CN1901772A - 处理基底的设备 - Google Patents

处理基底的设备 Download PDF

Info

Publication number
CN1901772A
CN1901772A CNA2006101063249A CN200610106324A CN1901772A CN 1901772 A CN1901772 A CN 1901772A CN A2006101063249 A CNA2006101063249 A CN A2006101063249A CN 200610106324 A CN200610106324 A CN 200610106324A CN 1901772 A CN1901772 A CN 1901772A
Authority
CN
China
Prior art keywords
equipment according
post
connector
coil
posts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006101063249A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1901772B (zh
Inventor
全尚珍
朴钟录
史升烨
梁姬全
李根硕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN1901772A publication Critical patent/CN1901772A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1901772B publication Critical patent/CN1901772B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/32119—Windows
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供了一种处理基底的设备，该设备包括：处理室，包括反应空间，在反应空间内，放置将被处理的基底和形成等离子体；铁氧体磁芯，包括多个设置在反应空间外部的柱和连接器，以跨过多个柱面向反应空间并使多个柱相互连接；线圈，缠绕在多个柱的周围；电源单元，向线圈提供电源。

Description

处理基底的设备
本申请要求于2005年7月22日提交到韩国知识产权局的第2005-0066915号韩国专利申请的优先权，该申请的内容通过引用公开于此。
                         技术领域
本发明的总体构思涉及一种处理基底的设备，更具体地讲，涉及一种利用铁氧体磁芯处理基底以提高等离子体产生效率的设备。
                        背景技术
 通过执行薄膜的反复沉积和蚀刻工艺来制造用于半导体晶圆或显示设备的基底(以下，称作基底)。
图1是示出利用铁氧体磁芯处理基底的设备的剖视图，图2是示出图1的设备的平面图。
参照图1和图2，处理基底的传统设备包括彼此结合的上容器111和下容器112。由两个容器111和112形成的空间被分隔件121和122划分成上反应空间113和下反应空间114。气体被带到反应空间113和114中并被电离，从而产生等离子体。上卡盘(chuck)131设置在上反应空间113中，下卡盘132设置在下反应空间114中。通常，将被处理的基底仅放置在下卡盘132上。六个环形的铁氧体磁芯141以规则的间隔成圆形设置在两个反应空间113和114中间的同一平面上。线圈142缠绕在各铁氧体磁芯141的周围。线圈142以相反的方向缠绕在相邻的铁氧体磁芯141的周围，从而使得由相邻的铁氧体磁芯141产生的感应电动势的相位相反。
两个反应空间113和114通过通孔152互相连接，通孔152形成在穿过铁氧体磁芯141的中心的管151内。反应气体穿过通孔152。通孔152是放电电流的通道。当处理基底时，缠绕在铁氧体磁芯141周围的线圈142成为初级端，等离子体成为次级端，于是，施加到线圈142的高频电源被传输到次级端等离子体。相邻的铁氧体磁芯141之间的感应电动势的相位差为180度。等离子体中感应的电流的通道形成在穿过两个相邻的通孔152的闭合电路中。图1中的箭头表示相邻的通孔152之间形成的六个感应电流。
为了提高等离子体产生效率，等离子体内感应的次级电流的通道应当形成在闭合电路中。因此，用于处理基底的传统设备100包括两个反应空间113和114。然而，在用于处理基底的传统设备100中在基底的两侧产生等离子体时只有基底的一侧被处理，从而降低了等离子体的密度和效率。
                         发明内容
因此，本发明总体构思的一方面是提供一种具有高等离子体产生效率的设备。
本发明总体构思的另外的方面和优点，将在以下的描述中部分地进行阐明，另外的部分通过描述是显而易见的，或者可通过实施本发明的总体构思而了解。
本发明总体构思的前述和/或其它方面可通过提供一种处理基底的设备来实现，该设备包括：处理室，包括反应空间，在反应空间内，放置将被处理的基底和形成等离子体；铁氧体磁芯，包括多个设置在反应空间外部的柱和连接器，以跨过多个柱面向反应空间并使多个柱相互连接；线圈，缠绕在多个柱的周围；电源单元，向线圈提供电源。
线圈可以以相反的方向缠绕在相邻的柱周围。
连接器可形成为闭合环。
多个通过连接器相互连接的柱可设置为圆形。
多个通过连接器相互连接的柱可以以规则的距离设置。
通过连接器相互连接的柱的数目可以为偶数。
连接器可设置为圆形。
连接器可包括内连接器和围绕内连接器的外连接器。
内连接器和外连接器可设置成同轴的圆形。
电源单元可单独地向内连接器和外连接器提供电源。
电源单元可向内连接器和外连接器中的一个提供100kHz～1MHz的电源。
线圈可划分为两个部分，这两个部分可电源单元并联连接。
连接器可设置为环形。
柱可具有圆柱形。
电源单元可提供100kHz～1MHz的电源。
线圈可通过电容器接地。
电容器的阻抗可大约为铁氧体磁芯的阻抗的一半。
处理基底的设备还可包括设置在反应空间和铁氧体磁芯之间的窗板。
窗板可包含铝或石英。
处理基底的设备还可包括设置在电源单元和线圈之间的阻抗匹配单元。
本发明总体构思的前述和/或其它方面及应用也可通过提供一种处理基底的设备来实现，该设备包括：处理室，具有壁，用于限定反应空间，在反应空间内，放置将被处理的基底和形成等离子体；窗板，形成为处理室的壁之一；多个柱，设置在窗板上；连接器，连接多个柱。
多个柱可包括第一组柱和设置在第一组柱内部的第二组柱。
连接器可电连接第一组柱和第二组柱。
该设备还可包括缠绕在多个柱的每个的周围的线圈，其中，连接器连接多个柱的线圈的每个。
本发明总体构思的前述和/或其它方面及应用也可通过提供一种处理基底的设备来实现，该设备包括：处理室，具有壁和窗板，用于限定反应空间；多个柱，设置在窗板上；连接器，连接多个柱，从而，当将电源施加到连接器时，在窗板的与多个柱相对的下面产生感应电流。
                         附图说明
通过结合附图对实施例的以下描述，本发明总体构思的这些和/或其它方面及优点将会变得清楚且更易于理解，附图中：
图1是示出处理基底的体统设备的剖视图；
图2是示出图1的传统设备的平面图；
图3是示出根据本发明总体构思的实施例的处理基底的设备的剖视图；
图4是示出图3的设备的平面图；
图5是示出在图3的设备中产生的感应电流的示意图；
图6至图10是示出根据本发明总体构思的实施例的处理基底的设备的平面图。
                       具体实施方式
现在将对本发明总体构思的实施例详细地进行参考，附图中示出了本发明总体构思的示例，在附图中，相同的标号始终表示相同的元件。下面通过参照附图来描述这些实施例以解释本发明的总体构思。
参照图3和图4，根据本发明总体构思的实施例示出了处理基底的设备1。
处理基底的设备1包括：反应室11，用来形成反应空间12；天线单元20，设置在反应空间12的上方；电源单元31，用来向天线单元20提供电源。
反应室11形成反应空间12并使反应空间12保持在真空恒温下，在反应空间12内形成等离子体以处理基底。窗板(window plate)13设置在反应室11和天线单元20之间。窗板13可由绝缘材料例如铝或石英形成。一对喷嘴14设置在反应室11的侧壁内，反应气体通过喷嘴14来流动。卡盘15设置在反应空间12中，将被处理的基底50位于卡盘15上。真空口16设置在反应室11的下部，以使反应空间12保持真空并将反应气体、副产品等排放到真空口16外面。真空口16连接到真空泵(未示出)。
天线单元20跨过窗板13面向反应空间12，并包括铁氧体磁芯25和缠绕在铁氧体磁芯25周围的线圈26。
铁氧体磁芯25包括多个柱21、连接器22a和22b，连接器22a和22b使相邻的柱21相互连接。柱21与窗板13接触，连接器22a和22b分别设置在柱21上，以使柱21相互连接。内连接器22b以圆形的方向设置在外连接器22a的内部。
连接器22a和22b形成为环形，并包括同轴设置的外连接器22a和内连接器22b。柱21成圆形以规则的间隔设置在连接器22a和22b中。柱21形成为圆柱形，并且其直径大于连接器22a和22b的宽度。连接器22a和22b的每个连接偶数数目的柱21，其中，外连接器22a连接八个柱21，而内连接器22b连接六个柱21。
连接器22a和22b连接偶数数目的柱21，从而将线圈26以与相邻柱21相反的方向缠绕在另一相邻柱21上。因而，相邻柱21的线圈26中的一个以一个方向缠绕，然后，相邻柱21的线圈26中的另一个以另一方向缠绕。线圈26的一个端部与电源单元31连接，而线圈26的另一端部接地。线圈26顺序地缠绕在与外连接器22a连接的柱21的周围，然后顺序地缠绕在与内连接器22b连接的柱21的周围。线圈26以相反的方向缠绕在相邻的柱21的周围，并且偶数数目的柱21与连接器22a和22b的每个连接，因此线圈26以相反的方向缠绕在所有相邻的柱21的周围。
电源单元31向线圈26提供100kHz～1MHz的电源。位于电源单元31和线圈26之间的阻抗匹配单元32使电源单元31的电源能够没有损失地施加到线圈26。
线圈26通过电容器33接地。电容器33控制电容，以将电压分布到“a”点和“b”点。如果电容器33的阻抗大约为铁氧体磁芯25所感应的阻抗的绝对值的一半，则输入电压和地电压均达到最小值。因而，减小了产生电弧的可能性，并减少了与等离子体的电容耦合效应，从而减小了窗板13的鞘区内的离子损失。
参照图5，将示出在根据本发明总体构思的第一实施例的用于处理基底的设备中产生的感应电流。图5示出了沿着V-V线截取的图4的示意图。
当电源单元31将电源施加到线圈26以处理基底时，线圈26中流动的电流产生正弦曲线的磁场，从而在反应空间12中在线圈26的电流的相反方向上产生感应电动势。另外，通过感应电动势在等离子体中产生感应电流，并且感应电流加热等离子体。电流在各个柱21中以磁场的相反方向流动。基底50通过等离子体来沉积或蚀刻。
在这种情况下，在穿过柱21之间的连接器22a和22b的区域(′A′)中产生磁场，从而防止了电源传输到连接器22a和22b的上部。因此，保护磁场免受由于连接器22a和22b的上部周围的外部干扰引起的损失，并且在反应空间12中磁场增大，从而，提高了等离子体产生效率。
因为本实施例的处理基底50的设备1具有高的等离子体产生效率，所以即使使用低频电源，设备1也可有效地产生均匀的等离子体。随着基底变得较大以便利用等离子体提高设备的生产率，产生均匀性优良且密度高的等离子体已更为重要。如果在用高频电源例如13.56MHz的电源产生等离子体的情况下扩大等离子体源，则由于传输线效应而使等离子体的均匀性下降。如果用100kHz～1MHz的相对低频ω电源产生等离子体，则消除了传输线效应，从而生产了具有优良均匀性的宽阔的等离子体源。然而，由于用于产生等离子体的感应电动势E与天线单元的磁场B和电源的频率ω成比例，所以，如果用相对低频电源产生等离子体，则等离子体产生效率下降。在本发明的总体构思中，具有高磁导率的铁氧体磁芯25可用于提高天线单元20和等离子体之间的电感耦合效率，因此，即使采用相对低频电源，也可获得密度高且均匀的等离子体。
在第一实施例的处理基底50的设备1中，等离子体仅产生在天线单元20所处的放有基底50的下部，而在天线单元20所处的没有放置基底50的上部不产生等离子体。因此，由于所有的等离子体用于处理基底50而没有损失，所以等离子体产生效率变高。
图6至图10是示出根据本发明总体构思的实施例的处理基底的设备的平面图。图6的相同的标号表示与图3至图5相同的元件。
参照图6，线圈26独立地缠绕在与外连接器22a连接的柱21和与内连接器连接的柱21的周围。各个线圈26与单独的电源单元31a、31b和电容器33a、33b连接。各个电源单元31a和31b提供不同频率的电源，例如，电源单元31a和31b中的一个可提供13.56MHz的高频电源，而电源单元31a和31b中的另一个可提供100kHz～1MHz的相对低频电源。
参照图7，根据本发明总体构思的第三实施例提供了单个连接器22。线圈26划分为两个部分，从而并联且被提供有来自电源单元31的电源。因而，如果线圈26划分为并联的两个部分，则天线单元20的感应系数变为串联线圈的感应系数的大约四分之一。如果天线单元20的感应系数减小，则天线单元20的电压降低，从而减少了产生电弧的可能性。
第一实施例至第三实施例中的柱21为具有恒定直径的圆柱形，该直径大于连接器22、22a和22b的宽度。柱21的形状和直径可按需要而改变。柱21可形成为三棱柱或方柱，或者形成为伴有方柱的三棱柱。柱21的直径可小于连接器22、22a和22b的宽度，或者各个柱21可具有不同的直径。柱21的形状和尺寸基于等离子体均匀性来调整。
参照图8，与图3至图7的实施例不同，在第四实施例中，柱21的直径小于连接器22a和22b的宽度。缠绕在柱21周围的线圈26与单个电源单元31连接。
图3至图8的实施例的连接器22、22a和22b为环形，即圆环，但是不局限于环形。连接器22、22a和22b可形成为方形环、三角形环或者伴有三角形环的方形环。连接器22、22a和22b的形状可根据等离子体均匀性来调整。
参照图9，连接器22c和22d形成为方形。每个连接器22c和22d与偶数数目的柱21连接。缠绕在柱21周围的线圈26与单个电源单元31连接。
在图3至图9的实施例中，连接器22、22a、22b、22c和22d形成为闭合曲线，但是连接器22、22a、22b、22c和22d不局限于闭合曲线。连接器22、22a、22b、22c和22d可形成为直线或曲线，或者是直线和曲线的结合。连接器22、22a、22b、22c和22d的形状可根据等离子体均匀性来调整。
参照图10，与图3至图9的实施例不一样，成直线的三个连接器22e彼此平行地设置。各个连接器22e连接五个柱21。由于连接器22e没有形成为闭合的环，所以柱21的数目不应当是偶数。线圈26与各连接器22e并联连接，从而减小了产生电弧的可能性。
根据本实施例的处理基底的设备可用于将薄膜沉积到基底上，或者用于在基底上蚀刻薄膜。用于显示设备(例如，液晶显示器或有机发光二极管)的基底或半导体晶圆可用根据本发明总体构思的设备来处理。
虽然已经示出和描述了本发明总体构思的一些实施例，但是本领域的技术人员要理解，在不脱离本发明总体构思的原理和精神的情况下，可对这些实施例进行改变，其中，本发明的总体构思的范围限定在权利要求及其等同物内。

Claims (25)

1、一种处理基底的设备，包括：
处理室，包括反应空间，在反应空间内，放置将被处理的基底和形成等离子体；
铁氧体磁芯，包括多个设置在所述反应空间外部的柱和连接器，以跨过所述多个柱面向所述反应空间并使所述多个柱相互连接；
线圈，缠绕在所述多个柱的周围；
电源单元，向所述线圈提供电源。
2、根据权利要求1所述的设备，其中，所述线圈以相反的方向缠绕在相邻的柱周围。
3、根据权利要求1所述的设备，其中，所述连接器形成为闭合环。
4、根据权利要求3所述的设备，其中，所述多个通过所述连接器相互连接的柱设置为圆形。
5、根据权利要求3所述的设备，其中，所述多个通过所述连接器相互连接的柱以规则的距离设置。
6、根据权利要求3所述的设备，其中，通过所述连接器相互连接的柱的数目为偶数。
7、根据权利要求3所述的设备，其中，所述连接器设置为圆形。
8、根据权利要求3所述的设备，其中，所述连接器包括内连接器和围绕所述内连接器的外连接器。
9、根据权利要求8所述的设备，其中，所述内连接器和所述外连接器设置成同轴的圆形。
10、根据权利要求8所述的设备，其中，所述电源单元单独地向所述内连接器和所述外连接器提供电源。
11、根据权利要求10所述的设备，其中，所述电源单元向所述内连接器和所述外连接器中的一个提供100kHz～1MHz的电源。
12、根据权利要求3所述的设备，其中，所述线圈划分为两个部分，所述两个部分与所述电源单元并联连接。
13、根据权利要求1所述的设备，其中，所述连接器设置为环形。
14、根据权利要求1所述的设备，其中，所述柱具有圆柱形。
15、根据权利要求1所述的设备，其中，所述电源单元提供100kHz～1MHz的电源。
16、根据权利要求1所述的设备，其中，所述线圈通过电容器接地。
17、根据权利要求16所述的设备，其中，所述电容器的阻抗大约为所述铁氧体磁芯的阻抗的一半。
18、根据权利要求1所述的设备，还包括：
窗板，设置在所述反应空间和所述铁氧体磁芯之间。
19、根据权利要求18所述的设备，其中，所述窗板为铝或石英。
20、根据权利要求1所述的设备，还包括：
阻抗匹配单元，设置在所述电源单元和所述线圈之间。
21、一种利用等离子体处理基底的设备，包括：
处理室，具有壁，用于限定反应空间，在所述反应空间内，放置将被处理的基底和形成等离子体；
窗板，形成为所述处理室的所述壁之一；
多个柱，设置在所述窗板上；
连接器，连接所述多个柱。
22、根据权利要求21所述的设备，其中，所述多个柱包括第一组柱和设置在所述第一组柱内部的第二组柱。
23、根据权利要求22所述的设备，其中，所述连接器电连接所述第一组柱和所述第二组柱。
24、根据权利要求22所述的设备，还包括：
线圈，缠绕在所述多个柱的每个的周围，
其中，所述连接器连接所述多个柱的所述线圈的每个。
25、一种处理基底的设备，包括：
处理室，具有壁和窗板，用于限定反应空间；
多个柱，设置在所述窗板上；
连接器，连接所述多个柱，从而，当将电源施加到所述连接器时，在所述窗板的与所述多个柱相对的下面产生感应电流。
CN2006101063249A 2005-07-22 2006-07-19 处理基底的设备 Active CN1901772B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050066915 2005-07-22
KR10-2005-0066915 2005-07-22
KR1020050066915A KR100689848B1 (ko) 2005-07-22 2005-07-22 기판처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1901772A true CN1901772A (zh) 2007-01-24
CN1901772B CN1901772B (zh) 2012-07-04

Family

ID=37657457

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006101063249A Active CN1901772B (zh) 2005-07-22 2006-07-19 处理基底的设备

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8404080B2 (zh)
JP (1) JP4558689B2 (zh)
KR (1) KR100689848B1 (zh)
CN (1) CN1901772B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102647847A (zh) * 2011-06-24 2012-08-22 日新电机株式会社 等离子体处理装置
CN101328580B (zh) * 2007-06-21 2012-10-03 周星工程股份有限公司 使用高密度等离子体化学气相沉积来沉积薄膜的方法
CN103874316A (zh) * 2014-03-24 2014-06-18 青岛科技大学 一种实验室用感应等离子处理设备的设计
CN104244559A (zh) * 2014-09-02 2014-12-24 清华大学 等离子体源装置
CN104332379A (zh) * 2014-09-02 2015-02-04 清华大学 等离子体放电装置
CN105282953A (zh) * 2014-07-08 2016-01-27 Psk有限公司 使用双电浆源产生电浆之装置及包括该装置的用于处理基板之装置
US10312060B2 (en) 2013-11-22 2019-06-04 Psk Inc. Plasma generating apparatus using mutual inductive coupling and substrate treating apparatus comprising the same

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7837826B2 (en) * 2006-07-18 2010-11-23 Lam Research Corporation Hybrid RF capacitively and inductively coupled plasma source using multifrequency RF powers and methods of use thereof
KR100808862B1 (ko) * 2006-07-24 2008-03-03 삼성전자주식회사 기판처리장치
KR101418438B1 (ko) * 2007-07-10 2014-07-14 삼성전자주식회사 플라즈마 발생장치
US9155181B2 (en) * 2010-08-06 2015-10-06 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US8999104B2 (en) * 2010-08-06 2015-04-07 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for separate plasma source control
KR101914902B1 (ko) * 2018-02-14 2019-01-14 성균관대학교산학협력단 플라즈마 발생장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11037765B2 (en) * 2018-07-03 2021-06-15 Tokyo Electron Limited Resonant structure for electron cyclotron resonant (ECR) plasma ionization

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4740268A (en) * 1987-05-04 1988-04-26 Motorola Inc. Magnetically enhanced plasma system
JP2946402B2 (ja) * 1994-12-28 1999-09-06 住友重機械工業株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US5710486A (en) 1995-05-08 1998-01-20 Applied Materials, Inc. Inductively and multi-capacitively coupled plasma reactor
US5683548A (en) 1996-02-22 1997-11-04 Motorola, Inc. Inductively coupled plasma reactor and process
EP1209721B1 (en) 1997-10-10 2007-12-05 European Community Inductive type plasma processing chamber
US5944942A (en) * 1998-03-04 1999-08-31 Ogle; John Seldon Varying multipole plasma source
US6273022B1 (en) 1998-03-14 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Distributed inductively-coupled plasma source
US6204607B1 (en) 1998-05-28 2001-03-20 Applied Komatsu Technology, Inc. Plasma source with multiple magnetic flux sources each having a ferromagnetic core
KR100390540B1 (ko) * 2002-07-31 2003-07-04 에이엔 에스 주식회사 마그네트론 플라즈마 에칭장치
US8409400B2 (en) 2003-05-07 2013-04-02 Gen Co., Ltd. Inductive plasma chamber having multi discharge tube bridge
KR101006451B1 (ko) * 2003-06-26 2011-01-06 삼성전자주식회사 플라즈마 챔버
KR100556444B1 (ko) 2005-01-04 2006-03-03 엘지전자 주식회사 진공 청소기의 집진장치

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101328580B (zh) * 2007-06-21 2012-10-03 周星工程股份有限公司 使用高密度等离子体化学气相沉积来沉积薄膜的方法
CN102647847A (zh) * 2011-06-24 2012-08-22 日新电机株式会社 等离子体处理装置
US10312060B2 (en) 2013-11-22 2019-06-04 Psk Inc. Plasma generating apparatus using mutual inductive coupling and substrate treating apparatus comprising the same
CN103874316A (zh) * 2014-03-24 2014-06-18 青岛科技大学 一种实验室用感应等离子处理设备的设计
CN103874316B (zh) * 2014-03-24 2016-05-11 青岛科技大学 一种实验室用感应等离子处理设备的设计
CN105282953A (zh) * 2014-07-08 2016-01-27 Psk有限公司 使用双电浆源产生电浆之装置及包括该装置的用于处理基板之装置
TWI577247B (zh) * 2014-07-08 2017-04-01 Psk有限公司 使用雙電漿源產生電漿之裝置及包括該裝置的用於處理基板之裝置
CN105282953B (zh) * 2014-07-08 2019-04-09 Psk有限公司 使用双电浆源产生电浆之装置及包括该装置的用于处理基板之装置
CN104244559A (zh) * 2014-09-02 2014-12-24 清华大学 等离子体源装置
CN104332379A (zh) * 2014-09-02 2015-02-04 清华大学 等离子体放电装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4558689B2 (ja) 2010-10-06
KR20070012086A (ko) 2007-01-25
JP2007049133A (ja) 2007-02-22
CN1901772B (zh) 2012-07-04
US20070017446A1 (en) 2007-01-25
US8404080B2 (en) 2013-03-26
KR100689848B1 (ko) 2007-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1901772A (zh) 处理基底的设备
CN109417011B (zh) 电感线圈结构和电感耦合等离子体生成系统
CN1090807C (zh) 用等离子体处理工件的装置
CN100341386C (zh) 感应耦合天线以及使用该天线的等离子体处理装置
CN101113514B (zh) 基底处理设备
US10541114B2 (en) Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system
EP1079671A2 (en) Antenna device for generating inductively coupled plasma
CN102714913A (zh) 等离子体源的设计
US20070144440A1 (en) Plasma producing method and apparatus as well as plasma processing apparatus
CN1189859A (zh) 等离子体增强的化学处理反应器和方法
CN1819736A (zh) 用于等离子体处理装置的侧rf线圈和侧加热器
CN1662114A (zh) 等离子天线
CN1537405A (zh) 感应耦合等离子体发生器天线结构
CN1925074A (zh) 电感耦合线圈及其电感耦合等离子体装置
CN1794431A (zh) 等离子体装置
US20200105502A1 (en) Inductive coil structure and inductively coupled plasma generation system
CN1692476A (zh) 等离子体处理装置
KR101572100B1 (ko) 복합 주파수를 이용한 대면적 플라즈마 반응기
CN1226777C (zh) 等离子体装置及等离子体生成方法
KR101585890B1 (ko) 수직 듀얼 챔버로 구성된 대면적 플라즈마 반응기
KR101446554B1 (ko) 다중 방전관 어셈블리를 갖는 플라즈마 챔버
CN201238415Y (zh) 等离子体激发部件及包括该部件的等离子体处理装置
KR100845885B1 (ko) 대면적 유도 결합 플라즈마 반응기
WO2007062605A1 (fr) Source de plasma
KR20070104696A (ko) 마그네틱 코어에 결합된 다중 방전 튜브를 구비한 유도결합 플라즈마 소스

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant