CN201389272Y - 半导体激光治疗装置 - Google Patents

半导体激光治疗装置 Download PDF

Info

Publication number
CN201389272Y
CN201389272Y CN200920096671U CN200920096671U CN201389272Y CN 201389272 Y CN201389272 Y CN 201389272Y CN 200920096671 U CN200920096671 U CN 200920096671U CN 200920096671 U CN200920096671 U CN 200920096671U CN 201389272 Y CN201389272 Y CN 201389272Y
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor laser
laser module
laser
chip
optical fiber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN200920096671U
Other languages
English (en)
Inventor
李迎新
陈谦锐
张瑞峰
杨久敏
范军峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TIANJIN BINGHAI INDUSTRIAL PARK HUAYI PHOTOELECTRICITY TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
TIANJIN BINGHAI INDUSTRIAL PARK HUAYI PHOTOELECTRICITY TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TIANJIN BINGHAI INDUSTRIAL PARK HUAYI PHOTOELECTRICITY TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical TIANJIN BINGHAI INDUSTRIAL PARK HUAYI PHOTOELECTRICITY TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN200920096671U priority Critical patent/CN201389272Y/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN201389272Y publication Critical patent/CN201389272Y/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Laser Surgery Devices (AREA)
  • Radiation-Therapy Devices (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种半导体激光治疗装置，包括带有激光模块驱动单元的驱动电源、半导体激光模块、输出头，其特征是：所述半导体激光模块由至少两个产生不同波长的半导体激光芯片及至少两个光纤耦合器组成，所述输出头为至少两种不同激光波长的单路输出头，所述单路输出头通过一组输出光纤分别与若干路光纤耦合器和若干路半导体激光芯片相连接，各路激光模块驱动单元分别与半导体激光模块中的半导体激光芯片及光纤耦合器依次连接。有益效果：利用在一个半导体激光模块上设置两个或两个以上能产生不同波长激光的芯片，并通过光纤的耦合实现两种或两种以上不同波长激光单路输出，依据临床需要，实现针对不同疾病进行波长的选择。

Description

半导体激光治疗装置
技术领域
本实用新型属于激光医学治疗设备，尤其涉及一种半导体激光治疗装置。
背景技术
创伤是造成人类残疾和死亡的主要原因之一。特别是某些难愈性创伤，如重度烧伤、褥疮等，经常是久治不愈，给病人造成极大的痛苦。人们一直在寻找能够促使创伤快速无疤痕愈合的治疗方法。应用弱激光缓解创伤疼痛已被广大研究人员和临床工作者证实。弱激光疗法也常被称作冷激光疗法，主要是利用弱激光照射生物体产生的生物刺激效应调整机体的免疫系统、神经系统、血液循环系统和组织代谢系统等，使之病理状态恢复正常，从而达到治疗疾病的目的。目前，公知的双波长半导体激光治疗装置包括依次连接的半导体激光模块、激光模块驱动、工控机、触摸液晶显示器，直流稳压电源及控制软件系统，其中半导体激光模块由两个单波长激光模块组成，通过两根光纤实现双波长输出，其中一路是治疗用激光(一般是近红外光，808nm、810nm、830nm等)功率较大(500mW---2000mW之间)，另一路仅是用作指示光(一般是红光，670nm、650nm)功率较小(5mW-50mW)。临床试验证明，用于弱激光生物刺激效应的光常集中在600～950nm(600～700nm可见；700～950nm近红外)范围内，足够功率的红光(如：630nm)与近红外光(如：808nm)联合照射具有明显的促进创伤愈合作用。由于波长越长，对组织的穿透深度越深，波长越短，对组织的穿透深度越浅；因此在治疗时则要根据需要照射的组织深度选择波长；且不同波长联合作用具有更好的治疗效果。目前的半导体激光治疗装置达不到多个波长激光都具有治疗作用的输出，临床治疗时则不能灵活选择波长。
实用新型内容
本实用新型是为了克服现有技术中的不足，提供一种半导体激光治疗装置，采用一个总的控制芯片控制多路驱动单元，然后由每路驱动单元分别控制一个半导体激光芯片的方式进行多路激光输出控制的驱动电源电路，波长间相互切换更简便。依据临床需要，实现对不同疾病或者同一疾病的不同状况，进行波长选择性的多波长同步(同病灶、同光斑)治疗或单波长治疗的目的。
本实用新型为实现上述目的，通过以下技术方案实现：一种半导体激光治疗装置，包括带有激光模块驱动单元的驱动电源、半导体激光模块、工控机、触摸液晶显示器和控制软件系统、输出头，其特征是：所述半导体激光模块由至少两个产生不同波长的半导体激光芯片及至少两个光纤耦合器组成，所述输出头为至少两种不同激光波长的单路输出头，所述单路输出头通过一组输出光纤分别与若干路光纤耦合器和若干路半导体激光芯片相连接，各路激光模块驱动单元分别与半导体激光模块中的半导体激光芯片及光纤耦合器依次连接，所述总控制芯片与驱动电源连接。
所述输出光纤通过光纤耦合器与半导体激光芯片呈单独一对一的耦合。
所述两个或两个以上输出光纤通过阵列式光纤耦合器与两个或两个以上半导体激光芯片耦合。
有益效果：利用在一个半导体激光模块上设置两个或两个以上能产生不同波长激光的芯片，并通过光纤的耦合实现两种或两种以上不同波长激光单路输出，依据临床需要，实现对不同疾病或者同一疾病的不同状况，进行波长选择性的多波长同步(同病灶、同光斑)治疗或单波长治疗，且由于采用一个总的控制芯片控制多路驱动单元，然后由每路驱动单元分别控制一个半导体激光芯片的方式进行多路激光输出控制的驱动电源电路，波长间相互切换更简便。
附图说明
图1是采用光纤耦合器耦合的本实用新型的连接原理框图；
图2是采用陈列式光纤耦合器耦合的本实用新型的连接原理框图。
具体实施方式
以下结合较佳实施例，对依据本实用新型提供的具体实施方式详述如下。
详见附图，一种半导体激光治疗装置，包括带有激光模块驱动单元的驱动电源、半导体激光模块、工控机、触摸液晶显示器和控制软件系统、输出头，所述半导体激光模块由至少两个产生不同波长的半导体激光芯片及至少两个光纤耦合器组成，所述输出头为至少两种不同激光波长的单路输出头，所述单路输出头通过一组输出光纤分别与若干路光纤耦合器和若干路半导体激光芯片相连接，各路激光模块驱动单元通过半导体激光模块壁上的接线柱分别与其中的半导体激光芯片及光纤耦合器依次连接，所述总控制芯片与驱动电源连接。
实施例1
所述输出光纤通过光纤耦合器与半导体激光芯片呈单独一对一的耦合。两个或多个光纤耦合器：采用的耦合器与光纤一对一耦合的方式，即一个光纤耦合器将一根光纤与一个半导体激光芯片单独耦合。当应用该装置时，首先启动电源，在操作界面中输入所需的参数(包括激光波长、功率、治疗时间等)，待调整好被治疗靶位后，启动激光输出按钮，启动激光输出按钮后，控制系统将指令传达给驱动电源，驱动电源再将指令传达给总的控制芯片控制下的多路驱动单元，然后由每路驱动单元分别控制一个半导体激光芯片输出不同的激光，从而实现对不同病灶或者病灶的不同情况实现同步治疗。也可以实现一种波长激光的输出，只要在操作界面中输入该种波长参数，就可实现。
实施例2
通过单个阵列式光纤耦合器连接方式：采用单个阵列式光纤耦合器与两个或两个以上光纤进行耦合的方式，即单个阵列式光纤耦合器将两根或两根光纤以上的光纤与多个半导体激光芯片耦合。当应用该装置时，首先启动电源，在控制系统中输入所需的参数(包括激光波长、功率、治疗时间等)，待调整好被治疗靶位后，启动激光输出按钮，启动激光输出按钮后，控制系统将指令传达给驱动电源，驱动电源再将指令传达给总的控制芯片控制下的多路驱动单元，然后由每路驱动单元分别控制一个半导体激光芯片输出不同波长的激光，从而实现对不同病灶或者病灶的不同情况实现同步治疗。若在操作界面中输入一种波长参数，也可以实现一种波长激光的输出。
本半导体激光治疗装置的单路输出头输出的激光均为治疗用激光，包括紫外激光与蓝激光(波长300nm-450nm，功率在20mW-200mW)之间、红激光(波长包含了630nm、635nm、650nm、670nm，功率在100mW-500mW之间)和红外激光(波长780nm-980nm，功率在500mW-3000mW之间)。
1)光纤：主要是单芯石英光纤，也可用塑料光纤。
2)激光器驱动电路：
半导体激光模块是一种对电流、电压变化十分敏感的精密器件，过高的电流、电压和开关电流的冲击都会导致激光二极管不可恢复的损坏，因此要求驱动电路输出电流稳定，输出电流开、关和调节时不会产生尖峰脉冲，不受外界干扰的影响。经过比较和筛选，可选用由National Semiconductor公司生产的高效5A降压型开关稳压电源芯片LM2679T-ADJ作为核心，
3)控制芯片：各类单片机芯片、CPU、ARM芯片等，如：LPC2114、nRF905。
4)光纤耦合器：常用的SMA905、FC等。
5)激光模块：选用天津滨海华医光电技术有限公司研制的K81/63S12M-2.00/0.20W双波长半导体激光模块，该模块的主要技术指标如下：
双波长半导体激光模块技术参数
参数名称      单位  LD635nm        LD808nm
光纤输出功率  mW    200            2000
波长          nm    635±5         808±5
阈值电流      mA    480            400
工作电流      mA    770            2500
工作电压      V     2.2            1.84
PD检测电流    uA    340            394
连接器              SMA905-265μm
              kΩ   12(20℃)       \
热敏电阻
              B     3477±3％      \
内置半导体制冷片(TEC)的额定工作电流是2A，额定工作电压是2.7V。
一、弱激光的生物刺激作用主要有三个方面：对血液系统的作用、对神经系统的作用、对淋巴系统的作用。
1)对血液系统的作用：对血液的有形成分(白细胞white cell、红细胞redcell、血小板)和无形成分(血浆中的葡萄糖、酶、激素、补体等)产生多方面的刺激和调节作用。从而可激活血液细胞免疫活性物质，改善血液流变学指标，促进血循环，恢复血流的生理功能(输送营养、氧气，带走废物、废气)。
2)对神经系统的作用：激光照射到神经细胞，进而刺激中枢神经，起动神经-体液调节机制，提高生物活性物质内阿片肽的含量，对镇痛、调节代谢和免疫活性等功能有重要作用。
3)对淋巴系统的作用：激光照射到淋巴细胞(组织或液)，可以调节机体的免疫功能，防止感染，消除炎症等，维持自身稳定和免疫监视作用。
弱激光临床应用：1)用于治疗溃烂创口，杀菌清创，采用紫外或蓝光(300nm-450nm)；用于光针灸，治疗各种适宜针灸治疗的疾病，如：面神经麻痹、心脑血管疾病等，采用红光(600nm---700nm)；用于促进伤口愈合：促进神经修复、消炎等，采用红色半导体激光(600nm---700nm)；用于治疗带状疱疹、肩周炎、各关节痛等疼痛疾病，采用近红外半导体激光(700nm---1000nm)，以照射病灶为主。针对不同病症，采用多种波长联合作用，可大大提高治疗效果。
二、针对不同的光敏剂，配合选用不同波长的激光，可以用于光动力疗法治疗不同的疾病。如：对治疗各种恶性肿瘤选用血卟啉类光敏剂时，要选用530nm-650nm的激光；对治疗鲜红斑痣等疾病时，要选用450nm-570nm的激光。
工作原理：启动电源，在操作界面中的“波长”项中输入如：635nm(该波长激光具有消炎、促进伤口愈合等作用)和如：808nm(该波长激光具有止痛、促进神经修复等作用)及其他所需参数，调整好被治疗靶位，启动激光输出按钮，控制系统将指令传达给驱动电源，驱动电源再将指令传达给总的控制芯片控制下的两路驱动单元，然后由每路驱动单元分别控制一个半导体激光芯片输出波长为635nm和808nm的激光，在同一手术中起到同步的消炎、促进伤口愈合、止痛、促进神经修复等作用。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型的结构作任何形式上的限制。凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型的技术方案的范围内。

Claims (3)

1、一种半导体激光治疗装置，包括带有激光模块驱动单元的驱动电源、半导体激光模块、工控机、触摸液晶显示器和控制软件系统、输出头，其特征是：所述半导体激光模块由至少两个产生不同波长的半导体激光芯片及至少两个光纤耦合器组成，所述输出头为至少两种不同激光波长的单路输出头，所述单路输出头通过一组输出光纤分别与若干路光纤耦合器和若干路半导体激光芯片相连接，各路激光模块驱动单元分别与半导体激光模块中的半导体激光芯片及光纤耦合器依次连接，所述总控制芯片与驱动电源连接。
2、根据权利要求1所述的半导体激光治疗装置，其特征是：所述输出光纤通过光纤耦合器与半导体激光芯片呈单独一对一的耦合。
3、根据权利要求1所述的半导体激光治疗装置，其特征是：所述两个或两个以上输出光纤通过阵列式光纤耦合器与两个或两个以上半导体激光芯片耦合。
CN200920096671U 2009-05-08 2009-05-08 半导体激光治疗装置 Expired - Lifetime CN201389272Y (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200920096671U CN201389272Y (zh) 2009-05-08 2009-05-08 半导体激光治疗装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200920096671U CN201389272Y (zh) 2009-05-08 2009-05-08 半导体激光治疗装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN201389272Y true CN201389272Y (zh) 2010-01-27

Family

ID=41596088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200920096671U Expired - Lifetime CN201389272Y (zh) 2009-05-08 2009-05-08 半导体激光治疗装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN201389272Y (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105456024A (zh) * 2015-12-30 2016-04-06 中国医学科学院生物医学工程研究所 一种双波长多通道激光针灸仪
CN105582617A (zh) * 2015-12-15 2016-05-18 重庆云帆医疗设备有限公司 一种激光光纤合束耦合的多波长激光治疗仪
CN115173221A (zh) * 2021-12-10 2022-10-11 山东大学 一种查表式多波段脉冲光调参控制系统及方法
CN115173221B (zh) * 2021-12-10 2024-05-31 山东大学 一种查表式多波段脉冲光调参控制系统及方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105582617A (zh) * 2015-12-15 2016-05-18 重庆云帆医疗设备有限公司 一种激光光纤合束耦合的多波长激光治疗仪
CN105456024A (zh) * 2015-12-30 2016-04-06 中国医学科学院生物医学工程研究所 一种双波长多通道激光针灸仪
CN115173221A (zh) * 2021-12-10 2022-10-11 山东大学 一种查表式多波段脉冲光调参控制系统及方法
WO2024008092A1 (zh) * 2021-12-10 2024-01-11 山东大学 一种查表式多波段脉冲光调参控制系统及方法
CN115173221B (zh) * 2021-12-10 2024-05-31 山东大学 一种查表式多波段脉冲光调参控制系统及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101559258A (zh) 多波长输出半导体激光治疗仪
CN101732806B (zh) 一种混合光源腔道照射治疗装置
US20070073366A1 (en) Portable rechargeable therapeutic device and method of using the same
CA2444891A1 (en) Photodynamic stimulation device and methods
JP2008508918A (ja) 光線療法の方法および装置
CN201389272Y (zh) 半导体激光治疗装置
CN104906694A (zh) 一种多波长集成led光学治疗仪
CN105498096A (zh) 光学伤口治疗仪
CN100591394C (zh) 一种发光二极管光治疗仪
CN105944234A (zh) 一种基于三波长激光器的半导体激光康复仪
CN111420293A (zh) 基于半导体激光外照射技术治疗脑部疾病的装置
CN203264062U (zh) 半导体复合窄光谱光动力治疗仪
CN201578768U (zh) 一种多波长半导体激光治疗机
CN108926779A (zh) 一种智能光谱治疗床
KR20110118039A (ko) 다방향 광 조사가 가능한 광 치료장치
WO1999042178A1 (en) Therapeutic cluster laser device
CN205626738U (zh) 一种基于三波长激光器的半导体激光康复仪
EP1680184B1 (en) Apparatus for illuminating a zone of mammalian skin
CN2764433Y (zh) 半导体激光散光气血治疗仪
KR20200102623A (ko) 의료용 레이저 조사장치
CN209123194U (zh) 一种光美容装置
CN216571244U (zh) 一种激光治疗仪
CN214512288U (zh) 一种多波段便携式激光治疗设备
CN109568806A (zh) 工作激光为双波长的多功能半导体激光牙科治疗仪
CN1056777C (zh) 血液激光治疗的体外照射治疗仪

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of utility model: Semiconductor laser treatment apparatus

Effective date of registration: 20100712

Granted publication date: 20100127

Pledgee: Bank of Tianjin Limited by Share Ltd small business financial services center

Pledgor: Tianjin Qimei science and Technology Development Co Ltd|Tianjin Binhai Huayi Photoelectric Technology Co., Ltd.

Registration number: 2010990000806

PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right

Date of cancellation: 20110615

Granted publication date: 20100127

Pledgee: Bank of Tianjin Limited by Share Ltd small business financial services center

Pledgor: Tianjin Qimei science and Technology Development Co Ltd|Tianjin Binhai Huayi Photoelectric Technology Co., Ltd.

Registration number: 2010990000806

PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of utility model: Semiconductor laser treatment apparatus

Effective date of registration: 20110620

Granted publication date: 20100127

Pledgee: Bank of Tianjin Limited by Share Ltd small business financial services center

Pledgor: Tianjin Qimei science and Technology Development Co Ltd|Tianjin Binhai Huayi Photoelectric Technology Co., Ltd.

Registration number: 2011990000223

PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right

Date of cancellation: 20120628

Granted publication date: 20100127

Pledgee: Bank of Tianjin Limited by Share Ltd small business financial services center

Pledgor: Tianjin Qimei science and Technology Development Co Ltd|Tianjin Binhai Huayi Photoelectric Technology Co., Ltd.

Registration number: 2011990000223

PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of utility model: Semiconductor laser treatment apparatus

Effective date of registration: 20120711

Granted publication date: 20100127

Pledgee: Bank of Tianjin Limited by Share Ltd small business financial services center

Pledgor: Tianjin Qimei science and Technology Development Co Ltd|Tianjin Binhai Huayi Photoelectric Technology Co., Ltd.

Registration number: 2012990000365

PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right

Date of cancellation: 20130628

Granted publication date: 20100127

Pledgee: Bank of Tianjin Limited by Share Ltd small business financial services center

Pledgor: Tianjin Qimei science and Technology Development Co Ltd|Tianjin Binhai Huayi Photoelectric Technology Co., Ltd.

Registration number: 2012990000365

PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of utility model: Semiconductor laser treatment apparatus

Effective date of registration: 20130628

Granted publication date: 20100127

Pledgee: Bank of Tianjin Limited by Share Ltd small business financial services center

Pledgor: Tianjin Qimei science and Technology Development Co Ltd|Tianjin Binhai Huayi Photoelectric Technology Co., Ltd.

Registration number: 2013990000417

PLDC Enforcement, change and cancellation of contracts on pledge of patent right or utility model
PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right

Date of cancellation: 20140221

Granted publication date: 20100127

Pledgee: Bank of Tianjin Limited by Share Ltd small business financial services center

Pledgor: Tianjin Qimei science and Technology Development Co Ltd|Tianjin Binhai Huayi Photoelectric Technology Co., Ltd.

Registration number: 2013990000417

PLDC Enforcement, change and cancellation of contracts on pledge of patent right or utility model
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20100127

CX01 Expiry of patent term