CN1874637B - 一种用于气体放电灯的电子镇流器 - Google Patents

Abstract

本发明属于电灯制造技术领域，特别涉及气体放电灯的电子镇流器，包括电网滤波器、整流并滤波器、振荡器，所述的振荡器采用自激式振荡电路，自激式振荡电路的场效应管的漏极串接高漏抗式振荡变压器，源极串接高漏抗式高频变压器；或自激式振荡电路的三极管的集电极串接高漏抗式振荡变压器，发射极串接高漏抗式高频变压器；高漏抗式振荡变压器、高频变压器的输出绕组分别串接一耦合电容器后与放电灯联接。本发明的气体放电灯自激式电子镇流器具有电路简单、使用寿命长、耐冲击性强及性价比高的优点。

Description

一种用于气体放电灯的电子镇流器

技术领域

本发明属于电灯制造技术领域，特别涉及气体放电灯的电子镇流器。

背景技术

气体放电灯问世近半个世纪以来，经过不断地发展，从汞灯、钠灯发展到近十年来的金属卤化物灯，发光特性得到了不断的改进与完善，点灯器也从笨重的电感镇流器发展到轻巧的电子镇流器。

目前国内外所研发的用于气体放电灯的电子镇流器都是采用他激式的开关电路来达到输出高频功率的目的，信号由集成电路形成，然后去推动半桥或全

桥型的开关式功率放大器，输送至气体放电灯。启动用的是LC形成的高压放电电路，或是采用双向二极管放电升压启动电路。但是，这些电路都比较复杂，形成信号的集成电路需要电源和周边配套电路；半桥或全桥型的开关放大电路需要两只或四只大功率半导体三极管，还要为它提供直流电源，同时开关放大器需要配套周边电路。电路繁杂，采用电子元器件又多。任何电路所采用电子元器件越多，出现的故障就越多，同时也给工艺布置增加困难，耐冲击的性能降低，运行寿命也降低，成本高，体积大，对电网的交流供电提出±5％的高要求，否则就要增加直流电源的调整电路，使整个电子镇流器更加复杂。综上，目前采用的他激式电子镇流器复杂、使用寿命低、耐冲击性差及性价比低，因此各国照明界，都在不断研制开发新型的电子镇流器，提高电子镇流器的点灯性能和性价比。

发明内容

本发明的目的是设计一种电路简单、使用寿命长、耐冲击性强及性价比高的用于气体放电灯的自激式电子镇流器。

本发明的目的通过以下技术方案实现：一种用于气体放电灯的电子镇流器，包括电网滤波器、整流并滤波器、振荡器，所述的振荡器采用自激式振荡电路，自激式振荡电路的场效应管的漏极串接高漏抗式振荡变压器，源极串接高漏抗式高频变压器；或自激式振荡电路的三极管的集电极串接高漏抗式振荡变压器，发射极串接高漏抗式高频变压器；高漏抗式振荡变压器、高频变压器的输出绕组分别串接一耦合电容器后与放电灯联接。

所述的用于气体放电灯的电子镇流器，所述的自激式电子镇流器增设一组反向绕制的反馈绕组、一只场效应管或三极管和一组RC充放电路，形成自激推挽式电子镇流器，两组RC充放电路通过两组反馈绕组激发场效应管或三极管。

所述的用于气体放电灯的电子镇流器，高漏抗式高频变压器的输出绕组的电感、耦合电容及气体放电灯的内阻形成LCR输出电路。

所述的用于气体放电灯的电子镇流器，振荡变压器采用四个绕组，或把启动绕组和输出绕组合并形成的三个绕组。

所述的用于气体放电灯的电子镇流器，振荡变压器的铁氧体磁芯采用T形、E形和Y形的一种。

气体放电灯自激式电子镇流器由防传导干扰的电网滤波电路、全桥整流并滤波电路、自激式振器电路及大功率半导体三极管组成。自激式振荡器由振荡变压器和大功率半导体三极管及RC充放电电路组成，在同一只半导体三极管源极或发射极串接输出变压器组成源极或射极输出器，直接通过由变压器输出绕组的电感L、耦合电容C及气体放电管的内阻形成LCR输出电路，实现气体放电灯从启动、辉光放电至孤光放电。

气体放电灯自激式电子镇流器信号与功率的放大由一只大功率半导体三极管形成，能够将放大的高频功率输出，电路得到简化，所需电子元器件只有他激式电子镇流器所用电子元器件的三分之一，降低成本。

采用自激式振荡器将大功率半导体三极管的漏极或集电极串接高漏抗式振荡变压器，使它自激振荡，让振荡变压器的输出绕组提供足够启动气体放电灯的高压，再将大功率半导体三极管的源极或发射极串接一只高漏抗式高频变压器作为大功率半导体三极管的源极或发射极的输出变压器，输出足够的功率给气体放电灯，使气体放电灯可以正常工作。大功率半导体三极管的源极或发射极输出比较稳定，采用单只半导体三极管把自激振荡器与源极或发射极输出器两组电路结合在一起，既简化了电路，又提高了效率，使电子镇流器的点灯性能和性价比都有显著地提高，同时也具有轻巧的优点。

自激推挽式电子镇流器是由两组自激信号经两路不同方向绕制的反馈绕组分别推动一只大功率半导体三极管，使这两只大功率半导体三极管交替开通与关断，组成推挽输出给高漏抗式高频变压器，使输出绕组输出连续方波，通过耦合电容器将高频功率输送给气体放电灯。自激推挽式电子镇流器也具有电路简单的优点，它的整体性能和性价比都较高。

自激式电子镇流器与自激推挽式电子镇流器均可应用于气体放电灯。另外高漏抗式高频振荡变压器，因为气体放电灯在启动时的内阻很大，当进入到弧光放电的正常工作状态时其内阻很小，气体放电灯的内阻在几个数量级大范围内变化，只有高漏抗式高频变压器才能适应。目前业界生产气体放电灯的电极结构是根据电感式镇流器设计的。采用高频电子镇流器，需要合适频率，可在几十千赫兹至几兆赫兹的频率范围内调整，而他激式电子镇流器要改变频率，需要重新选取形成信号的集成电路来完成，而自激式电子镇流器只要改变振荡变压器绕组的电感量就能实现频率大范围的变化与其相适应，这也是自激式电子镇流器优于他激式电子镇流器之处。

本发明技术方案所具有的以下优点：

一、新型的电路

自激式电子镇流器只用一只大功率场半导体三极管，实现自激振荡、放大并直接从半导体三极管的源极或发射极通过高漏抗式高频变压器输出。只需单只半导体三极管实现自激振荡器与源极或发射极输出器结合起来的新型电路，所需电子元器件少、电路简单，而且还获得接近方波的输出，提高了效率，稳定了输出功率。

自激推挽式电子镇流器只需在高漏抗式高频变压器上多加一组反向绕制的反馈绕组，增设一只大功率半导体三极管及一组RC充放电路即可。

上述两种电子镇流器在功率与频率范围变化上调节较方便，如要改变输出功率，只需改变整流桥、大功率半导体三极管的功率、高漏抗式高频变压器的铁氧体磁芯；如要改变振荡频率，只需改变高漏抗式高频变压器的电感量。

二、新型的高频变压器

自激式电子镇流器的振荡变压器采用特制的高漏抗式振荡变压器，频率响应从几十千赫兹到几兆赫兹，承受阻抗变化从几十兆欧姆到几十欧姆。气体放电灯从启动到弧光放电，电灯的内阻变化从几百千欧姆到几百欧姆，由特制的高漏抗式高频变压器输出，完全适应气体放电灯的需求。

三、耐冲击、寿命长

气体放电灯自激式电子镇流器与自激推挽式电子镇流器的主要部件是特制的高漏抗式高频振荡变压器。大功率半导体三极管将控制极的激发能量控制在它的能量允许值，电压只用到它的二分之一，电流不超过二分之一，再加上设有阻挡冲击能量的电路，使冲击能量不会进入大功率半导体三极管，大功率半导体三极管温升不超过40℃，确保大功率半导体三极管的稳定运行；再则电子元器件少、电路简单、故障率低，这些条件提供了可靠性、耐冲击、寿命长的保障。

四、成本低，体积小

自激式电子镇流器与自激推挽式电子镇流器采用电子元器件少，成本比他激式电子镇流器低。考虑到充分散热的条件，工艺布置简单，重量轻，其体积只有他激式电子整流器的二分之一左右。

五、防潮性强

自激式电子镇流器与自激推挽式电子镇流器的电子元器排布合理、散热空间充足，易发热的元器件功率可放大一倍，仍不影响体积和成本，使整个温升不高，壳体可以进行环氧树脂胶注密封，胶注好的自激式电子镇流器或自激推挽式电子镇流器的输入和输出引出线都采用优质的多股三防线，使自激式电子镇流器或自激推挽式电子镇流器具有良好的防腐防潮性能。

六、频率和功率的变化范围广

自激式电子镇流器与自激推挽式电子镇流器信号形成与放大是在单个大功率半导体三极管中进行，不需要外加触发信号，所以它形成的频率可以从几千赫兹扩张到几兆赫兹。

自激式电子镇流器与自激推挽式电子镇流器只要改变铁氧体磁芯的几何尺寸与大功率半导体三极管功率的大小就可实现输出功率从几十瓦到上千瓦的变化，启动电压可在2～15KV内变化。

附图说明

图1为本发明自激式电子镇流器的电路方框图。

图2为本发明自激推挽式电子镇流器的电路方框图。

图3为本发明铁氧体磁芯的形状一结构剖视图。

图4为图9的A向视图。

图5为本发明铁氧体磁芯的形状二结构剖视图。

图6为图11的B向视图。

图7为本发明铁氧体磁芯的形状三结构剖视图。

图8为图13的C向视图。

图9为本发明气体放电灯的电压电流特性曲线图。

图10为本发明实施一电路原理图。

图11为本发明实施二电路原理图。

图12为本发明实施三电路原理图。

图13为本发明实施四电路原理图。

图14为本发明实施五电路原理图。

图15为本发明实施六电路原理图。

图16为本发明实施七电路原理图。

如图1所示，220V交流电经过抗干扰共扼滤波器、全桥整流及直流滤波器后成为自激振荡器所需的直流电；该直流电分两路，一路经RC充放电电路进入自激振荡器，另一路直接进入自激振荡器；然后，经过高频输出器直接向LCR输出电路输出。此外，RC充放电电路联接大功率场效应管的保护电路；整流及直流滤波器联接抗冲击保护电路。

如图2所示，220V交流电经抗干扰共扼滤波器、整流及直流滤波器后分三路，一路通过双反馈自激振荡器进入RC充放电及保护电路(1)和(2)，另两路分别为RC充放电及保护电路(1)和(2)；双反馈自振荡器与RC充放电及保护电路(1)和(2)通过两个放大电路(1)、(2)向LCR输出电路输出。

如图3-8所示，铁氧体磁芯的三种形状。

图3、4所示的铁氧体磁芯的剖视图呈T形。

图5、6所示的铁氧体磁芯的剖视图呈E形。

图7、8所示的铁氧体磁芯的剖视图呈Y形。

气体放电灯的自激式电子镇流器需要选择合适尺寸的铁氧体磁芯和大功率半导体三极管，同时在铁氧体磁芯上绕制匹配的电感量，并选定好准确的RC充放电数值。自激式电子镇流器的工作频率可从十几千赫兹扩张到2兆赫兹，能适应各种气体放电灯所需的最佳工作频率。

改变铁氧体磁芯的几何尺寸和结构系数，并采用复合组成的大功率半导体三极管作为高频开关器件，同时增加整流电路的输出功率，可使自激式电子镇流器的输出功率从30W扩张到1000W以上，启动电压可从2KV扩张到10KV以上，以适应各种功率的气体放电灯所需的启动电压和功率的要求。

高漏抗式振荡变压器可以是三个绕组，也可以是四个绕组。三个绕组是将启动绕组和输出绕组并在一起，四个绕组是将启动的高压绕组和输出绕组分开。根据气体放电灯所需的工作频率决定绕成三个绕组或四个绕组，频率低的多绕成四个绕组，频率高的多绕成三个绕组。

如图9所示，为气体放电灯电压与电流的特性曲线。

图中1区、2区、3区是起辉区，4区是正常辉光区，5区是异常辉光区，6区是负阻区，7区是弧光放电区。

气体放电灯自激式电子镇流器工作时各运行步骤分析如下：

自激式电子镇流器在通电的初始阶段，由自激式电子镇流器的高压绕组通过电容器对气体放电灯的两个电极加上高频高压电场，使气体放电灯快速启动，如图9中的1、2两区；同时输出绕组也通过耦合电容器输出提供气体放电灯进入正常起辉所需的电流，使气体放电灯进入电压产生雪崩式的过程，如图9中的3区；电压雪崩后进入正常辉光区的主要电流由串接在大功率半导体场效应管源极的高漏抗式振荡变压器输出绕组提供，图9中的4区是正常辉光区。在确定气体放电灯阴极面积的条件下，继续增大电流会使整个阴极面积出现全部发射的状态，这时气体放电灯不仅需要继续增大电流，还要有高电场强度，才可以使气体放电灯从图9中的正常辉光区4区进入异常辉光区5区，所需要的电场强度由高压起动绕组提供。在进入正常辉光区4区时，高压绕组还保留着一半左右的高电压，足够提供气体放电灯进入异常辉光区5区所需的电场强度，并可以一直维持气体放电灯进入第二次电压雪崩式的突变，形成负阻效应，即进入图9中的负阻区6区，这个突变过程很快促使气体放电灯引发弧光放电；弧光放电时电压降到稳定的工作电压约100-150V，电流也进入最大电流状态，此时气体放电灯显示出它的特征光谱，气体放电灯进入图9中的弧光放电区7区，即气体放电灯的正常稳定工作区，此时气体放电灯完全依靠振荡变压器的输出绕组提供功率，高压绕组的电压因气体放电灯的内阻很低，约几百欧姆，也降到了接近气体放电灯的稳态工作电压，约200V左右，配合输出绕组利用高频电能量对气体放电灯加热，使高频能量转换为热能，激发离子与电子的交换，发出可见光。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的实施例作进一步说明。

如图10所示，为本发明实施一：以70W气体放电灯的自激式电子镇流器为例，对其电路工作原理作详细介绍。

图10中，由电容器C1、C2、C3、C4与扼流圈L1组成电网抗传导干扰的共扼滤波电路，V2是全桥整流电路，电容器C6、C7与电感L2组成直流滤波电路，电阻R1是电容器C7的泄放电阻。电感L2还与高频二极管V1及电容器C5组成抗交流供电电网冲击的保护电路。220V交流电经共扼滤波电路滤波、全桥整流电路整流成直流电后，又经直流滤波电路滤波为自激振荡器所需的直流电。自激振荡器的自激发信号是由直流电通过电阻R2、R3、R4串联组成分压电路，从电阻R3与R4的连接点取出电压为电容器C8充电，电阻R3为可调电阻，改变电阻R3的阻值可以改变电容器C8的充电电压，电容器C8与自激振荡器的振荡变压器MG1的反馈绕组La1串联后，与场效应管V3的控制极连接，当电容器C8的电压充到一定电压值时，场效应管V3开通，电容器C8通过场效应管V3放电，直至电容器C8放电结束。场效应管V3关闭，这时电容器C8重新被充电，再充到上述的一定电压值时，场效应管V3又开通，电容器C8又向场效应管V3放电，电容器C8放电结束后场效应管V3又关闭，如

此往复循环地进行下去，使串接在场效应管V3漏极上的高漏抗式高频变压器MG1的主绕组La2感应高频电势，同时也使高漏抗式高频变压器MG1的反馈绕组感生高频信号，通过正反馈稳定自激式电子镇流器的输出功率，振荡变压器MG1的高压输出绕组La3也感应高频高压，并可提供足够的高压，通过高压输出绕组La3与电容器C10组成高压放电电路，使气体放电灯G1迅速启动。串接在场效应管V3源极的高漏抗式高频输出变压器MG2的初级绕组Lb1也感生电势，使高频变压输出绕组Lb2获得高频功率，通过电容器C9与高频变压输出绕组Lb2及气体放电灯的内阻组成的LRC输出电路，输出高频功率给气体放电灯G1，使气体放电灯G1获得从辉光放电到弧光放电全过程所需要的高频功率。半导体稳压管V4稳定地给电容器C8充电电压，电阻R5是半导体稳压二极管V4的限流保护电阻。场效应管V3的控制极的激发能量有严格要求，超出其激发能量值就会损坏场效应管V3，电阻R2、R3、R4、R5与半导体稳压二极管V4组成对电容器C8充电电路，控制电容器C8的充电能量，使它不会超过场效应管V3控制极激发所需的规定能量，对场效应管V3提供必要的保护。在直流滤波器加配电容器C6是作为高频傍路。

气体放电灯的自激式电子镇流器需要选择合适尺寸的铁氧体磁芯和大功率半导体三极管，同时在铁氧体磁芯上绕制匹配的电感量，并选定好准确的RC充放电的数值。自激式电子镇流器的工作频率可以从十几千赫兹扩张到2兆赫兹，能适应各种气体放电灯所需的最佳工作频率。

改变铁氧体磁芯的几何尺寸和结构系数，采用复合组成的大功率半导体三极管作为高频开关器件，同时增加整流电路的输出功率，可使自激式电子镇流器的输出功率从30W扩张到1000W以上，启动电压可从2KV扩张到10KV以上，以适应各种功率的气体放电灯所需的启动电压和功率的要求。

高漏抗式的振荡变压器可以是三个绕组，也可以是四个绕组。三个绕组是将启动绕组和输出绕组并在一起，四个绕组是将启动的高压绕组和输出绕组分开。绕成三个绕组或四个绕组，根据气体放电灯所需的工作频率而定，频率低的多为四个绕组，频率高的以三个绕组为佳。

如图11所示，为本发明的实施例二：为150W气体放电灯自激式电子镇流器原理图。

设有三个场效应管V4、V5、V6，振荡变压器MG1的反馈绕组La1联接场效应管V4的控制极，主绕组La2联接场效应管V4、V5、V6的漏极，场效应管V4的源极联接场效应管V5、V6的控制极，场效应管V5、V6的源极联接高频输出变压器MG2的初级绕组Lb1。

实施例二的电路其它部分与实施例一相同，其电路工作原理与实施例一相同。

如图12所示，为本发明的实施例三：为250W气体放电灯自激式电子镇流器原理图。

在实施例一的基础上增设四个场效应管V5、V6、V7、V8。振荡变压器MG1的反馈绕组La1联接场效应管V3的控制极，主绕组La2联接场效应管V3、V5、V6、V7、V8的漏极，场效应管V3的源极与场效应管V5、V6、V7、V8的控制极联接，高频输出变压器MG2的初级绕组Lb1与场效应管V5、V6、V7、V8的源极联接。振荡变压器MG1的高压输出绕组La3通过电容C10与气体放电灯G1联接，高频输出变压器的高频变压输出绕组Lb2与气体放电灯G1联接。

上述电路的其它部分与实施例一相同，其电路工作原理与实施一相同。

如图13所示，本发明的实施例四：400W气体放电灯自激式电子镇流器原理图。

在实施例一的基础上增设六个场效应管V5、V6、V7、V8、V9、V10。振荡变压器MG1的反馈绕组La1联接场效应管V3的控制极，主绕组La2联接场效应管V3、V5、V6、V7、V8、V9、V10的漏极，场效应管V3的源极与场效应管V5、V6、V7、V8、V9、V10的控制极联接，高频输出变压器MG2的初级绕组Lb1与场效应管V5、V6、V7、V8、V9、V10的源极联接。振荡变压器MG1的高压输出绕组La3通过电容C10与气体放电灯G1联接，高频输出变压器的高频变压输出绕组Lb2与气体放电灯G1联接。

上述电路的其它部分与实施例一相同，其电路工作原理与实施一相同。

上面介绍的四个实施例为本发明自激式电子镇流器的电路原理，下面详细介绍本发明的自激推挽式电子镇流器的工作原理。

自激推挽式电子镇流器由抗交流供电网络传导干扰的共扼滤波器、整流与直流滤波电路及自激推挽式电路组成。自激推挽式电子镇流器的两组RC充放电路分别通过高漏抗式振荡变压器的两个不同方向绕制的反馈绕组去激发两只大功率半导体三极管，使两只大功率半导体三极管形成交替开通与关断状态，从而使联接在两只大功率半导体三极管的源极或发射极与漏极或集电极之间的高漏抗式高频变压器的主绕组上感生高频电势，由输出绕组通过耦合电容器输出至气体放电灯。

如图14所示，以150W自激推挽式电子镇流器为例，分析自激推挽式电子镇流器的工作原理。

图14中的电容器C1、C2、C3、C4与共扼电感L1组成抗交流电网络传导干扰的共扼滤波器，电容器C5与半导体高频二极管V1及电感L2组成抗冲击的保护电路，半导体全桥整流桥V2将交流电整流为直流电，电容器C6、C7与电感L2组成直流滤波电路。电阻R1、R2、R3、R4与半导体稳压二极管V4及电容器C8组成第一组充放电电路，电阻R5、R6、R7、R8与半导体稳压二极管V3及电容器C9组成第二组充放电电路。电阻R4与R7分别又是半导体稳压二极管V4与V3的限流保护电阻。稳压管V4与V3分别控制电容器C8与C9所储存的能量，使电容器C8与C9能量释放不会超过大功率半导体场效应管V6与V5控制极所需的激发能量，对场效应管V6与V5进行保护。第一组充放电电路通过高漏抗式高频变压器MG1的反馈绕组La1，提供激发信号给大功率半

导体场效应管V6的控制极；第二组充放电电路通过另一个反馈绕组La2，提供激发信号给大功率半导体场效应管V5控制极。由于反馈绕组La1与La2的极性相反，所提供交替极性的信号交替推动大功率半导体场效应管V5与V6，形成交替开通与关断，使得串接在大功率半导体场效应管V5源极与大功率半导体场效应管V6漏极之间的高漏抗式高频变压器MG1的主绕组La3感应高频电势，由MG1的输出绕组La4经耦合电容器C10输出给气体放电灯G1。在气体放电灯刚启动时，输出绕组La4处于空载，电压很高，给电容器C10所充电压也很高，由输出绕组La4与C10组合的LC放电电路，足够启动气体放电灯。从开始辉光放电到弧光放电所需的电流越来越大，这个过程所需的电流由高漏抗式高频变压器的输出绕组La4提供，使气体放电灯能正常运行。

自激推挽电子镇流器选择铁氧体磁芯的形状、尺寸及结构系数和大功率半导体三极的规格要求与自激式电子镇流器相同。

如图15所示，本发明的实施六：为250W自激推挽式电子镇流器的原理图。

该实施例在实施例五的基础之上增设两个场效应管V7、V8。高频变压器MG1的反馈绕组La1、La2分别联接场效应管V7、V8和V5、V6的控制极，主绕组La3两端联接场效应管V7、V8和V5、V6的漏极。

上述电路的其它部分与实施例五相同，其电路工作原理与实施五相同。

如图16所示，本发明的实施七：为400W自激推挽式电子镇流器的原理图。

该实施例在实施例五的基础之上增设四个场效应管V7、V8、V9、V10。高频变压器MG1的反馈绕组La2、La1分别联接场效应管V5、V6、V7和V8、V9、V10的控制极，主绕组La3两端联接场效应管V5、V6、V7和V8、V9、V10的漏极。

上述电路的其它部分与实施例五相同，其电路工作原理与实施五相同。

自激推挽式电子镇流器与自激式电子镇流器一样，振荡频率从几十千赫兹扩张到几兆赫兹，功率可从几十W扩展到1000W以上。

自激推挽式的电子镇流器输出效率比自激式电子镇流器高。

自激推挽式电子镇流器用于气体放电灯，从启动至形成弧光放电过程与自激式电子镇流器相同。

自激推挽式电子镇流器与自激式电子镇流器所采用的铁氧体形状以及绕组规格相同。

Claims (5)

1.一种用于气体放电灯的电子镇流器，其特征是包括抗干扰共扼滤波器、全桥整流及直流滤波器、抗冲击保护电路、RC充放电电路、振荡器、LCR输出电路，所述的抗干扰共扼滤波器由电容器C1、C2、C3与扼流圈L1组成，所述的抗冲击保护电路由电感L2、高频二极管V1及电容器C5组成；交流电经过抗干扰共扼滤波器、全桥整流及直流滤波器后成为振荡器所需的直流电，该直流电分两路，一路经RC充放电电路进入振荡器，另一路直接进入振荡器；然后，经过高频输出器直接向LCR输出电路输出；整流及直流滤波器联接抗冲击保护电路；

所述的振荡器采用自激式振荡电路，自激式振荡电路的场效应管的漏极串接高漏抗式振荡变压器，源极串接高漏抗式高频变压器；或自激式振荡电路的三极管的集电极串接高漏抗式振荡变压器，发射极串接高漏抗式高频变压器；高漏抗式振荡变压器、高频变压器的输出绕组分别串接一耦合电容器后与放电灯联接。

2.根据权利要求1所述的用于气体放电灯的电子镇流器，其特征在于：所述的自激式电子镇流器增设一组反向绕制的反馈绕组、一只场效应管或三极管和一组RC充放电路，形成自激推挽式电子镇流器，两组RC充放电路通过两组反馈绕组激发场效应管或三极管。

3.根据权利要求1或2所述的用于气体放电灯的电子镇流器，其特征在于：高漏抗式高频变压器的输出绕组的电感、耦合电容及气体放电灯的内阻形成LCR输出电路。

4.根据权利要求1或2所述的用于气体放电灯的电子镇流器，其特征在于：振荡变压器采用四个绕组，或把启动绕组和输出绕组合并形成的三个绕组。

5.根据权利要求4所述的用于气体放电灯的电子镇流器，其特征在于：振荡变压器的铁氧体磁芯采用T形、E形和Y形的一种。

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