CN201321399Y - 澄清反应池 - Google Patents

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CN201321399Y CNU2008201556838U CN200820155683U CN201321399Y CN 201321399 Y CN201321399 Y CN 201321399Y CN U2008201556838 U CNU2008201556838 U CN U2008201556838U CN 200820155683 U CN200820155683 U CN 200820155683U CN 201321399 Y CN201321399 Y CN 201321399Y
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郑津
郭健
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Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
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Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
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Abstract

本实用新型公开了一种澄清反应池,目的在于去除废水中的结晶体,所述废水是由气体洗涤设备排放到排水管道中的。所述澄清反应池包括沉淀槽以及集水槽,所述沉淀槽为一开口容器,所述集水槽设置于沉淀槽侧壁内面的上部。气体洗涤设备产生的废水流入沉淀槽内,沉淀槽内部填充有填料,使废水内的结晶反应快速结束,结晶体沉积在沉淀槽底部和填料表面,澄清反应后的废水溢流到集水槽内,再排放到排水管道中,从而解决了排水管道因结晶体附着在管道内壁而造成排水管道堵塞的问题,可保障工艺生产顺利进行。

Description

澄清反应池
技术领域
本实用新型涉及澄清反应池,特别涉及去除结晶体的澄清反应池。
背景技术
化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术,包括大范围的绝缘材料,大多数金属材料和金属合金材料。在化学气相沉积工艺中,需要应用到含氟的气体,燃烧后会产生含氟离子的废气,需经气体洗涤装置(Local Scrubber)处理,将气相污染转化成液相污染。气体洗涤装置的内部设有喷淋装置,可使含氟离子的废气与喷淋水大面积接触后溶解于水,通过排水管道将废水排放到相应的废水收集站,再进行液相污染的治理。在半导体生产制造过程中,经常发生排水管道排水不畅的现象,这会间接导致化学气相沉积设备出现故障,带来极大的损失。
经检查发现产生排水管道排水不畅的原因,是因为化学气相沉积工艺上产生的含氟离子的废气被高硬度的自来水洗涤后溶解于水,产生的废水中含有氟离子,与高硬度的自来水中的钙镁离子结合,发生结晶反应。最严重的结晶反应发生排水管道中,结晶体附着在排水管道内壁,而导致排水管道堵塞,这需要设备人员频繁更换排水管道,成本高、效率低,且无法取得理想的效果。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供一种澄清反应池,用于去除废水中的结晶体,从而解决排水管道因结晶体附着在管道内壁,造成排水管道堵塞,并导致化学气相沉积(CVD)设备出现故障的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种澄清反应池,包括:沉淀槽,为上部开口容器,包括侧壁及底部;以及集水槽,设置于上述侧壁内面的上部,由溢流堰与上述侧壁围成。
可选的,上述溢流堰的上沿部为锯齿状,上述集水槽底部与水平方向的倾斜角为5°。
可选的,上述澄清反应池还包括:进水管,与上述沉淀槽连通;出水管,与上述集水槽连通,
可选的,上述出水管连接于上述集水槽的最低处。
可选的,上述进水管与上述沉淀槽为法兰连接,上述出水管与上述集水槽为法兰连接。
可选的,上述沉淀槽下部具有一排水口,通过一排水阀门与上述出水管连通。
可选的,上述澄清反应池还包括一密封盖,大小与上述沉淀槽开口相匹配。
可选的,上述沉淀槽的侧壁设有可拆卸的观察板,上述观察板上设有透明的观察孔。
由于采用了上述澄清反应池,废气洗涤设备排放的废水先流经所述澄清反应池,通过在澄清反应池内填充填料,使废水中结晶反应快速的结束,结晶体沉积在澄清反应池底部和填料表面,然后再将澄清反应后的废水排放到排水管道,从而解决排水管道因结晶反应产生的结晶体附着在内壁,而导致排水管道堵塞的问题,并可保证化学气相沉积设备正常运行。
附图说明
图1A为本实用新型的一实施例所提供的澄清反应池的立体结构图;
图1B为本实用新型的一实施例所提供的澄清反应池的俯视图;
图1C为本实用新型的一实施例所提供的澄清反应池的侧视图;
图2为本实用新型的一实施例所提供的澄清反应池的安装示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的澄清反应池作进一步详细说明。
请参考图1A至图1C,其中,图1A为本实用新型一实施例所提供的澄清反应池的立体结构图,图1B为俯视图,图1C为侧视图。如图所示,上述澄清反应池100包括沉淀槽110、集水槽120、进水管130、出水管140。
其中,沉淀槽110为上部开口容器,包括侧壁111及底部112。集水槽120,设置于沉淀槽110的侧壁111内面的上部,由溢流堰121与上述侧壁111围成,溢流堰121的上沿为锯齿状。进水管130,与上述沉淀槽110连通,连接方式为法兰连接,进水管130向下延伸至接近上述沉淀槽110的底部112的位置。出水管140与上述集水槽120连通,连接方式为法兰连接。沉淀槽110的侧壁111上设有一可拆卸的观察板113,观察板113上设有一透明的观察孔114,可用于观察沉淀槽110内部的状态。观察板113上还设有把手115,可方便观察板113的拆卸。观察板113通过螺钉固定在沉淀槽110的侧壁111上。在本实施例中,观察板113设置为方形,透明观察孔114设置为椭圆形,透明观察孔114由有机玻璃制成。在本实用新型的其它实施例中,观察板113及有机玻璃观察孔114也可为其它形状,透明观察孔114也可由其它透明材料制成。
沉淀槽110下部具有一排水口(未图示),通过排水阀门150与出水管140连通。当澄清反应池100需要清洗维护时,可打开排水阀门150,清洗用水可经由此排水阀门150排放到出水管140内。当澄清反应池100处于使用状态时,排水阀门150关闭。
澄清反应池100还包括密封盖160,密封盖160的大小与沉淀槽110的开口大小相配合,沉淀槽侧壁111具有一固定沿116,密封盖160可通过螺钉固定在固定沿116上。密封盖160上还设有把手161,可便于密封盖160的拆卸。在本实施例中,沉淀槽110设置为方形,相应地,密封盖160为方形。在本实用新型的其它实施例中,沉淀槽110以及密封盖160也可为其它形状。
参考图2,其为本实用新型的一实施例所提供的澄清反应池的安装示意图,并结合图1A至图1C。化学气相沉积(CVD)设备10产生的含氟离子的废气,经气体洗涤装置(Local Scrubber)20处理后,含氟离子的废气溶解到水中,产生的废水中含有氟离子及钙镁离子。澄清反应池100的进水管130与气体洗涤装置20相连接,气体洗涤装置20的废水经进水管130,流至沉淀槽110内部,沉淀槽110内部填充有可增大废水接触面积的填料(未图示),使废水中的氟离子与钙镁离子的结晶反应快速的结束,结晶体沉积在沉淀槽110内部和填料表面,经澄清反应后的废水越过所述集水槽120的溢流堰121进入所述集水槽120中。出水管140与排水管道30相连接,集水槽120内的废水通过出水管140排放到排水管道30中,最后流至废水处理设备40,这样,经澄清反应后的废水不会造成排水管道30堵塞。
在本实施例中,集水槽120的底部与水平方向的倾斜角为5°,出水管140连接于集水槽120的最低处,可保证集水槽120内的废水快速的经出水管140排放到排水管道30中。在本实用新型的其它实施例中,也可结合需要将集水槽120的底部与水平方向的倾斜角度设置为其它角度。
综上所述,上述澄清反应池包括沉淀槽以及集水槽,废气洗涤装置排放的废水流入所述澄清反应池的沉淀槽内,沉淀槽内填充有填料,使废水中结晶反应快速的结束,结晶体沉积在沉淀槽的底部和填料表面,澄清反应后的废水溢流到集水槽内,再排放到排水管道中,从而解决了排水管道因结晶反应产生的结晶体附着在管道内壁,而导致排水管道堵塞的问题,保证化学气相沉积设备正常运转,确保工艺生产顺利进行。
显然,本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样,倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内,则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (11)

1、一种澄清反应池,其特征在于,包括:
沉淀槽,为上部开口容器,包括侧壁及底部;以及
集水槽,设置于上述侧壁内面的上部,由溢流堰与上述侧壁围成。
2、如权利要求1所述的澄清反应池,其特征在于,上述溢流堰的上沿部为锯齿状。
3、如权利要求1所述的澄清反应池,其特征在于,上述集水槽底部与水平方向的倾斜角为5°。
4、如权利要求1所述的澄清反应池,其特征在于,还包括
进水管,与上述沉淀槽连通;
出水管,与上述集水槽连通。
5、如权利要求4所述的澄清反应池,其特征在于,上述出水管连接于集水槽的最低处。
6、如权利要求4所述的澄清反应池,其特征在于,上述进水管与上述沉淀槽为法兰连接。
7、如权利要求4所述的澄清反应池,其特征在于,上述出水管与上述集水槽为法兰连接。
8、如权利要求1所述的澄清反应池,其特征在于,上述沉淀槽下部具有一排水口,通过一排水阀门与上述出水管连通。
9、如权利要求1所述的澄清反应池,其特征在于,还包括一密封盖,大小与上述沉淀槽开口相匹配。
10、如权利要求1所述的澄清反应池,其特征在于,上述沉淀槽的侧壁设有可拆卸的观察板。
11、如权利要求10所述的澄清反应池,其特征在于,上述观察板上设有透明的观察孔。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103623620A (zh) * 2012-08-24 2014-03-12 成都虹华环保科技有限公司 具有密封结构的微蚀液处理沉淀槽
CN103623621A (zh) * 2012-08-24 2014-03-12 成都虹华环保科技有限公司 用于微蚀液处理的沉淀槽
CN110382965A (zh) * 2017-02-23 2019-10-25 伸和控制工业股份有限公司 空调装置

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