CN201160080Y - 发光二极管光源结构改良 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及有关于一种发光二极管光源结构改良,系由一发光二极管本身透明灯体内部形成一充满多数雷射点状化块状物之阻碍层,当发光晶体通电产生光线,透过透明灯体内部阻碍层之粗细大小不一的雷射点状化块状物,造成光线照射到雷射点状化块状物时,会产生反射现象改变光线照射方向,经由光线多次反复撞击反射,使光线经由透明灯体内部非雷射点状化块状物之缝隙空间散射出均匀扩散光线,使发光二极管不需要增设任何扩散结构体,达到自行照射出均匀扩散光线,增加照射宽广度及光源柔和性,且光线强度亦不会因此降低。
Description
技术领域
本实用新型为有关于一种发光二极管光源结构改良,尤指将发光二极管本身透明灯体内部形成一充满多数雷射点状化块状物之阻碍层,当发光晶体通电产生光线,透过透明灯体内部阻碍层之粗细大小不一的雷射点状化块状物,造成光线照射到阻碍层产生反射现象改变照射方向,经由光线多次反复撞击反射,使发光二极管不需增设扩散光源结构体自行散射出均匀扩散光线。
背景技术
随着现代科技快速的发展,照明用光源结构亦逐渐以发光二极管(LED)代替,主要是因为发光二极管具有耗电量低、组件寿命长、不需要暖灯时间、反应速度快、不会闪烁及接近太阳光等优点。又因为其体积小、可耐震动,量产容易,且可因应需求制成极小或数组式组件,故于3C数字化产品之运用、汽车工业之灯具、装饰灯具之光源等可发现发光二极管(LED)乃是未来照明光源发展之主流。
现今LED照明之发光源皆已达到相当亮度之照明功效,此高流明度之发光二极管之灯体设计大多为子弹型灯体,其照明光源以点状光束集中向前照射,可于夜间提醒指引一般民众或运用于广告广告牌上可清楚辨识,但发光二极管所形成之点状光束于近距离辨识时,会造成视觉上之刺眼现象,此种无法均匀扩散之光线,于照射宽广度及光源柔和性方面尚需研发改进。
此种发光二极管均匀发光结构已为此一产品研发上的重要课题,习用发光二极管之扩散光线技术,是于发光二极管内增设半透明层之灯罩,或于发光二极管与透明面板间增设扩散用之透明镜,对于以轻薄为主的手机或液晶屏幕而言,另行增设扩散光源结构体,必然会产生增加产品的厚度之问题,另外增设结构所产生的加工与材料,亦会使成本上升,故实有加以改善之空间。
请参阅图1与图2,为改善此类问题,其中一种习用发光二极管10不需增设扩散光源结构体之扩散光线技术,主要是运用发光二极管10之灯体11表缘形成有预设粗糙密集度之雾化层12,并在灯体11的水平切面主释光区20与圆柱状副释光区21交界处,形成有一圆弧倒角状之反射区22,透过灯体11内部雾化层12之透明表面与反射区22作用下,使得发光二极管10释放之光源经由粗糙之半透明雾化层12阻隔下,令光源于灯体11内部产生漫射光线23,该漫射光线23由灯体11之雾化层12折射释出后即为一均匀扩散之柔和外射光线24,但此一自行扩散光源技术之缺失在于经由雾化层12照射出去的外射光线24,会受到雾化层12的阻隔与消耗,使得外射光线24强度因此减弱,造成发光二极管10的亮度降低。
发明内容
针对上述问题,本实用新型之主要目的,旨在提供一种发光二极管光源结构改良,经由发光二极管之透明灯体内部形成一充满多数雷射点状化块状物,使发光二极管不需增设扩散光源结构体,自行照射出均匀扩散之柔和光线,增加照射宽广度及光源柔和性。
本实用新型之另一目的,旨在提供一种发光二极管光源结构改良,经由发光二极管之透明灯体内部形成一充满多数雷射点状化块状物,于照射过程中之光源不会因反射现象降低发光二极管之亮度。
为达上述目的,本实用新型之发光二极管光源结构改良,系由一透明灯体,该透明灯体经由激光内雕机聚焦、定点、定向,在透明灯体之主释光区与副释光区内部爆破,造成内部结构的变化产生多数雷射点状化块状物,并设置一发光晶体于透明灯体副释光区内部,该发光晶体设有一正电极与一负电极,再将一正极接脚运用电性耦合方式连接于发光晶体之正电极,一负极接脚亦运用电性耦合方式连接于发光晶体之另一负电极,当发光二极管通电照射出光源,光线会受到雷射点状化块状物的阻挡,使光线产生反射现象改变照射方向,经由反复的反射光线于主释光区与副释光区照射出去,使整个发光二极管不需增设扩散光源结构体,自行照射出均匀扩散之柔和光线,且光线强度亦不会降低。
于一较佳实施例中,其中,透明灯体内部之雷射点状化块状物可为不同粗细大小。
附图说明
图1是习用发光二极管立体图;
图2是习用发光二极管照射示意图;
图3是本实用新型之发光二极管立体图;
图4是实用新型之发光二极管剖面结构图;
图5是本实用新型较佳实施例之发光二极管照射示意图。
图中主要组件符号说明:
10------发光二极管
11------灯体
12------雾化层
20------主释光区
21------副释光区
22------反射区
23------漫射光线
24------外射光线
30------发光二极管
40------透明灯体
41------主释光区
42------副释光区
43------雷射点状化块状物
50------发光晶体
51------正极接脚
52------负极接脚
60------光线
具体实施方式
为便于更进一步对本实用新型之构造、使用及其特征有更深一层明确、详实的认识与了解,现举出较佳实施例,配合附图详细说明如下:
如图3与图4所示,于图示较佳实施例中,本实用新型发光二极管30结构系包含一透明灯体40,由激光内雕机采用二根灯照射透明灯体40,透过激光内雕机震荡产生激光束,将产生之激光束聚焦、定点与定向,在透明灯体40之主释光区41与副释光区42内部爆破,造成内部结构的变化产生多数雷射点状化块状物43,一发光晶体50,该发光晶体50设有正电极与负电极,系设置于透明灯体30之副释光区42内部,一正极接脚51,运用电性耦合方式连接于发光晶体50之正电极,其局部长度外露于透明灯体40,一负极接脚52,亦运用电性耦合方式连接于发光晶体50之另一负电极,其局部长度外露于透明灯体40。
于可实施例中,其中,透明灯体40内部之雷射点状化块状物43可为不同粗细大小。
如图5所示,于图示较佳实施例中,该发光二极管30经由正极接脚51与负极接脚52通电,使相连之发光晶体50通电,产生能阶反应散发出光线60,当光线60照射到透明灯体40内部的雷射点状化块状物43时,会产生反射现象改变光线60照射方向,经由光线60多次反复撞击散布于透明灯体40内部的雷射点状化块状物43之不断反射,使光线60以均匀扩散方式经由透明灯体40散射出去。
综上所述,本实用新型之发光二极管30光源结构改良,其透明灯体40内部设有多数雷射点状化块状物43代替习用发光二极管10表缘预设粗糙密集度之雾化层12,使发光二极管30自行照射出均匀扩散之光线60,增加照射宽广度及光源柔和性,且光线60强度亦不会因此降低。
以上所举实施例仅用为方便说明本实用新型并非加以限制,在不离本实用新型精神范畴,熟悉此一行业技艺人士所可作之各种简易变形与修饰,均仍应含括于以下申请专利范围中。
Claims (2)
1.一种发光二极管光源结构改良,其结构包含:一透明灯体,该透明灯体设有主释光区及副释光区,并于内部设有一空间;一发光晶体,设有正电极与负电极,设置于上述透明灯体内部之空间;一正极接脚,以电性耦合方式连接于上述发光晶体之正电极,其局部长度外露于上述透明灯体;一负极接脚,以电性耦合方式连接于上述发光晶体之负电极,其局部长度亦外露于透明灯体;其特征在于:上述透明灯体内部空间中设有多数供反射光线之雷射点状化块状物。
2.根据权利要求1所述的发光二极管光源结构改良,其特征在于:上述透明灯体内部雷射点状化块状物为不同粗细大小。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CNU2008200045290U CN201160080Y (zh) | 2008-01-23 | 2008-01-23 | 发光二极管光源结构改良 |
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CNU2008200045290U CN201160080Y (zh) | 2008-01-23 | 2008-01-23 | 发光二极管光源结构改良 |
Publications (1)
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CN201160080Y true CN201160080Y (zh) | 2008-12-03 |
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ID=40110665
Family Applications (1)
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CNU2008200045290U Expired - Fee Related CN201160080Y (zh) | 2008-01-23 | 2008-01-23 | 发光二极管光源结构改良 |
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CN (1) | CN201160080Y (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102237469A (zh) * | 2010-04-29 | 2011-11-09 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管的封装结构 |
-
2008
- 2008-01-23 CN CNU2008200045290U patent/CN201160080Y/zh not_active Expired - Fee Related
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C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
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Granted publication date: 20081203 Termination date: 20100223 |