CN200950255Y - 大容量sim卡 - Google Patents

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黄小鹏
沈阳
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Abstract

大容量SIM卡，包括总线、连接在总线上的CPU、RAM、FLASH、ROM、EEPROM以及连接于总线上的存储卡结构，此存储卡结构包括接口控制器、NANDFLASH控制器以及NANDFLASH存储单元。本实用新型所述的大容量SIM卡将集成度非常高的NANDFLASH存储单元整合到现有的SIM卡系统中，在有限的物理空间内极大的扩大了SIM卡的存储容量，同时通过对NANDFLASH存储单元的访问操作控制，具有数据加密、解密等功能，具有更高的数据安全性。

Description

大容量SIM卡
技术领域
本实用新型涉及一种改进了的大容量SIM卡。
背景技术
SIM卡(Subscriber Identity Model，客户识别模块)又称为用户身份识别卡，是一种具有很高安全性的智能卡，其被广泛的应用于移动通讯领域内。图1中揭示了一种现有的SIM卡1的内部结构示意图，其主要揭示了SIM卡1的存储结构，包括总线10、连接在总线10上的CPU(微处理单元)11、RAM(随机存储器)12、FLASH(闪存)13、ROM(只读存储器)14以及EEPROM(电可擦除只读存储器)15。其中，ROM14是“只读”性质的程序存储器，用于存放固定的程序数据；RAM12是易失性的存储器，用于存放一些临时数据，断电后数据消失；EEPROM和FLASH都是非易失性的存储器，断电后数据仍不会丢失，但可以擦除重写，因此，一般提供给用户使用，保存用户的重要数据(例如电话本、数字名片、短消息等等)。通过CPU11的控制，SIM卡1中的各个存储单元可以实现数据的存储，删除等各项功能。
然而，随着移动通讯的不断发展，用户对SIM卡的功能要求越来越高，现有的SIM卡的存储容量一般不超过1兆，已经远远不能满足功能上的要求，为了增大SIM卡1的存储空间以满足用户的要求，需要增加EEPROM15或FLASH13的存储空间，但是EEPROM15和FLASH13的集成度较低，如果增加其存储容量，那么其占用的外部物理空间也会大大增加；而另一方面，由于SIM卡的制作必须遵循相关的国际标准，其外形和体积都是有非常严格的限制条件的，因此，在现有的SIM卡的有限物理空间内，如果单纯依靠增加EEPROM15和FLASH13的存储容量来满足扩容要求，是非常局限的，也给SIM卡的设计带来很大的麻烦。同时，由于SIM卡上存储用户的私人信息，因此，在扩大SIM卡1的存储容量的同时，提高数据的安全性也是非常重要的。
发明内容
本实用新型的目的是设计一种大容量SIM卡，其能够在SIM卡的有限物理空间内大大扩展SIM的存储容量，且能够保证数据的安全性。
为实现上述目的，本实用新型提供的大容量SIM卡包括总线、连接在总线上的CPU、RAM、FLASH、ROM、EEPROM以及连接于总线上的存储卡结构，此存储卡结构包括：
接口控制器，其与总线相连接；
NANDFLASH控制器，其分别与总线和上述接口控制器相连接；
NANDFLASH存储单元，其与上述NANDFLASH控制器相连接。
显然，相较于现有的SIM卡结构，本实用新型所述的大容量SIM卡将集成度非常高的NANDFLASH存储单元整合到现有的SIM卡系统中，在有限的物理空间内极大地扩大了SIM卡的存储容量，同时通过对NANDFLASH存储单元的访问操作控制，具有数据加密、解密等功能，具有更高的数据安全性。
附图说明
图1现有的SIM卡的内部结构示意图；
图2是本实用新型大容量SIM卡的内部结构示意图。
以下结合图示及较佳实施例对本实用新型作进一步说明。
实施方式
参见图2所示，本实用新型所述的大容量SIM卡2是在图1中揭示的现有SIM卡1的结构上引入高集成度的MMC(MultiMedia Card，多媒体存储卡)存储卡结构20，此MMC存储卡结构20包括MMC控制器21、NANDFLASH(NAND非易失闪存)控制器22以及NANDFLASH存储单元23，所述MMC控制器21、NANDFLASH控制器22直接与总线10相连接，MMC控制器21、NANDFLASH存储单元23分别与NANDFLASH控制器22相连接。
CPU11通过NANDFLASH控制器22访问NANDFLASH存储单元23，外部的MMC读卡器(图未示)如果需要访问NANDFLASH存储单元23，需要先通过MMC控制器21，然后再通过NANDFLASH控制器22访问NANDFLASH存储单元23，另一方面，CPU11可以对MMC控制器21进行控制，以便于控制外部MMC读卡器对NANDFLASH存储单元23的访问操作，以此达到数据加密、解密等效果，使得SIM卡2具有更高的数据安全性。
由于MMC存储卡结构20中的NANDFLASH存储单元23具有很高的集成度，能够在很小的物理体积内达到百兆以上的容量，因此，采用NANDFLASH存储单元23后，本实用新型大容量SIM卡2的存储容量能够大大增加。
因此，相较于现有的SIM卡而言，本实用新型所述的大容量SIM卡2将集成度非常高的NANDFLASH存储单元23整合到现有的SIM卡系统中，在有限的物理空间内极大的扩大了SIM卡的存储容量，同时通过对NANDFLASH存储单元23的访问操作控制，具有数据加密、解密等功能，具有更高的数据安全性。
显然，本实用新型的技术构思并不仅限于上述实施例，还可以依据本实用新型的构思得到许多不同实施例，例如MMC存储卡结构20可以用SD(Secure Digital Card，安全数字卡)存储卡结构作等效的替换，此时只需要将MMC控制器20替换成其它合适的接口控制器替换即可(例如SD卡接口控制器)。此类的微小改变以及等效变换均应包含在权利要求所述的范围之内。

Claims (4)

1、大容量SIM卡，包括总线、连接在总线上的CPU、RAM、FLASH、ROM以及EEPROM，其特征在于：所述大容量SIM卡进一步包括连接于总线上的存储卡结构，此存储卡结构包括：
接口控制器，其与总线相连接；
NANDFLASH控制器，其分别与总线和上述接口控制器相连接；
NANDFLASH存储单元，其与上述NANDFLASH控制器相连接。
2、根据权利要求1所述的大容量SIM卡，其特征在于：所述NANDFLASH存储单元具有1兆以上的存储容量。
3、根据权利要求1所述的大容量SIM卡，其特征在于：所述接口控制器为MMC控制器。
4、根据权利要求1所述的大容量SIM卡，其特征在于：所述接口控制器为SD控制器。
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Patentee after: Eastcompeace Technology Co., Ltd.

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