CN201398008Y - 一种半导体泵浦激光器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及激光器领域，尤其涉及半导体泵浦激光器领域。本实用新型的半导体泵浦激光器，包括泵浦源、耦合系统、一对前腔片和后腔片，所述的前腔片与后腔片之间组成的谐振腔内设置有激光增益介质和其它光学元件。进一步的，所述的谐振腔内还设置有双折射晶体起偏器和双折射晶体波片，所述的双折射晶体起偏器和双折射晶体波片的光轴夹角为45°，共同构成腔内倍频选频的双折射滤波器，用于基频光选频。所述的双折射晶体起偏器在激光振荡波段两个偏振方向的吸收差异较大。本实用新型采用如上技术方案，是一种易于批量制作，且结构简单，容易调整的微片式结构激光器结构。
Description
技术领域
本实用新型涉及激光器领域，尤其涉及半导体泵浦激光器领域。
背景技术
双折射滤波器或Lyot滤波器是连续波激光器中最常用的调谐或线宽压窄元件。长期以来，人们多采用布儒斯特角，偏振棱镜作为起偏器。这种结构在分离腔中易于使用，但如用于微片式结构激光器，则不易批量制作，且结构复杂，不易调整。另，专利申请号200810072097.1的技术方案提出采用掺杂的双折射晶体，利用其在激光振荡波段两个偏振方向的吸收强度不同形成起偏器。
实用新型内容
针对上述问题，本实用新型就是应用该双折射晶体起偏器制作窄线宽或单纵模激光器，使得有Lyot滤波器的微片式结构激光器结构更加精简。
本实用新型的技术方案如下：
本实用新型的半导体泵浦激光器，包括泵浦源、耦合系统、一对前腔片和后腔片，所述的前腔片与后腔片之间组成的谐振腔内设置有激光增益介质和其它光学元件。进一步的，所述的谐振腔内还设置有双折射晶体起偏器和双折射晶体波片，所述的双折射晶体起偏器和双折射晶体波片的光轴夹角为45°，共同构成腔内倍频选频的双折射滤波器，用于基频光选频。所述的双折射晶体起偏器在激光振荡波段两个偏振方向的吸收差异较大。
所述的双折射晶体起偏器为Cr4+:YVO4晶体、Nd:YVO4晶体、Cr:BeAl2O4晶体、Cr:ZnWO4晶体或者Nd，Cr:YVO4晶体等。
所述的半导体泵浦激光器是由各分立元件构成的分离式激光器结构。或者，所述的半导体泵浦激光器是由各微片元件胶合构成的微片式激光器结构。所述的胶合构成方式采用胶合，光胶或深化光胶结合。
本实用新型采用如上技术方案，是一种易于批量制作，且结构简单，容易调整的微片式结构激光器结构。
附图说明
图1是本实用新型的分离式结构示意图；
图2(a)是本实用新型的微片式结构的实施例一的示意图；
图2(b)是本实用新型的微片式结构的实施例二的示意图；
图2(c)是本实用新型的微片式结构的实施例三的示意图。
具体实施方式
现结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。
本实用新型采用特殊掺杂的双折射晶体波片，利用其在激光振荡波段两个偏振方向的吸收差异，即一个偏振方向吸收小，另一个偏振方向吸收强的特点，将其作为起偏器放入激光谐振腔内与普通双折射晶体波片构成选频结构，以获得窄线宽或单纵模的基频光输出或倍频光输出的激光器。本实用新型的结构尤其适用于微片结构激光器。本实用新型的半导体泵浦激光器，包括泵浦源、耦合系统、一对前腔片和后腔片，所述的前腔片与后腔片之间组成的谐振腔内设置有激光增益介质和其它光学元件。进一步的，所述的谐振腔内还设置有双折射晶体起偏器和双折射晶体波片，所述的双折射晶体起偏器和双折射晶体波片的光轴夹角为45°，共同构成腔内倍频选频的双折射滤波器，即所谓的Lyot滤波片，用于基频光选频。所述的双折射晶体起偏器在激光振荡波段两个偏振方向的吸收差异较大。
本实用新型的结构如图1所示，其中，101为半导体激光器，102为泵浦光耦合光学系统，103、107为前后激光腔镜，104为激光增益介质，105为双折射晶体起偏器，双折射晶体起偏器105对基频光两个偏振方向吸收差别较大，一个方向基频光损耗大，一个方向基频光损耗小，从而实现起偏；106可为普通双折射晶体波片，其光轴与双折射晶体起偏器105光轴呈45°或45°左右夹角，双折射晶体起偏器105与双折射晶体波片106构成所谓Lyot滤波片，用于基频光选频。本实用新型结构如用于腔内倍频选频，则双折射晶体波片106可以为TypeII倍频晶体。108为其他光学元件，如Type I类倍频晶体，其光轴平行或垂直双折射晶体起偏器105光轴，此时双折射晶体波片106为普通的双折射晶体波片。
参阅图2(a)所示的是微片结构激光器的第一实施方式结构。为避免冗余，省略泵浦源和光学耦合系统，仅说明微片式谐振腔结构，其中204为微片的激光增益介质，205为微片的双折射晶体起偏器，206可为微片的普通双折射晶体，其光轴与微片的双折射晶体起偏器205光轴成45°夹角，并与微片的双折射晶体起偏器205构成Lyot滤滤器对基波选频，微片的双折射晶体206如为Type II类倍频晶体，则可获腔内倍频。
图2(b)所示的是微片结构激光器的第二实施方式结构，在微片的双折射晶体206后面在胶合微片元件209，若微片光学元件209为另一种双折射晶体波片，其光轴方向与微片的双折射晶体206的光轴平行或垂直，当选取择适当厚度，可使微片的双折射晶体206、微片光学元件209与微片的双折射晶体起偏器205构成Lyot滤波器，其透射中心移动速度与激光纵模随温度变化速度相近或相同，可减少输出功率随温度的变化。
图2(c)所示的是微片结构激光器的第三实施方式结构。其中，206为TypeI类倍频晶体，可实现Type I腔内倍频单纵模输出，其他与上述结构一致，不再赘述。
本实用新型的结构中的双折射晶体起偏器可为Cr4+:YVO4晶体，其特征光谱范围是950-1150nm，即其在1.064μm处π方向吸收较小，而σ方向吸收大，因而可用于制作1.064μm单纵模输出或腔内倍频532nm单枞模输出。
双折射晶体起偏器也可为Nd:YVO4晶体，其特定的光谱范围是850nm-900nm；或Cr:BeAl2O4晶体，其特定的光谱范围是600nm-700nm；或Cr:ZnWO4晶体，其特定的光谱范围是900nm-1000nm。
本实用新型的晶体起偏器亦可与激光增益介质为同一种双折射晶体，如Cr，Nd:YVO4晶体(正在申请专利《一种激光晶体》中公开，于此不再赘述)，其中Nd离子产生1064nm基波光，同时Cr离子对1.064μm基波π方向吸收较小，而对σ方向吸收大。
尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化，均为本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种半导体泵浦激光器，包括泵浦源、耦合系统、一对前腔片和后腔片，所述的前腔片与后腔片之间组成的谐振腔内设置有激光增益介质和其它光学元件，其特征在于：所述的谐振腔内还设置有双折射晶体起偏器和双折射晶体波片，所述的双折射晶体起偏器和双折射晶体波片的光轴夹角为45°。
2.根据权利要求1所述的半导体泵浦激光器，其特征在于：所述的其它光学元件可以是Type I型倍频晶体或者Type II型倍频晶体。
3.根据权利要求1或2所述的半导体泵浦激光器，其特征在于：所述的半导体泵浦激光器是由各分立元件构成的分离式激光器结构。
4.根据权利要求1或2所述的半导体泵浦激光器，其特征在于：所述的半导体泵浦激光器是由各微片元件胶合构成的微片式激光器结构。
5.根据权利要求4所述的半导体泵浦激光器，其特征在于：所述的胶合构成方式采用胶合，光胶或深化光胶结合。
Priority Applications (1)
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| CN2009201384925U CN201398008Y (zh) | 2009-05-19 | 2009-05-19 | 一种半导体泵浦激光器 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN2009201384925U CN201398008Y (zh) | 2009-05-19 | 2009-05-19 | 一种半导体泵浦激光器 |
Publications (1)
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| CN201398008Y true CN201398008Y (zh) | 2010-02-03 |
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| CN (1) | CN201398008Y (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103944053A (zh) * | 2014-05-09 | 2014-07-23 | 长春理工大学 | 全固态单谱线窄线宽黄光激光器 |
| CN110011169A (zh) * | 2019-05-27 | 2019-07-12 | 青岛镭视光电科技有限公司 | 自倍频激光发生装置及激光器 |
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2009
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