CN201075671Y - 低成本电磁炉igbt高压保护电路 - Google Patents

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CN201075671Y CNU2007201214944U CN200720121494U CN201075671Y CN 201075671 Y CN201075671 Y CN 201075671Y CN U2007201214944 U CNU2007201214944 U CN U2007201214944U CN 200720121494 U CN200720121494 U CN 200720121494U CN 201075671 Y CN201075671 Y CN 201075671Y
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伍炎军
刘建伟
师润贵
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Abstract

本实用新型涉及一种低成本电磁炉IGBT高压保护电路，包括一个NPN三极管，所述NPN三极管具有基极、集电极和发射极；所述NPN三极管的发射极接地、所述NPN三极管的集电极通过电阻连接到电源，所述NPN三极管的基极和高压采集电路相连，所述NPN三极管的集电极输出保护信号。实施本实用新型的低成本电磁炉IGBT高压保护电路，仅使用一个三极管和若干电阻便可实现保护功能，成本低廉。

Description

低成本电磁炉IGBT高压保护电路
技术领域
本实用新型涉及保护电路，更具体地说，涉及一种IGBT高压保护电路。
背景技术
电磁炉IGBT高压保护电路常用的方案是用339比较器，如图1所示，高压信号经过电阻分压后送入339比较器，和一个固定电压比较后得到保护信号输出。该电路使用339比较器芯片，成本较高。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述成本高的缺陷，提供一种低成本电磁炉IGBT高压保护电路。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种低成本电磁炉IGBT高压保护电路，其特征在于，包括一个NPN三极管，所述NPN三极管具有基极、集电极和发射极；所述NPN三极管的发射极接地、所述NPN三极管的集电极通过电阻连接到电源，所述NPN三极管的基极和高压采集电路相连，所述NPN三极管的集电极输出保护信号。
在本实用新型所述的低成本电磁炉IGBT高压保护电路中，所述高压采集电路为电阻网络。
在本实用新型所述的低成本电磁炉IGBT高压保护电路中，所述电阻网络包括第一分压电阻和第二分压电阻，所述第一分压电阻一端连接高压信号，所述第一分压电阻另一端连接所述NPN三极管的基极；所述第二分压电阻一端连接所述NPN三极管的基极，所述第二分压电阻的另一端接地。
实施本实用新型的低成本电磁炉IGBT高压保护电路，具有以下有益效果：仅使用一个NPN三极管和若干电阻便可实现保护功能，成本低廉。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：
图1是现有技术的电磁炉IGBT高压保护电路的电路图；
图2是本实用新型的低成本电磁炉IGBT高压保护电路的一种具体实施例的电路图。
具体实施方式
本实用新型涉及一种低成本电磁炉IGBT高压保护电路。电路包括一个NPN三极管，NPN三极管具有基极、集电极和发射极；NPN三极管的发射极接地、NPN三极管的集电极通过电阻连接到电源，NPN三极管的基极和高压采集电路相连，NPN三极管的集电极输出保护信号。高压采集电路为电阻网络。电阻网络包括第一分压电阻和第二分压电阻，第一分压电阻一端连接高压信号，第一分压电阻另一端连接NPN三极管的基极；第二分压电阻一端连接NPN三极管的基极，第二分压电阻的另一端接地。
下面结合图2描述本实用新型的一种具体实施例。结合图2来说明其工作原理，Q1为NPN三极管，Q1的集电极通过电阻R7连接到电源；电阻R5和R6构成第一分压电阻，电阻R8构成第二分压电阻，当高压输入端达到保护的临界值时，三极管Q1的基极电压开始超过0.6V，此时Q1导通，则Q1的集电极端提供一个下降沿信号作为保护信号提供给控制系统。

Claims (3)

1.一种低成本电磁炉IGBT高压保护电路，其特征在于，包括一个NPN三极管，所述NPN三极管具有基极、集电极和发射极；所述NPN三极管的发射极接地、所述NPN三极管的集电极通过电阻连接到电源，所述NPN三极管的基极和高压采集电路相连，所述NPN三极管的集电极输出保护信号。
2.根据权利要求1所述的低成本电磁炉IGBT高压保护电路，其特征在于，所述高压采集电路为电阻网络。
3.根据权利要求2所述的低成本电磁炉IGBT高压保护电路，其特征在于，所述电阻网络包括第一分压电阻和第二分压电阻，所述第一分压电阻一端连接高压信号，所述第一分压电阻另一端连接所述NPN三极管的基极；所述第二分压电阻一端连接所述NPN三极管的基极，所述第二分压电阻的另一端接地。
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