CN201352461Y

CN201352461Y - 一种闪存烧录装置

Info

Publication number: CN201352461Y
Application number: CNU2009200319933U
Authority: CN
Inventors: 陈淮琰; 杨党林; 贾剑勇
Original assignee: Inventec Besta Xian Co Ltd
Current assignee: Inventec Besta Xian Co Ltd
Priority date: 2009-02-24
Filing date: 2009-02-24
Publication date: 2009-11-25
Anticipated expiration: 2019-02-24

Abstract

本实用新型涉及一种闪存烧录装置，其包括数据模块、控制模块和扩展模块，数据模块通过控制模块与扩展模块连接；控制模块包括ARM中央处理单元；所述控制模块包括闪存接口；扩展模块一端通过所述闪存接口与控制模块相接，另一端设置有多个用于连接闪存的扩展接口；由于本实用新型设置有扩展接口，并配合控制模块，可以实现同时烧录多个闪存，满足了大量生产的闪存的需求，提高了工作效率。而且，本实用新型结构简单，易于实现，成本低廉。并且，本实用新型的控制模块以ARM平台为基础控制后续的烧录动作，具有节能的特点。

Description

一种闪存烧录装置

技术领域

本实用新型涉及一种闪存装置，尤其是一种闪存烧录装置。

背景技术

目前应用的非挥发性内存(NVM)即使在电源关闭后，其内部所储存的数据仍能保存，并不像动态随机存取内存(DRAM)或同步动态随机存取内存(SDRAM)一样，在电源关闭后，其内部所储存的数据便跟着消失。因此，非挥发性内存逐渐受到市场的重视。

其中，闪存(flash memory)即属于非挥发性内存。而闪存可分为两种类型，分别是：反及型(NAND型)闪存与反或型(NOR型)闪存。其中，以反及型闪存(NAND Flash)的应用较为广泛。

闪存具有诸多优点，例如：闪存不须具备特别的电池来保存所储存的数据；闪存的体积较小，于使用时不会消耗大量的电力；闪存可快速读取/写入数据。也就是因为具备上述的优点，使得闪存已被广泛应用于多种电子产品中，例如：数字相机、可携式计算机(UMPC)、智能型手机(smart phone)、个人数字助理(PDA)或电子游戏机等。

然而，针对NAND Flash的烧录方面，仍具有相当的改善空间。目前传统技术上，针对NAND Flash的烧录方法有两种，即1、通过NAND Flash专用的烧录器，进行NAND Flash的烧录。然而，目前市场销售的烧录器最多一次只能烧录4片NAND FLASH；2、在生产线上利用SD卡对NAND Flash进行数据更新。

然而，上述传统的两种烧录方式，不但不能满足大量生产的需要，而且速度慢，对于必须大量产出的生产线来说，工作效率很低。因此，如何解决传统上无法大量烧录闪存的问题，为一亟待解决的议题。

实用新型内容

本实用新型提出一种闪存烧录装置，可同时烧录多个闪存，从而解决传统技术上，无法大量烧录闪存的问题，进而可达到生产线须大量生产时的需求。

本实用新型的技术解决方案是：本实用新型为一种闪存烧录装置，其特殊之处在于：该闪存烧录装置包括数据模块、控制模块和扩展模块，数据模块通过控制模块与扩展模块连接；控制模块包括ARM中央处理单元；控制模块包括闪存接口；扩展模块一端通过闪存接口与控制模块相接，另一端设置有多个用于连接闪存的扩展接口。

上述数据模块包括USB接口或记忆卡接口。

上述记忆卡接口是SD、SDHC、CF、SM、XD及MS卡接口。

上述扩展模块包括至少一个复杂可编程逻辑装置或场效可程序化闸极数组。

上述ARM中央处理单元是CPU S3C2443。

上述闪存烧录装置包括用来连接显示模块的显示接口和用来供使用者操作的使用者接口，显示接口和使用者接口分别和控制模块相接。

上述显示模块是计算机显示器。

上述使用者接口包括按键和LED指示灯。

上述闪存是反及型闪存。

由于本实用新型设置有扩展接口，并配合控制模块，可以实现同时烧录多个闪存，满足了大量生产的闪存的需求，提高了工作效率。而且，本实用新型结构简单，易于实现，成本低廉。并且，本实用新型的控制模块以ARM平台为基础控制后续的烧录动作，具有节能的特点。

附图说明

图1是本发明的第一实施例示意图；

图2是本发明的第二实施例示意图；

图3是本发明的第三实施例示意图；

图4是本发明的第四实施例示意图。

具体实施方式

请参见图1：该图所示为闪存烧录装置的第一实施例示意图；本实用新型所提出的闪存烧录装置，用来同时烧录多个闪存，该闪存烧录装置包含：控制模块10、数据模块20及扩展模块30。

控制模块10具有一个闪存接口12。其中，控制模块10包含ARM中央处理单元(CPU)，因此本实用新型所提出的控制模块10是以ARM平台为基础而控制后续的烧录动作。

所谓的ARM，即所谓的进阶精简指令集机器(Advanced RISC Machine)。是一种32位精简指令集(RISC)的中央处理器架构，其广泛地使用在许多嵌入式系统(embedded)设计，且具有节能的特点。

ARM的日益普及，使得ARM家族占了所有32位嵌入式处理器约75％的比例，而成为占全世界最多数的32位架构之一。ARM处理器可以在诸多消费性电子产品上看到，从可携式装置(例如：PDA、行动电话、多媒体播放器、掌上型电玩、计算器等)到计算机外设设备(例如：硬盘、桌上型路由器等)都有。

由于ARM CPU本身支持一个NAND Flash接口，因此本实用新型的控制模块10采用ARM架构。例如，本实用新型的控制模块10中采用SAMSUNG公司的新CPU S3C2443，于此须先说明，本实用新型并不以上述的该CPU为限。CPU S3C2443内部可支持USB2.0与SD卡，此外还可支持SDHC卡。其中，SDHC记忆卡全名为Secure Digital High Capacity，SDHC卡与SD卡的主要差异在于，SD卡采用FAT16档案系统，意思是管理档案所在位置的表格用16位表示，所以最多只能管理65536个范围，再考虑每个范围能储存32KB的数据量，所以65536×32KB＝2GB，所以SD卡容量上限只能到达2GB。为了解决FAT16格式可支持容量有限的问题，SDHC卡改用了FAT32格式，依规格定义容量最大可达到32GB。而新一代的SDHC卡为SD卡的下一代标准，为具安全性、且符合可携式数字产品需求的储存装置。

数据模块20连接控制模块10，用来提供烧录数据。其中，数据模块20可包含USB接口22或记忆卡接口24，请参见图2：该实施例中的USB接口22，可用来连接USB装置，而由USB装置提供烧录数据。其中，USB装置可选自计算机、USB硬盘等所构成的群组。也就是说，烧录数据可通过USB接口22而从计算机获取。

此外，根据图2可知，数据模块20也可包含记忆卡接口24，用来连接记忆卡，而由记忆卡提供烧录数据。因此，烧录数据除了可藉由计算机等USB装置所提供，也可由记忆卡所提供。其中，记忆卡系可选自SD卡(Secure digitalcard)、SDHC卡(Secure digital high capacity card)、CF卡(Compact flash card)、MMC卡(Multimedia memory card)、SM卡(Smart media card)、XD卡(Extremedigital card)及MS卡(Memory stick card)等所构成的群组。

扩展模块30连接闪存接口12，且包含多个扩展接口32，每一个扩展接口12分别连接一个闪存40，并由控制模块10控制烧录数据烧录于每一个闪存40。

参见图3：于该实施例中可看出，控制模块10包含ARM CPU14，而数据模块20可包含USB接口22或记忆卡接口24。再者，扩展模块30也可包含至少一个复杂可程序逻辑装置(Complex Programmable Logic Device，CPLD)34。于此实施例中，以同时烧录八个闪存40为例作说明，但并不以此为限。底下先简单介绍CPLD，而在介绍CPLD之前必须先介绍PLD。

PLD为可程序逻辑装置(Programmable Logic Device)是一种电子零件、集成电路或芯片。这种PLD芯片属于数字型态的电路芯片，然而与一般数字芯片不同的是，PLD内部的数字电路可以在出厂后才规划决定，而一般数字芯片在出厂前就已经决定其内部电路，无法于出厂后再次变更。也因为，PLD可在出厂后依照需求，而由使用者自行规划变更的特性，使得PLD被广泛的应用。

PLD仅适合用在约数百个逻辑闸所构成的小型电路，若要实现更大的电路则适合用复杂可程序逻辑装置(Complex Programmable Logic Device，CPLD)。一颗CPLD内等于包含了数颗PLD，各PLD间的互接连线也可进行程序性的规划。CPLD运用这种多合一(all-in-one)的整合作法，使其一颗就能实现数千个逻辑闸，甚至数十万个逻辑闸才能构成的电路。

因此，本实用新型是利用CPLD的特性将原本的闪存接口12进行扩展，进而对多个闪存40同时进行烧录。其中，图3中的复杂可程序逻辑装置34，也可由场效可程序化闸极数组(Field Programmable Gate Array，FPGA)来替换。

上述所提及的闪存40可为反及型(NAND型)闪存。而每一个闪存40皆由控制模块10控制其烧录动作。控制模块10可控制烧录数据同时烧录于所有的闪存40，或者也可控制烧录数据同时烧录于至少其中之一的闪存40。

以图3为例作说明，也就是说ARM CPU 14可同时对8个闪存进行烧录，也可只烧录其中几个。此外，由于共享闪存接口12，因此同时烧录时，闪存40的型号必须是一样的，且烧录的烧录数据也是一样的。

参见图4，于该实施例中，本实用新型更包含：使用者接口(UI)50及显示接口60。

使用者接口(User Interface，UI)50，提供使用者操作闪存的烧录。使用者可藉由使用者接口50，来操作本实用新型的闪存烧录装置，例如：启动或关闭闪存的烧录等。而本实用新型提出采用简单的按键与LED指示灯，来构成使用者接口50，如此可节省成本的支出，但并不以此为限。

显示接口60用来连接显示模块，并由显示模块输出烧录状态。其中，显示模块可为计算机的显示器。因此，使用者可通过计算机显示器，清楚了解闪存的烧录状态。当然，显示模块并不以计算机的显示器为限，也可以是其它可供显示的显示器，或者也可由本实用新型内建一小型显示屏。

本实用新型所述的烧录装置上方设有八个接口(socket)，而每一个接口可放置一片闪存，可同时烧录八片闪存。而可设置在接口下方的按键与LED指示灯即为使用者接口。

虽然本实用新型的技术内容已经以较佳实施例揭露如上，然其并非用来限定本实用新型，任何熟习此技艺者，在不脱离本实用新型的精神所作些许的更动与润饰，皆应涵盖于本实用新型的范畴内。

Claims

1、一种闪存烧录装置，其特征在于：该闪存烧录装置包括数据模块、控制模块和扩展模块，所述数据模块通过控制模块与扩展模块连接；所述控制模块包括ARM中央处理单元；所述控制模块包括闪存接口；所述扩展模块一端通过闪存接口与控制模块相接，另一端设置有多个用于连接闪存的扩展接口。

2、根据权利要求1所述的闪存烧录装置，其特征在于：所述数据模块包括USB接口或记忆卡接口。

3、根据权利要求2所述的闪存烧录装置，其特征在于：所述记忆卡接口是SD、SDHC、CF、SM、XD及MS卡接口。

4、根据权利要求1所述的闪存烧录装置，其特征在于：所述扩展模块包括至少一个复杂可编程逻辑装置或场效可程序化闸极数组。

5、根据权利要求1所述的闪存烧录装置，其特征在于：所述ARM中央处理单元是CPU S3C2443。

6、根据权利要求1至5任一权利要求所述的闪存烧录装置，其特征在于：所述闪存烧录装置包括用来连接显示模块的显示接口和用来供使用者操作的使用者接口，所述显示接口和使用者接口分别和控制模块相接。

7、根据权利要求6所述的闪存烧录装置，其特征在于：所述显示模块是计算机显示器。

8、根据权利要求6所述的闪存烧录装置，其特征在于：所述使用者接口包括按键和LED指示灯。

9、根据权利要求6所述的闪存烧录装置，其特征在于：所述闪存是反及型闪存。