵顶电极31并连接至一高度调整件39，因此本实用新型的等离子体辅助化学气相沉积装置3中，电极31与承载板36之间的余隙d可进行微调。

本实施例中，反应腔30内壁面一预定位置配置有一定位块41，而电极支撑件38具有一挡止件42，且挡止件42与定位块41相对应配置。定位块41是用于将挡止件42抵挡于一特定位置，使电极31与承载板36之间的余隙d可为一固定值。

本实施例中，挡止件42之上还包括一垫块43，是用于调整电极31的停止高度，亦即由改变垫块43的厚度，则可改变电极31与该承载板36之间的余隙d的大小。垫块43的材质较佳为介电单元的材料，更佳为氧化铝、铁氟龙、石英、或其它陶瓷材料。

本实施例中，进气装置32穿过反应腔30并连接至电极31。电极31表面具有多数个孔洞(图未示)，使气体由进气装置32进入电极31内部后，由孔洞(图未示)排入至反应腔30内。

本实施例中，反应腔30包括有一上盖302以及一腔体301。上盖302为一可掀式上盖302，使维修期间可由将上盖302掀起而对腔体301内部的组件进行维修。

本实施例中，承载板36为一加热式承载板，以提供加热基板的所需。

实施例2

如图6A、图6B，本实施例提供一种等离子体辅助化学气相沉积设备5，包括：一加载单元51、一输出单元52、至少一反应单元53、以及一传输单元54。加载单元51可使基板(图未示)载入本设备5中，输出单元52用以输出基板(图未示)。本实施例的等离子体辅助化学气相沉积设备5包括有四个反应单元53，但不限于此，亦可包括1-3个或更多，依照需求而调整。加载单元51、输出单元52、以及反应单元53围绕传输单元54的周围而配置，并分别与传输单元54连接。反应单元53可各自独立地包括二个以上等离子体辅助化学气相沉积装置3，且等离子体辅助化学气相沉积装置3之间是互相堆叠而配置。本实施例中，每一反应单元53包括有三个等离子体辅助化学气相沉积装置3。其等离子体辅助化学气相沉积装置3如同实施例1中所述的等离子体辅助化学气相沉积装置3，因此装置3的内部组件的细节则不在此赘述。

本实用新型的等离子体辅助化学气相沉积设备5，由于其可使基板独立地于各个等离子体辅助化学气相沉积装置3中反应，因此互相之间污染性可降至最低。另外，由于等离子体辅助化学气相沉积装置3的承载板36为固定式的设计，因此反应腔30下方机械体积可得到大幅减少，而使等离子体辅助化学气相沉积装置3整体厚度下降，进一步可互相堆叠配置而形成一反应单元5，因此大幅减少了等离子体辅助化学气相沉积设备5整体所需的体积，有效降低厂务成本。等离子体辅助化学气相沉积装置3中电极支撑件38的设计(电极支撑件38抵顶电极31并连接至一高度调整件39)，使得电极31与该承载板36之间的余隙d可进行微调，使得产物的膜厚可受到良好的控制。另外，等离子体辅助化学气相沉积设备5中所装设的反应单元53的数目可以依所需增加或减少，且每一反应单元53中的等离子体辅助化学气相沉积装置3亦可依所需作增减，因此可达到产量提升的目标。

本实施例中，每一等离子体辅助化学气相沉积装置3设置有多数个滚轮55，而反应单元53中对应此滚轮设置有轨道56。如此，当维修期间，反应单元53中的每一等离子体辅助化学气相沉积装置3可由此滚轮55及轨道56的组合而容易地拉出进行保养。

本实施例中，传输单元54包括有一机械手臂541，以作为传送基板的用途。

本实施例中，反应腔30包括有一上盖302以及一腔体301。上盖302为一可掀式上盖302，使维修期间可由将上盖302掀起而对腔体301内部的组件进行维修。

实施例3

如图7A、图7B、以及图7C所示，本实施例提供一种等离子体辅助化学气相沉积设备，包括：一加载单元51、一输出单元52、至少一反应单元53、以及一传输单元54。加载单元51可使基板(图未示)载入本设备5中，输出单元52用以输出基板(图未示)。本实施例的等离子体辅助化学气相沉积设备5包括有四个反应单元53，但不限于此，亦可包括1-3个或更多，依照需求而调整。加载单元51、输出单元52、以及反应单元53系配置于传输单元54的一侧，并分别与传输单元54连接。反应单元53可各自独立地包括二个以上等离子体辅助化学气相沉积装置3，且等离子体辅助化学气相沉积装置3之间是互相堆叠而配置。本实施例中，每一反应单元53包括有三个等离子体辅助化学气相沉积装置3。其等离子体辅助化学气相沉积装置3如同实施例1中所述的等离子体辅助化学气相沉积装置3，因此装置3的内部组件的细节与反应单元5的细节则不在此赘述。

本实用新型的等离子体辅助化学气相沉积设备，可将设备的排列方式由环形围绕方式改成矩阵形式，对工厂的设备生产动线流畅有极大的帮助。

上述实施例仅为了方便说明而举例而已，本实用新型所主张的权利范围自应以申请的权利要求范围所述为准，而非仅限于上述实施例。

Claims (10)

1.一种等离子体辅助化学气相沉积设备，其特征在于，包括：

一加载单元；

一输出单元；

至少一反应单元；以及

一传输单元；

其中，该加载单元、该输出单元、以及该反应单元系围绕该传输单元的周围而配置，或配置于该传输单元的一侧，并分别与该传输单元连接；

该至少一反应单元各自独立地包括二个以上的等离子体辅助化学气相沉积装置，且该二个以上的等离子体辅助化学气相沉积装置互相堆叠而配置。

2.如权利要求1所述的等离子体辅助化学气相沉积设备，其特征在于，该化学气相沉积装置包括：

一反应腔；

一高度调整件，配置于该反应腔之外；

一承载板，配置于该反应腔内；

一电极，对应该承载板而配置于该反应腔内，并与该承载板之间留有一余隙；

至少一电极支撑件，位于该电极的一侧并抵顶该电极，且该电极支撑件穿出该反应腔并连接至该高度调整件；

一进气装置，连接至该反应腔；以及

一排气装置，连接至该反应腔。

3.如权利要求2所述的等离子体辅助化学气相沉积设备，其特征在于，该每一等离子体辅助化学气相沉积装置设置有多数个滚轮，且该反应单元对应该滚轮设置有轨道。

4.如权利要求1所述的等离子体辅助化学气相沉积设备，其特征在于，该传输单元包括有一机械手臂。

5.如权利要求2所述的等离子体辅助化学气相沉积设备，其特征在于，该反应腔内壁面一预定位置配置有一定位块，该电极支撑件具有一挡止件，且该挡止件与该定位块相对应配置。

6.如权利要求5所述的等离子体辅助化学气相沉积设备，其特征在于，包括一垫块，配置于该挡止件之上。

7.如权利要求2所述的等离子体辅助化学气相沉积设备，其特征在于，该进气装置穿过该反应腔并连接至该电极。

8.如权利要求2所述的等离子体辅助化学气相沉积设备，其特征在于，该反应腔包括有一上盖以及一腔体。

9.如权利要求2所述的等离子体辅助化学气相沉积设备，其特征在于，该承载板为一加热式承载板。

10.如权利要求2所述的等离子体辅助化学气相沉积设备，其特征在于，包括两个以上的支撑柱，配置于该承载板的下方并抵顶该承载板。

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