CN200944144Y - 一种输出偏振态稳定的光源装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种输出偏振态稳定的光源装置，由超辐射发光二极管、第一保偏光纤、第二保偏光纤、单模光纤和壳体组成，超辐射发光二极管的输出端与第一保偏光纤一端耦合，第一保偏光纤另一端与第二保偏光纤一端45°角熔接，第二保偏光纤另一端与单模光纤一端熔接，超辐射发光二极管、第一保偏光纤、第二保偏光纤和单模光纤一端封装在壳体内，且单模光纤另一端伸出壳体外，作为本实用新型光源装置的尾纤。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种光源结构，更特别地说，是指一种能够使输出偏振态稳定的适用于光纤传感器的光源装置。
背景技术
目前，超辐射发光二极管(SLD)输出光是部分偏振光，由于不同偏振态的光具有不同形状的输出光谱，因此光源的输出光谱是不同偏振态的光输出光谱的合成。
光源的老化效应和瞬间工作温度的波动现象、以及光源尾纤受应力、温度等影响会使SLD输出光的偏振态发生改变。SLD输出光偏振态的改变会给传感系统带来偏振误差或偏振噪声，影响传感系统的性能。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种输出偏振态稳定的光源装置，该光源装置通过对SLD的输出光进行消偏，降低SLD输出光的偏振相关性对输出光谱的影响。
本实用新型是一种输出偏振态稳定的光源装置，由超辐射发光二极管、第一保偏光纤、第二保偏光纤、单模光纤和壳体组成，超辐射发光二极管的输出端与第一保偏光纤一端耦合，第一保偏光纤另一端与第二保偏光纤一端45°角熔接，第二保偏光纤另一端与单模光纤一端熔接，超辐射发光二极管、第一保偏光纤、第二保偏光纤和单模光纤一端封装在壳体内，且单模光纤另一端伸出壳体外，作为本实用新型光源装置的尾纤。
所述的输出偏振态稳定的光源装置，其第一保偏光纤与第二保偏光纤构成一个消偏器。
本实用新型光源装置的优点在于：(1)采用两根保偏光纤45°角熔接构成消偏器的结构，有效降低了偏振效应对SLD输出光谱的影响；(2)SLD输出光经消偏器，稳定了SLD输出光谱的形状，提高了平均波长的稳定性；(3)本实用新型光源结构，降低了输出光源在光纤传感器系统中的偏振误差或偏振噪声，提高光纤传感器系统的性能。
附图说明
图1是本实用新型光源装置的结构示意图。
图2是两根保偏光纤的对接示意图。
图中：1.超辐射发光二极管 2.第一保偏光纤 3.第二保偏光纤
4.单模光纤 5.壳体
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型作进一步的详细说明。
本实用新型是一种输出偏振态稳定的光源装置，由超辐射发光二极管(SLD)1、第一保偏光纤2、第二保偏光纤3、单模光纤4和壳体5组成，超辐射发光二极管1的输出端与第一保偏光纤2一端耦合，第一保偏光纤2另一端与第二保偏光纤3一端45°角熔接，第二保偏光纤3另一端与单模光纤4一端熔接，超辐射发光二极管1、第一保偏光纤2、第二保偏光纤3和单模光纤4一端封装在壳体5(壳体5可以是耐高温的塑料材质)内，且单模光纤4另一端伸出壳体5外，作为本实用新型光源装置的尾纤(该尾纤用于与外部器件连接用)。
在本实用新型中，第一保偏光纤2与第二保偏光纤3构成一个消偏器。该消偏器消除了SLD输出光的偏振相关性，使SLD输出的部分偏振光转变为完全非偏振光，从而消除了光纤传感器中与偏振效应相关的各种误差或者噪声。
为了消除SLD输出光的偏振相关性，在本实用新型中，采用第一保偏光纤2的长度L1大于SLD的消偏长度Ld，且第一保偏光纤2的长度L1与第二保偏光纤3的长度L2之比为L1∶L2＝1∶2～4。当SLD发出的光经过所述消偏器后，输出光将产生一个随机的偏振态，即光波在所有偏振态上是均匀分布的。
本实用新型的光源装置，当超辐射发光二极管(SLD)1输出的部分偏振光经第一保偏光纤2后，两个本征偏振态之间产生相位延迟，经第二保偏光纤3后，两个本征偏振态完全失去统计相关性，使经单模光纤4输出的光波成为完全非偏振光。
本实用新型的光源装置可用于光纤传感器，该光纤传感器包括温度、压力、电流、电压等传感器。
Claims (3)
1、一种输出偏振态稳定的光源装置，其特征在于：由超辐射发光二极管(1)、第一保偏光纤(2)、第二保偏光纤(3)、单模光纤(4)和壳体(5)组成，超辐射发光二极管(1)的输出端与第一保偏光纤(2)一端耦合，第一保偏光纤(2)另一端与第二保偏光纤(3)一端45°角熔接，第二保偏光纤(3)另一端与单模光纤(4)一端熔接，超辐射发光二极管(1)、第一保偏光纤(2)、第二保偏光纤(3)和单模光纤(4)一端封装在壳体(5)内，且单模光纤(4)另一端伸出壳体(5)外。
2、根据权利要求1所述的输出偏振态稳定的光源装置，其特征在于：所述第一保偏光纤(2)与所述第二保偏光纤(3)构成一个消偏器。
3、根据权利要求1所述的输出偏振态稳定的光源装置，其特征在于：所述第一保偏光纤(2)的长度L1大于超辐射发光二极管(1)的消偏长度Ld，且第一保偏光纤(2)的长度L1与第二保偏光纤(3)的长度L2之比为L1∶L2＝1∶2～4。
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