CN201397126Y - 一种改良的非接触式位移传感器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种改良的非接触式位移传感器,其在工作过程中抗干扰性强,且其测量精度高。其包括基板、外围电路,其特征在于:所述基板上安装有均匀排布的巨磁电阻元件阵列,所述轨道结阵列上方安装有与巨磁电阻元件阵列平行的轨道,所述轨道上安装有激光光源,所述基板连接外围电路,所述巨磁电阻元件通过基板连接所述外围线路。
Description
(一)技术领域
本实用新型涉及测量位移的高精度位移传感器技术领域,具体为一种改良的非接触式位移传感器。
(二)背景技术
现有测量位移的高精度位移传感器,主要有三种:容栅、光栅和磁栅型位移传感器,其各自都存在一定的缺陷:容栅型位移传感器不能在潮湿的工作环境中使用,限制了它的应用范围;光栅型位移传感器容易受到粉尘和环境污染的影响,其应用范围受到限制;磁栅型传感器由于采用的磁栅尺很容易受到外界磁场的干扰,而且一旦被外界磁场磁化后便无法复原,导致产品的永久性损坏,且上述三种传感器都采用模拟式测量方法,这使得其在工作中易受到环境噪音的干扰,且其在需要提高测量精度的情况下,其制造成本会大幅度提高。
(三)发明内容
针对上述问题,本实用新型提供了一种改良的非接触式位移传感器,其在工作过程中抗干扰性强,且其测量精度高。
其技术方案是这样的,
其包括基板、外围电路,其特征在于:所述基板上安装有均匀排布的巨磁电阻元件阵列,所述轨道结阵列上方安装有与巨磁电阻元件阵列平行的轨道,所述轨道上安装有激光光源,所述基板连接外围电路,所述巨磁电阻元件通过基板连接所述外围线路。
其进一步特征在于:所述巨磁电阻元件具体为隧道结,所述轨道上安装有滑块,所述激光光源安装于所述滑块上,所述激光光源具体为波长较短的光源。
本实用新型的上述结构中,由于所述激光照射于所述巨磁电阻元件,进而通过巨磁电阻元件会在此种条件下发生电阻变化的特性,进而准确得到改变电阻的巨磁电阻元件的位置信息,从而得到待测对象的位移或长度,此在工作过程中,采用数字式原理,故其抗干扰能力强;其精度和分辨率取决于相邻巨磁电阻元件的大小和相互之间的距离,由于巨磁电阻元件精密度高,可达到纳米级,故其其测量精度高。
(四)附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
(五)具体实施方式
见图1,本实用新型包括基板1、外围电路(图中没有表达,其连接关系属现有技术),基板1上安装有均匀排布的巨磁电阻元件2阵列,巨磁电阻元件2具体为隧道结,隧道结2阵列上方安装有与巨磁电阻元件阵列平行的轨道3,轨道3上安装滑块4,基板1连接外围电路,隧道结2通过基板1连接外围线路。轨道3上安装有滑块4,激光5的光源安装于滑块4上,激光光源具体为波长较短的光源。
巨磁电阻元件2内通过脉冲电流,脉冲电流小于巨磁电阻元件2自由层翻转的临界值,激光5的光源发出激光光束,激光光束照射巨磁电阻元件2,通脉冲电流的巨磁电阻元件2受到激光光束照射其电阻发生变化,电阻的变化通过巨磁电阻元件2外围的电路显示出来,从而确定发生电阻变化的巨磁电阻元件2的位置信息,从而得出与激光光源位置相对应的所测对象的位移或长度。工作时,激光光源的光斑覆盖或部分覆盖一个巨磁电阻元件结时,不会同时覆盖到另一个巨磁电阻元件。6为待测位移。
Claims (4)
1、一种改良的非接触式位移传感器,其包括基板、外围电路,其特征在于:所述基板上安装有均匀排布的巨磁电阻元件阵列,所述轨道结阵列上方安装有与巨磁电阻元件阵列平行的轨道,所述轨道上安装有激光光源,所述基板连接外围电路,所述巨磁电阻元件通过基板连接所述外围线路。
2、根据权利要求1所述一种改良的非接触式位移传感器,其特征在于:所述巨磁电阻元件具体为隧道结。
3、根据权利要求2所述一种改良的非接触式位移传感器,其特征在于:所述轨道上安装有滑块,所述激光光源安装于所述滑块。
4、根据权利要求3所述的使用非接触式位移测量方法的非接触式位移传感器,其特征在于:所述激光光源具体为波长较短的光源。
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- 2009-03-24 CN CN2009200418089U patent/CN201397126Y/zh not_active Expired - Fee Related
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Legal Events
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GR01 | Patent grant | ||
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