背景技术
在平面显示领域,传统的阴极射线管(Cathode Ray Tube,CRT)显示器由于其高辐射、高功耗、大体积、低分辨率和大质量,已经逐步被越来越先进的液晶(Liquid Crystal Display,LCD)显示器所取代。液晶显示器自问世以来,就以轻薄时尚、环保节能、分辨率高、使用寿命长而著称。但由于液晶显示器处于产品发展的初期,产品成品率低,市场销售规模小,所以其价格一直高高在上。这几年来,随着市场的发展,液晶显示器逐渐进入了成长期,其产业规模放量增长,大屏幕液晶电视(23英寸以上)在欧美、日本等发达地区已经成为了高端彩电更新换代的主流产品,并以每年400%的速度增长。而薄膜晶体管显示器(Thin-Film Transistor LCD,TFT-LCD)更是成为市场的新的经济增长点。
目前,现有的液晶显示器的背光源主要以冷阴极荧光灯(Cold-CathodeFlorescent Lamps,CCFL)为主,冷阴极荧光灯是一种长而细的密封玻璃管,内充有惰性气体,当给冷阴极荧光灯施加高电压时,管内的惰性气体被电离,产生紫外线,紫外线打到管内壁涂敷的荧光材料上使其激发,发出可见光。冷阴极荧光灯具有许多优点:优良的白光源、成本低、高效率(光输出与输入电功率之比)、长寿命(>25千时)、线型发光、高亮度、光源均匀、发光稳定、容易调节亮度、重量轻等。亮度是背光源性能中的重要参数,只有高亮度的背光源才能使得画面的色彩更加鲜艳。而冷阴极荧光灯作为液晶显示器的主要背光源,其放电管的管径只有几毫米,且具有高亮度。
为了最大化冷阴极荧光灯的寿命,需要采用交流波形来驱动冷阴极荧光灯,任何直流成分会使冷阴极荧光灯内的一部分惰性气体聚集在管的一端,造成不可逆转的光梯度,使管的一端比另一端更亮;为了最大化其效率(光输出与输入电功率之比),需要用接近正弦的波形来驱动灯管。因此,驱动冷阴极荧光灯通常需要一个直流-交流逆变器来将直流电源电压变成40kHz至80kHz的交流波形,工作电压通常在500VRMS至1000VRMS。
目前,现有的用于驱动冷阴极荧光灯的逆变器,都具有一些保护电路,当逆变器在工作中出现异常狀态时,这些保护电路会启动保护并将逆变器断开,以保障产品的安全,而现有的驱动冷阴极荧光灯的逆变器的保护电路,一般都具有开路保护、短路保护、高压对地保护等基本的保护功能。现有驱动冷阴极荧光灯的逆变器的基本控制回路如图1所示。
在现有的背光模组中,主流的都使用多个冷阴极荧光灯灯管作为液晶显示器的背光源,在冷阴极荧光灯与逆变器的输出连接时,相邻的逆变器之间存在冷阴极荧光灯与逆变器之间的线材接反的风险,相邻的冷阴极荧光灯与逆变器之间的线材的正确接法参见图2,逆变器的高压端和低压端的电流波形参见图3a、图3b,其高压端和低压端的电流波形都是相同的,相邻的逆变器的高压端和低压端的电流波形也是相同的(参见图4)。
常见的相邻冷阴极荧光灯与逆变器之间的线材接反的情况大致有三种;第一种,相邻的逆变器的高压端接反(参见图5a示意);第二种,相邻的逆变器的低压端接反(参见图5b示意);第三种,相邻的逆变器的高压端和低压端交叉接反(参见图5c示意);由于现有的逆变器的保护电路只具有开路保护、短路保护、高压对地保护等基本的保护功能,而且这些功能都是通过检测逆变器中的电流或者电压的数值来实现的,对于第三种相邻的冷阴极荧光灯与逆变器之间的线材高压端和低压端交叉接反的情况,其相邻的每一个冷阴极荧光灯灯管两端的电压值都相同,现有的逆变器的保护电路能够检测到;而第一种相邻的冷阴极荧光灯与逆变器之间的线材逆变器的高压端接反的情况,现有的逆变器的保护电路不能检测到;同样的,第二种相邻的冷阴极荧光灯与逆变器之间的线材逆变器的低压端接反,现有的逆变器的保护电路也不能检测到。
实用新型内容
本实用新型一实施例的目的在于提供一种基于相位控制的防止线材接反的背光模组灯管组,能有效地防止常见的相邻冷阴极荧光灯与逆变器之间的线材接反的情况,弥补现有逆变器的保护电路的不足。
本实用新型一实施例所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:一种基于相位控制防止线材接反的背光模组灯管组,包括至少一冷阴极荧光灯和至少一逆变器,其特征在于,还包括至少一设置在冷阴极荧光灯和逆变器回路中的控制模块,控制模块分别电性连接于逆变器的一高压端及一低压端,用于控制逆变器的高压端的电流相位并比较逆变器的高压端及低压端的电流相位,当逆变器的高压端及低压端间的电流相位不同时,控制模块输出一异常信号。
于一实施例中,控制模块包括一相位控制模块及一相位比较模块,相位控制模块用于控制逆变器的高压端的电流相位,相位比较模块用于比较逆变器的高压端及低压端的电流相位。
于一实施例中,相位控制模块电性连接至逆变器的高压端。
于一实施例中,相位比较模块包含二个比较信号输入端,二个比较信号输入端分别连接在逆变器的高压端及低压端。
于一实施例中,相位比较模块为包含互相电性连接之一NMOS晶体管和一PMOS晶体管的比较电路。
于一实施例中,相位比较模块为包含比较器的比较电路。
于一实施例中,控制模块还包括一设置在冷阴极荧光灯和逆变器回路中的自锁模块,自锁模块基于控制模块产生的异常信号使逆变器停止运作。
于一实施例中,至少一冷阴极荧光灯的个数为二个,至少一逆变器的个数为二个,且至少一控制模块的个数为二个,其中,二个控制模块分别使二个逆变器的二个高压端的电流相位间具有一相位差。
于一实施例中,相位差为180度。
于一实施例中,二个冷阴极荧光灯或二个逆变器为相邻。
本实用新型一实施例的基于相位控制的防止线材接反的背光模组灯管组,通过所述的控制模块对逆变器的高压端的电流相位进行控制,使相邻的逆变器的高压端的电流相位具有相位差,检测比较逆变器的高压端和低压端上的电流相位,当相邻的冷阴极荧光灯与逆变器之间的线材接反时,逆变器的高压端和低压端上的电流相位具有相位差,此逆变器的控制模块将产生异常信号并传输给相应的控制电路将相应的逆变器断开。
附图说明
图1为现有驱动冷阴极荧光灯的逆变器的基本控制回路的示意图;
图2为相邻的冷阴极荧光灯与逆变器之间的线材正确接法的示意图;
图3a为逆变器高压端的电流波形图;
图3b为逆变器低压端的电流波形图;
图4为相邻的逆变器的高压端和低压端的电流波形图;
图5a为本实用新型一实施例的基于相位控制防止线材接反的背光模组灯管组的逆变器高压端接反的示意图;
图5b为本实用新型一实施例的基于相位控制防止线材接反的背光模组灯管组的逆变器低压端接反的示意图;
图5c为本实用新型一实施例的基于相位控制防止线材接反的背光模组灯管组的逆变器高压端和低压端交叉接反的示意图;
图6为本实用新型一实施例的基于相位控制防止线材接反的背光模组灯管组的原理框图;
图7为应用本实用新型一实施例以后相邻的逆变器的高压端和低压端的电流波形图;
图8为本实用新型一实施例的一种基于相位控制防止线材接反的背光模组灯管组的电路原理图;
图9为本实用新型一实施例的另一种基于相位控制防止线材接反的背光模组灯管组的电路原理图。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本实用新型。
实施例1
如图6所示,一种基于相位控制防止线材接反的背光模组灯管组,它包括逆变器Inverter1、冷阴极荧光灯CCFL1及控制模块100,控制模块100包含相位控制模块110及相位比较模块120;逆变器Inverter1的高压端11和低压端12分别与冷阴极荧光灯的高压端和低压端连接,相位控制模块110电性连接至逆变器Inverter1的高压端11,用于控制逆变器Inverter1高压端11的电流相位,相位比较模块120的二个比较信号输入端131及132分别连接在逆变器Inverter1的高压端11和低压端12,对逆变器Inverter1的高压端11和低压端22的电流相位进行检测比较,如果逆变器Inverter1的高压端11和低压端22的电流相位具有相位差就输出一个异常信号给相应的逆变器Inverter1的保护电路,将逆变器Inverter1断开。
如图7所示,逆变器Inverter1通过相位控制模块110(图中未标示)设置电流相位后,逆变器Inverter1的高压端的电流相位为0度,逆变器Inverter2通过相位控制模块110(图中未标示)设置电流相位后,逆变器Inverter2的高压端的电流相位为180度。于一实施例中,如图7所示,两逆变器Inverter1及Inverter2仅需其一例如逆变器Inverter2连接相位比较模块120,因当相位比较模块120发现逆变器Inverter2有异常时,即可推知逆变器Inverter1也会产生异常。
请参见图5a、图5b、图5c,说明常见的相邻冷阴极荧光灯与逆变器之间的线材接反的三种情况,于以下实施例中,逆变器Inverter1通过相位控制模块110(图中未标示)设置电流相位后,逆变器Inverter1的高压端的电流相位为0度,逆变器Inverter2通过相位控制模块110(图中未标示)设置电流相位后,逆变器Inverter2的高压端的电流相位为180度。
如图5a所示,依据本实施例,当出现逆变器Inverter1和逆变器Inverter2的高压端接反的情况时,第一相位比较模块121比较逆变器Inverter1的高压端和低压端的电流相位,逆变器Inverter1高压端的电流相位为0度,低压端的电流相位为180度,第二相位比较模块122比较逆变器Inverter2的高压端和低压端的电流相位,逆变器Inverter2高压端的电流相位为180度,低压端的电流相位为0度,第一相位比较模块121和第二相位比较模块122中的其一只要检测到逆变器Inverter1(或逆变器Inverter2)的高压端與低压端的电流相位互不相同,该相位比较模块就发出一异常信号S。
如图5b所示,依据本实施例,当出现逆变器Inverter1和逆变器Inverter2的低压端接反的情况时,第一相位比较模块121比较逆变器Inverter1的高压端和低压端的电流相位,逆变器Inverter1高压端的电流相位为0度,低压端的电流相位为180度,第二相位比较模块122比较逆变器Inverter2的高压端和低压端的电流相位,逆变器Inverter2高压端的电流相位为180度,低压端的电流相位为0度,第一相位比较模块121和第二相位比较模块122中的其一只要检测到逆变器Inverter1(逆变器Inverter2)的高压端與低压端的电流相位互不相同,该相位比较模块就发出异常信号S。
如图5c所示,依据本实施例,当出现逆变器Inverter1和逆变器Inverter2的高压端和低压端交叉接反的情况时,第一相位比较模块121比较逆变器Inverter1的高压端和低压端的电流相位,逆变器Inverter1高压端的电流相位为0度,低压端的电流相位为180度,第二相位比较模块122比较逆变器Inverter2的高压端和低压端的电流相位,逆变器Inverter2高压端的电流相位为180度,低压端的电流相位为0度,第一相位比较模块121和第二相位比较模块122中的其一只要检测到逆变器Inverter1(逆变器Inverter2)的高压端與低压端的电流相位互不相同,该相位比较模块就发出异常信号S。
如图8所示,一种基于相位控制防止线材接反的背光模组灯管组的控制模块100的电路原理图,它包含变压器T1、二极管D1~D6、电阻R1~R13、电容C1~C5、NMOS晶体管Q1、Q3、Q4、PMOS晶体管Q2及比较器U2A。
逆变器的高压端和低压端通过变压器T1输入到冷阴极荧光灯中,变压器T1设置输入的电流相位,变压器T1的输出端的一端依次连接电容C2、电容C1,接入冷阴极荧光灯的高压端,另一端连接电容C3后通过二极管D1分别连接二极管D2的正极、电阻R5和冷阴极荧光灯的低压端,电容C3一端接地,另一端连接电容C2;电容C2分别连接二极管D3的正极、电阻R3和二极管D4的负极,二极管D3的负极通过由电阻R2和电容C4组成的滤波电路接入背光控制芯片U1的2脚,电阻R2和电容C4的另一端接地;二极管D2的负极分别连接电阻R1和电阻R4,电阻R1的另一端接入背光控制芯片U1的9脚,电阻R4的另一端连接二极管D4的正极并接地,电阻R3的另一端分别连接电阻R6和PMOS晶体管Q2的栅极,电阻R6的另一端接地,电阻R5的另一端分别连接电阻R7和NMOS晶体管Q3的栅极,电阻R7的另一端接地;PMOS晶体管Q2的漏极和NMOS晶体管Q3的漏极互相连接,PMOS晶体管Q2的源极分别连接电阻R11和NMOS晶体管Q4的漏极,PMOS晶体管Q2的源极端接VIN,NMOS晶体管Q3的源极分别连接电阻R10、电容C5、电阻R8和NMOS晶体管Q4的栅极,电阻R10的另一端分别与电阻R8的另一端和电容C5的另一端连接,并且接地;NMOS晶体管Q4的源极分别连接比较器U2A的3脚、电阻R9、R12和二极管D5的正极,二极管D5的负极通过二极管D6分别连接电阻R11的另一端、电阻R13和比较器U2A的2脚,电阻R13的另一端分别与电阻R8的另一端、电容C5的另一端、电阻R10的另一端和电阻R12的另一端连接,并且接地;电阻R9的另一端分别连接比较器U2A的1脚和NMOS晶体管Q1的栅极,比较器U2A的4脚接地,比较器U2A的8脚接VIN,NMOS晶体管Q1的源极接地,NMOS晶体管Q1的漏极分别接入背光控制芯片U1的3脚和接插件P1的5脚,接插件P1的6脚接地。
在上述电路中,相位控制模块110为变压器T1,相位比较模块120为NMOS晶体管Q3和PMOS晶体管Q2组成的比较电路,变压器T1对逆变器的高压端和低压端的电流相位进行设置,NMOS晶体管Q3的栅极端从冷阴极荧光灯的低压端取样,采集比较数据,PMOS晶体管Q2的栅极端从冷阴极荧光灯的高压端取样,采集比较数据,由NMOS晶体管Q3和PMOS晶体管Q2进行比较;在上述电路中,还设有一自锁模块130,它包含NMOS晶体管Q4、二极管D5、D6、比较器U2A和电阻R9、R12,当NMOS晶体管Q3和PMOS晶体管Q2同时导通时,驱动NMOS晶体管Q4导通,使自锁模块130自锁。
在正常情况下,逆变器的高压端和低压端的线材都正确连接,逆变器的高压端和低压端经过变压器T1输入,高压端通过电容C2、C3和电阻R3、R6进行两次分压之后,将高压端的采样信号输送给PMOS晶体管Q2的栅极,低压端通过电阻R5和R7分压之后,将低压端的采样信号输送给NMOS晶体管Q3的栅极,NMOS晶体管Q3和PMOS晶体管Q2的漏极互相连接,对高压端和低压端采样的信号进行比较。由于逆变器的高压端和低压端的线材都正确连接,高压端和低压端的电流相位相同,而晶体管Q2为PMOS晶体管,晶体管Q3为NMOS晶体管,在理想情况下,NMOS晶体管Q3和PMOS晶体管Q2是不会同时导通的,不会驱动NMOS晶体管Q4导通,即不会触发自锁模块130自锁;NMOS晶体管Q4的输出由低变高,使NMOS晶体管Q1导通,从而将背光控制芯片U1中的ENA拉低。在现实情况中,逆变器的高压端和低压端的电流相位不会完全相同,有时高压端和低压端的电流相位会有一点偏移,那么就存在NMOS晶体管Q3和PMOS晶体管Q2同时导通的可能,因此在NMOS晶体管Q4的栅极之前连接有由电阻R8和电容C5组成的滤波电路,由于逆变器的高压端和低压端的线材都正确连接,高压端和低压端的电流相位就算有相位差,其相位也是很小的,即使NMOS晶体管Q3和PMOS晶体管Q2同时导通,其周期也是很小的,在输入NMOS晶体管Q4的栅极之前经过R8和C5组成的低通滤波电路滤波后,完全可以将NMOS晶体管Q3和PMOS晶体管Q2同时导通产生的电流滤波掉,从而防止NMOS晶体管Q4误动作。
当逆变器的高压端接反、低压端接反或者高压端和低压端交叉接反时,PMOS晶体管Q2从高压端采集到的电流相位信号和NMOS晶体管Q3从低压端采集到的电流相位信号经过NMOS晶体管Q3和PMOS晶体管Q2的漏极互相连接比较具有相位差,PMOS晶体管Q2和NMOS晶体管Q3在一定时间内同时导通,经过R8和C5组成的低通滤波电路滤波整流后,给NMOS晶体管Q4输入一个高电平,使NMOS晶体管Q4导通,触发自锁模块130。自锁模块130中的NMOS晶体管Q4导通后,比较器U2A的正极输入端变为VIN,经过二极管D5、D6的分压,输入到比较器U2A的负极输入端,比较器U2A的正极输入端的电压高于负极输入端的电压,比较器U2A的1脚输出高电平,驱动NMOS晶体管Q1导通,将背光控制芯片U1的ENA拉掉。
在本实施例中,自锁模块130也可以不用连接,将由电阻R8和电容C5滤波后的电压直接连接到NMOS晶体管Q1的栅极,驱动NMOS晶体管Q1导通,但是为了更好防止在实际使用中,逆变器的高压端和低压端的电流相位的微小差异引起的误导通,还是需要连接一个自锁模块130的。
本实用新型一实施例的基于相位控制防止线材接反的背光模组灯管组可以间隔的设置在背光模组灯管组中的冷阴极荧光灯对应的逆变器上,之间可以间隔一组冷阴极荧光灯和逆变器,也可以间隔两组冷阴极荧光灯和逆变器,同理,在每组冷阴极荧光灯和逆变器上设置同样也可以,这些都不影响本实用新型实现其目的。
实施例2
本实施例的原理与实施例1相同,其区别在于,在实施例1中控制模块100中的相位比较模块120采用NMOS晶体管Q3和PMOS晶体管Q2进行比较,在本实施例中,相位比较模块120采用由比较器组成的电路实现,其电路原理图参见图9。
一种基于相位控制防止线材接反的背光模组灯管组的控制模块100的电路原理图如图9所示,它包含变压器T1、二极管D1~D9、电阻R1~R14、电容C1~C6、NMOS晶体管Q1、Q3、Q4及比较器U2A、U2B。
逆变器的高压端和低压端通过变压器T1输入到冷阴极荧光灯中,变压器T1设置输入的电流相位,变压器T1的输出端的一端依次连接电容C2、电容C1,接入冷阴极荧光灯的高压端,另一端连接电容C3后通过二极管D1分别连接二极管D2的正极、电阻R5和冷阴极荧光灯的低压端,电容C3一端接地,另一端连接电容C2;电容C2分别连接二极管D3的正极、电阻R3和二极管D4的负极,二极管D3的负极通过由电阻R2和电容C4组成的滤波电路接入背光控制芯片U1的2脚,电阻R2和电容C4的另一端接地;二极管D2的负极分别连接电阻R1和电阻R4,电阻R1的另一端接入背光控制芯片U1的9脚,电阻R4的另一端连接二极管D4的正极并接地,电阻R3的另一端分别连接电阻R6和通过二极管D7接入比较器U2B的6脚,电阻R6的另一端接地,电阻R5的另一端分别连接电阻R7并通过二极管D8后分别连接比较器U2B的5、7脚和二极管D9的正极,电阻R7的另一端接地,比较器U2B的4脚接地,8脚接VIN;二极管D9的负极通过由电阻R14和电容C6组成的滤波电路后接入NMOS晶体管Q3的栅极,电阻R14和电容C6的另一端互相连接后接地,NMOS晶体管Q3的漏极连接电阻R11后接入NMOS晶体管Q4的漏极,NMOS晶体管Q3的漏极端接VIN,NMOS晶体管Q3的源极分别连接电阻R10、电容C5、电阻R8和NMOS晶体管Q4的栅极,电阻R10的另一端分别与电阻R8的另一端和电容C5的另一端连接,并且接地;NMOS晶体管Q4的源极分别连接比较器U2A的3脚、电阻R9、电阻R12和二极管D5的正极,二极管D5的负极通过二极管D6分别连接电阻R11的另一端、电阻R13和比较器U2A的2脚,电阻R13的另一端分别与电阻R8的另一端、电容C5的另一端、电阻R10的另一端和电阻R12的另一端连接,并且接地;电阻R9的另一端分别连接比较器U2A的1脚和NMOS晶体管Q1的栅极,比较器U2A的4脚接地,比较器U2A的8脚接VIN,NMOS晶体管Q1的源极,NMOS晶体管Q1的漏极分别接入背光控制芯片U1的3脚和接插件P1的5脚,接插件P1的6脚接地。
在上述电路中,相位控制模块110为变压器T1,相位比较模块120为由比较器U2B组成的比较电路,变压器T1对逆变器的高压端和低压端的电流相位进行设置,比较器U2B的负极端从冷阴极荧光灯的高压端取样,采集比较数据,比较器U2B的正极端从冷阴极荧光灯的低压端取样,采集比较数据,由比较器U2B进行比较;在上述电路中,还设有一自锁模块130,它包含NMOS晶体管Q4、二极管D5、D6、比较器U2A和电阻R9、R12,当NMOS晶体管Q3和PMOS晶体管Q2同时导通时,驱动NMOS晶体管Q4导通,使自锁模块130自锁。
在正常情况下,逆变器的高压端和低压端的线材都正确连接,逆变器的高压端和低压端经过变压器T1输入,高压端通过电容C2、C3和电阻R3、R6进行两次分压之后,将高压端的采样信号输送给比较器U2B的负极端,低压端通过电阻R5和R7分压之后,将低压端的采样信号输送给比较器U2B的正极端,比较器U2B对高压端和低压端采样的信号进行比较。由于逆变器的高压端和低压端的线材都正确连接,高压端和低压端的电流相位相同,比较器U2B的输出端一个低电平,不会驱动NMOS晶体管Q4导通,即不会触发自锁模块130自锁;NMOS晶体管Q4的输出由低变高,使NMOS晶体管Q1导通,从而将背光控制芯片U1中的ENA拉低。在现实情况中,逆变器的高压端和低压端的电流相位不会完全相同,有时高压端和低压端的电流相位会有一点偏移,那么就存在比较器U2B的输出端输出有高电平信号,因此在NMOS晶体管Q4的栅极之前连接有由电阻R8和电容C5组成的滤波电路,由于逆变器的高压端和低压端的线材都正确连接,高压端和低压端的电流相位就算有相位差,其相位也是很小的,比较器U2B的输出端输出高电平信号的周期也是很小的,在输入NMOS晶体管Q4的栅极之前经过R8和C5组成的低通滤波电路滤波后,完全可以将比较器U2B的输出端输出高电平信号产生的电流滤波掉,从而防止NMOS晶体管Q4误动作。
当逆变器的高压端接反、低压端接反或者高压端和低压端交叉接反时,比较器U2B的负极端从高压端采集到的电流相位信号和比较器U2B的正极端从低压端采集到的电流相位信号经过比较器U2B比较具有相位差,比较器U2B在一定时间内输出高电平信号,经过R8和C5组成的低通滤波电路滤波整流后,给NMOS晶体管Q4输入一个高电平,使NMOS晶体管Q4导通,触发自锁模块130。自锁模块130中的NMOS晶体管Q4导通后,比较器U2A的正极输入端变为VIN,经过二极管D5、D6的分压,输入到比较器U2A的负极输入端,比较器U2A的正极输入端的电压高于负极输入端的电压,比较器U2A的1脚输出高电平,驱动NMOS晶体管Q1导通,将背光控制芯片U1的ENA拉掉。
与实施例1相同,在本实施例中,自锁模块130也可以不用连接,将由电阻R8和电容C5滤波后的电压直接连接到NMOS晶体管Q1的栅极,驱动NMOS晶体管Q1导通,但是为了更好防止在实际使用中,逆变器的高压端和低压端的电流相位的微小差异引起的误导通,还是需要连接一个自锁模块130的。
本实用新型的基于相位控制的防止线材接反的背光模组灯管组可以间隔的设置在背光模组灯管组中的冷阴极荧光灯对应的逆变器上,之间可以间隔一组冷阴极荧光灯和逆变器,也可以间隔两组冷阴极荧光灯和逆变器,同理,在每组冷阴极荧光灯和逆变器上设置同样也可以,这些都不影响本实用新型实现其目的。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内,本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。